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公开(公告)号:DE102019131238A1
公开(公告)日:2020-06-10
申请号:DE102019131238
申请日:2019-11-19
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: KONRATH JENS PETER , HILSENBECK JOCHEN , PETERS DETHARD , SALMEN PAUL , SCHMIDUTZ TOBIAS , SODAN VICE , STAHLHUT CHRISTIAN , STEINBRENNER JÜRGEN , ZIPPELIUS BERND
Abstract: Eine Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung (100) weist einen Halbleiterkörper (102) auf, der eine erste Hauptoberfläche (104) umfasst. Der Halbleiterkörper (102) enthält eine aktive Vorrichtungszone (106) und eine Randabschlusszone (108), die die aktive Vorrichtungszone (106) zumindest teilweise umgibt. Die Halbleitervorrichtung (100) umfasst ferner eine Kontaktelektrode (110) auf der ersten Hauptoberfläche (104). Die Kontaktelektrode (110) ist mit der aktiven Vorrichtungszone (106) elektrisch verbunden. Die Halbleitervorrichtung (100) enthält ferner eine Passivierungsstruktur (112) auf der Randabschlusszone (108). Die Passivierungsstruktur (112) erstreckt sich lateral in die aktive Vorrichtungszone (106). Die Halbleitervorrichtung (100) enthält ferner eine Kapselungsstruktur (116) auf der Passivierungsstruktur (112). Die Kapselungsstruktur (116) bedeckt einen ersten Rand (118) der Passivierungsstruktur (112) über der Kontaktelektrode (110).