公开(公告)号：DE102022102181A1

公开(公告)日：2022-08-11

申请号：DE102022102181

申请日：2022-01-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  ANANIEV SERGEY ,  BEHRENDT ANDREAS ,  DÖPKE HOLGER ,  SCHMALZBAUER UWE ,  SORGER MICHAEL ,  THURMER DOMINIC

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (100) enthält ein Halbleitersubstrat (102), das eine erste Hauptoberfläche (104) aufweist, und eine Metallstruktur (112) über der ersten Hauptoberfläche (104). Die Metallstruktur (112) weist ein Peripheriegebiet (116) auf, das einen Übergangsabschnitt (118) enthält, entlang dem die Metallstruktur (112) von einer ersten Dicke (T1) zu einer zweiten Dicke (T2) übergeht, die geringer als die erste Dicke (T1) ist. Ein polymerbasiertes Isoliermaterial (136) berührt das Peripheriegebiet (116) der Metallstruktur (112) und bedeckt zumindest dieses. Eine Dicke (T-poly) des polymerbasierten Isoliermaterials (136) beginnt auf einer ersten Hauptoberfläche (146) der Metallstruktur (112), die vom Halbleitersubstrat (102) abgewandt ist, zuzunehmen und nimmt in einer Richtung hin zum Übergangsabschnitt (118) weiter zu. Eine durchschnittliche Neigung einer Oberfläche (148) des polymerbasierten Isoliermaterials (136), die vom Halbleitersubstrat (102) abgewandt ist, ist wie in Bezug auf die erste Hauptoberfläche (146) der Metallstruktur (112) gemessen geringer als 60 Grad entlang dem Peripheriegebiet (116) der Metallstruktur (112).