公开(公告)号：DE102005028224B4

公开(公告)日：2015-08-20

申请号：DE102005028224

申请日：2005-06-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RIEGER WALTER DR ,  PÖLZL MARTIN

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/76 ,  H01L29/06

Abstract: Halbleiterbauteil mit einem Transistor (1), mit einem Halbleiterkörper (2), in dem ein Zellenfeldbereich (3) und ein Randbereich (4) ausgebildet sind, wobei der Randbereich (4) den Zellenfeldbereich (3) wenigstens teilweise umgibt beziehungsweise an diesen angrenzt, und wobei – im oberen Teil des Zellenfeldbereichs (3) ein Sourcebereich (5), und im unteren Teil des Zellenfeldbereichs (3) ein Drainbereich (6) ausgebildet sind, – innerhalb des Randbereichs (4) eine elektrische Randleitungsstruktur (13) vorgesehen ist, die oberhalb des Halbleiterkörpers (2) angeordnet, mit diesem kapazitiv gekoppelt und gegenüber diesem elektrisch isoliert ist, und – unterhalb der elektrischen Randleitungsstruktur innerhalb des Halbleiterkörpers (2) eine Randtrenchstruktur (15) vorgesehen ist, in die eine gegenüber dem Halbleiterkörper (2) isolierte Randelektrodenstruktur (16) eingebettet ist, wobei – die Randelektrodenstruktur (16) auf ein zwischen Drainpotenzial und Sourcepotenzial liegendes Potenzial oder auf Sourcepotenzial gesetzt ist und – die elektrische Randleitungsstruktur (13) ein durch eine Isolationsschicht (14) von der Randelektrodenstruktur (16) beabstandeter und elektrisch getrennter Teil eines entsprechenden Speicherbereichs/Logikbereichs/Ansteuerbereichs ist, und wobei die Randtrenchstruktur (15) mehrere im Wesentlichen parallel zueinander verlaufende Randtrenches aufweist, in denen jeweils, in einer vom Zellenfeldbereich zum Randbereich verlaufenden lateralen Richtung, eine einzelne Randelektrode ausgebildet ist.

公开(公告)号：DE10214160B4

公开(公告)日：2014-10-09

申请号：DE10214160

申请日：2002-03-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HIRLER FRANZ DR ,  KRUMREY JOACHIM ,  RIEGER WALTER DR

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/04 ,  H01L27/07 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423

Abstract: Halbleiteranordnung, mit: – einem Halbleiterkörper (100) mit einer ersten Anschlusszone (10, 12; 10A, 12) eines ersten Leitungstyps, einer zweiten Anschlusszone (30) des ersten Leitungstyps und einer zwischen der ersten und zweiten Anschlusszone (10, 12, 30; 10A, 12, 30) ausgebildeten Body-Zone (20) eines zweiten Leitungstyps, der zum ersten Leitungstyp entgegengesetzt ist, wobei die erste Anschlusszone (10, 12; 10A, 12), die Body-Zone (20) und die zweite Anschlusszone (30) wenigstens abschnittsweise in vertikaler Richtung des Halbleiterkörpers (100) übereinander angeordnet sind, – einer Steuerelektrode (40), die isoliert gegenüber dem Halbleiterkörper (100) in einem Graben (17) ausgebildet ist, der sich in vertikaler Richtung des Halbleiterkörpers (100) von der zweiten Anschlusszone (30) durch die Body-Zone (20) bis in die erste Anschlusszone (10, 12; 10A, 12) erstreckt, – einer die zweite Anschlusszone (30) kontaktierenden ersten Anschlusselektrode (60), die gegenüber der Steuerelektrode (40) isoliert ist, und – einem Schottky-Kontakt (14), der zwischen der ersten Anschlusselektrode (60) und der ersten Anschlusszone (12) benachbart zu der Body-Zone (20) gebildet ist, wobei: – im Übergangsbereich zwischen der ersten Anschlusselektrode (60) und der ersten Anschlusszone (12) Bereiche mit Schottky-Kontakt (14) und Bereiche (15) ohne Schottky-Kontakt einander abwechseln, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Anschlusselektrode (60) abschnittsweise in einem in vertikaler Richtung des Halbleiterkörpers (100) verlaufenden weiteren, unterhalb der Body-Zone (20) endenden Graben (62) ausgebildet ist, wobei die Bereiche mit Schottky-Kontakt (14) und die Bereiche (15) ohne Schottky-Kontakt angrenzend an den weiteren Graben (62) gebildet sind, und der Schottky-Kontakt an einem Boden des weiteren Grabens (62) gebildet ist, und dass die zweite Anschlusszone (30) an in vertikaler Richtung des Halbleiterkörpers (100) verlaufenden Seitenwänden des weiteren Grabens (62) freiliegt und dort und nicht an einer Vorderseite (101) des Halbleiterkörpers (100) durch die erste Anschlusselektrode (60) kontaktiert ist, wobei die erste Anschlusselektrode (60) durch eine starke Implantationsdotierung der Seitenwand der Body-Zone (20) mit dem zweiten Leitfähigkeitstyp die Body-Zone (20) mit der zweiten Anschlusszone (30) kurzschließt.

公开(公告)号：DE10345494B4

公开(公告)日：2016-04-07

申请号：DE10345494

申请日：2003-09-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RIEGER WALTER DR

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/304 ,  H01L21/683

Abstract: Verfahren zur Bearbeitung eines weniger als 200 μm dicken Wafers (4, 5) mit einem oder mehreren darin im Bereich einer Vorderseite des Wafers (4, 5) enthaltenen Halbleiterbauelementen, umfassend die folgenden, in der angegebenen Reihenfolge auszuführenden Schritte: – Anordnen des Wafers auf einem Chuck (9), wobei die Vorderseite des Wafers (4, 5) dem Chuck (9) zugewandt ist; – Herunterdünnen des Wafers (4, 5); – Metallisieren der Rückseite des Wafers (4, 5); – Aufbringen einer elektrisch leitenden Haftvermittlungsschicht (11) auf eine elektrisch leitende Trägerfolie (12), – Aufbringen der mit der Haftvermittlungsschicht (11) versehenen Trägerfolie (12) auf die Rückseite des Wafers (4, 5), wobei die Haftvermittlungsschicht zwischen der Trägerfolie (12) und der Rückseite des Wafers (4, 5) angeordnet wird.

公开(公告)号：DE10262121B4

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：DE10262121

申请日：2002-03-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HENNINGER RALF DR ,  HIRLER FRANZ DR ,  KRUMREY JOACHIM ,  ZUNDEL MARKUS DR ,  RIEGER WALTER DR ,  POELZL MARTIN

IPC: H01L29/78

Abstract: Halbleiterbauelement mit einem in einem Halbleiterkörper (100) ausgebildeten mehrere gleichartig aufgebaute Transistorzellen (Z1, Z2, Z3, Z4) aufweisenden Zellenfeld wobei jede der Transistorzellen aufweist: – eine erste Anschlusszone eines ersten Leitungstyps im Bereich einer Rückseite des Halbleiterkörpers, die eine stark dotierte Zone (11) und eine schwächer dotierte Zone (12) aufweist – eine zweite Anschlusszone (30) eines ersten Leitungstyps im Bereich einer Vorderseite des Halbleiterkörpers, – eine Kanalzone (20) eines zweiten Leitungstyps, die zwischen der ersten Anschlusszone und der zweiten Anschlusszone (30) angeordnet ist, – eine Steuerelektrode (42), die in einem Graben (40), der sich in vertikaler Richtung in den Halbleiterkörper (100) hinein erstreckt, angeordnet ist und die mittels einer Isolationsschicht (44) gegenüber dem Halbleiterkörper (100) isoliert ist, wobei die Gräben der einzelnen Zellen (Z1, Z2, Z3) in horizontaler Richtung des Halbleiterkörpers (100) beabstandet zueinander angeordnet sind, wobei der Abstand (d3) wenigstens zweier Gräben in dem Zellenfeld...