公开(公告)号：DE102014117020A1

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：DE102014117020

申请日：2014-11-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HEUCK NICOLAS ,  OTTO FREDERIK ,  STEININGER CHRISTIAN

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/58

Abstract: Ein Aspekt betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer stoffschlüssigen Verbindung zwischen einem Halbleiterchip (1) und einer Metallschicht (21). Hierzu werden ein Halbleiterchip (1) bereitgestellt, eine Metallschicht (2), die einen Chipmontageabschnitt (21c) aufweist, sowie ein ein Metallpulver enthaltendes Verbindungsmittel (3). Das Metallpulver wird in einem Sinterprozess gesintert. Hierbei sind während einer vorgegebenen Sinterdauer ununterbrochen die Vorgaben erfüllt, dass das Verbindungsmittel (3) zwischen dem Halbleiterchip (1) und der Metallschicht (21) angeordnet ist und sich durchgehend von dem Halbleiterchip (1) bis zu der Metallisierungsschicht (21) erstreckt, dass der Halbleiterchip (1) und die Metallschicht (21) in einem Anpressdruckbereich gegeneinander gepresst werden, der oberhalb eines Mindestanpressdrucks liegt, dass das Verbindungsmittel (3) in einem Temperaturbereich gehalten wird, der oberhalb einer Mindesttemperatur liegt, und dass ein Schallsignal (SUS) in das Verbindungsmittel (3) eingekoppelt wird.

公开(公告)号：DE102014114104B4

公开(公告)日：2017-06-08

申请号：DE102014114104

申请日：2014-09-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OTTO FREDERIK ,  HEUCK NICOLAS

IPC: G01K11/06 ,  H01L23/62

Abstract: Ein Aspekt der Erfindung betrifft ein Halbleitermodul (100) mit einer Temperaturüberwachungseinrichtung (6). Diese weist eine erste Temperatur (T1) und dabei eine erste geometrische Form auf. Sie ist die derart ausgebildet dass sie, wenn sie auf eine zweite Temperatur (T2) erwärmt wird, die höher ist als die erste Temperatur (T1), bei der zweiten Temperatur (T2) eine von der ersten geometrischen Form verschiedene zweite geometrische Form annimmt, und wenn sie nach dem Erwärmen auf die zweite Temperatur (T2) auf eine dritte Temperatur (T3) abgekühlt wird, die geringer ist als die zweite Temperatur (T2), eine von der ersten geometrischen Form verschiedene dritte geometrische Form annimmt.

公开(公告)号：DE102020102876A1

公开(公告)日：2021-08-05

申请号：DE102020102876

申请日：2020-02-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OTTO FREDERIK ,  FRANK PAUL

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/283 ,  H01L21/60 ,  H01L23/28 ,  H01L23/485 ,  H05K13/04

Abstract: Elektronisches Bauelement (10) mit einem Halbleiterdie (1), einem Schichtstapel (2.1), der auf dem Halbleiterdie (1) angeordnet ist und eine oder mehrere funktionelle Schichten aufweist, wobei der Schichtstapel (2.1) eine Schutzschicht (2.11), die eine äußerste funktionelle Schicht des Schichtstapels (2.1) ist, und eine Opferschicht (2.2) aufweist, die auf der Schutzschicht (2.11) angeordnet ist, wobei die Opferschicht (2.2) ein Material aufweist, das sich bei einer Temperatur zwischen 100° und 400°C zersetzt oder flüchtig wird.

公开(公告)号：DE102018128748A8

公开(公告)日：2020-07-16

申请号：DE102018128748

申请日：2018-11-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  MISCHITZ MARTIN ,  THION FABIEN ,  OTTO FREDERIK ,  CRAES FABIAN ,  EICHINGER BARBARA

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/301 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48

公开(公告)号：DE102018128748A1

公开(公告)日：2020-05-20

申请号：DE102018128748

申请日：2018-11-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  MISCHITZ MARTIN ,  THION FABIEN ,  OTTO FREDERIK ,  CRAES FABIAN ,  EICHINGER BARBARA

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48

Abstract: Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, die eine Pastenschicht umfasst, umfassend das Anbringen eines Substrats an einem Träger, wobei das Substrat eine Vielzahl von Halbleiterdies umfasst, das Aufbringen einer Schicht aus einer Paste auf das Substrat, das Strukturieren der Schicht über den Schneidbereichen des Substrats und das Schneiden des Substrats entlang der Schneidbereiche.

公开(公告)号：DE102014114104A1

公开(公告)日：2016-03-31

申请号：DE102014114104

申请日：2014-09-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OTTO FREDERIK ,  HEUCK NICOLAS

IPC: G01K11/06 ,  H01L23/62

Abstract: Ein Aspekt der Erfindung betrifft ein Halbleitermodul (100) mit einer Temperaturüberwachungseinrichtung (6). Diese weist eine erste Temperatur (T1) und dabei eine erste geometrische Form auf. Sie ist die derart ausgebildet dass sie, wenn sie auf eine zweite Temperatur (T2) erwärmt wird, die höher ist als die erste Temperatur (T1), bei der zweiten Temperatur (T2) eine von der ersten geometrischen Form verschiedene zweite geometrische Form annimmt, und wenn sie nach dem Erwärmen auf die zweite Temperatur (T2) auf eine dritte Temperatur (T3) abgekühlt wird, die geringer ist als die zweite Temperatur (T2), eine von der ersten geometrischen Form verschiedene dritte geometrische Form annimmt.