公开(公告)号：DE102009039106A1

公开(公告)日：2010-05-06

申请号：DE102009039106

申请日：2009-08-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BINDER BORIS ,  FOESTE BERND ,  KAUTZSCH THORALF ,  MEINHOLD DIRK ,  ROSAM BEN ,  THAMM ANDREAS

IPC: G01L9/12

公开(公告)号：DE102009055389B4

公开(公告)日：2014-11-20

申请号：DE102009055389

申请日：2009-12-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KAUTZSCH THORALF ,  BINDER BORIS ,  FOESTE BERND ,  MEINHOLD DIRK ,  ROSAM BEN ,  THAMM ANDREAS ,  WINKLER BERNHARD

IPC: G01P15/08 ,  G01P15/125

Abstract: Halbleiterbauelement (106), das folgende Merkmale aufweist: ein Halbleitersubstrat (108); ein Halbleitermasseelement (112), das konfiguriert ist, um sich ansprechend auf eine ausgeübte Beschleunigung zu bewegen, wobei das Masseelement (112) durch Gräben, die in das Halbleitersubstrat (108) geätzt sind, und einen Hohlraum (110, 140) unter dem Masseelement (112) definiert ist; ein Erfassungselement, das konfiguriert ist, um eine Bewegung des Masseelements (112) zu erfassen; und eine Komplementärmetalloxidhalbleiterschaltung (CMOS-Schaltung), die auf dem Substrat (108) gebildet ist, wobei der Hohlraum (110, 140) eine erste Seitenwand (126), die einer ersten Seitenwand (128) des Masseelements (112) gegenüberliegt, und eine zweite, an die erste Seitenwand (126) angrenzende Seitenwand (130), die einer zweiten Seitenwand des Masseelements (112) gegenüberliegt, umfasst, wobei die Seitenwände (126, 128, 130) des Hohlraums (110, 140) und des Masseelements (112) eine Dotierung mit einer ersten Polarität aufweisen, wobei ein Abschnitt (124) des Bodens des Hohlraums (110) zwischen den ersten Seitenwänden (126, 128) des Hohlraums (110, 140) und des Masseelements (112) und eine Ecke (122) zwischen der ersten und zweiten Seitenwand (126, 130) des Hohlraums (110, 140) eine Dotierung mit einer zweiten, der ersten Polarität entgegengesetzten Polarität aufweisen, um die erste und zweite Seitenwand (126, 130) des Hohlraums (110, 140) elektrisch zu isolieren, und wobei das Erfassungselement Elektroden zum kapazitiven Erfassen der Bewegung des Masseelements (112) und Verbindungen (118, 120) zum Koppeln mit der CMOS-Schaltung (104) umfasst, wobei die Elektroden durch die gegenüberliegenden, dotierten ersten Seitenwände (126, 128) des Hohlraums (110, 140) und des Masseelements (112) gebildet sind, wobei eine erste (118) der Verbindungen (118, 120) die erste Seitenwand (126) des Hohlraums (110, 140) mit der CMOS-Schaltung (104) koppelt, und wobei eine zweite (120) der Verbindungen (118, 120) die zweite Seitenwand des Masseelements (112) mit der CMOS-Schaltung (104) koppelt.

公开(公告)号：DE102009055389A1

公开(公告)日：2010-08-26

申请号：DE102009055389

申请日：2009-12-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KAUTZSCH THORALF ,  BINDER BORIS ,  FOESTE BERND ,  MEINHOLD DIRK ,  ROSAM BEN ,  THAMM ANDREAS ,  WINKLER BERNHARD

IPC: G01P15/08 ,  G01P15/125

Abstract: Ein Halbleiterbauelement umfasst ein Halbleitersubstrat und ein Halbleitermasseelement, das konfiguriert ist, um sich ansprechend auf eine ausgeübte Beschleunigung zu bewegen. Das Masseelement ist durch Gräben definiert, die in das Halbleitersubstrat geätzt sind und einen Hohlraum unter dem Masseelement. Das Halbleiterbauelement umfasst ein Erfassungselement, das konfiguriert ist, um eine Bewegung des Masseelements zu erfassen und eine Komplementdie auf dem Substrat gebildet ist.