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    Verfahren zur Erzeugung einer Kavität innerhalb eines Halbleitersubstrats
    3.
    发明专利
    Verfahren zur Erzeugung einer Kavität innerhalb eines Halbleitersubstrats 未知

    公开(公告)号：DE102012206531A1

    公开(公告)日：2013-10-17

    申请号：DE102012206531

    申请日：2012-04-20

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： SCHREIBER KAI-ALEXANDER ,  BEHRENDT ANDREAS ,  SGOURIDIS SOKRATIS ,  WINKLER BERNHARD ,  ZGAGA MARTIN

    IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  H01L21/265

    Abstract: Ein Verfahren zum Erzeugen zumindest einer Kavität innerhalb eines Halbleitersubstrats umfasst ein Trockenätzen des Halbleitersubstrats von einer Oberfläche des Halbleitersubstrats aus an zumindest einem beabsichtigten Kavitätsort um zumindest eine vorläufige Kavität zu erhalten. Das Verfahren umfasst auch ein Abscheiden eines Schutzmaterials hinsichtlich eines nachfolgenden Nassätzprozesses an der Oberfläche des Halbleitersubstrats und an Kavitätsoberflächen der zumindest einen vorläufigen Kavität. Weiterhin umfasst das Verfahren ein Entfernen des Schutzmaterials zumindest an einem Abschnitt eines Bodens der zumindest einen vorläufigen Kavität um das Halbleitersubstrat freizulegen. Es folgt ein elektrochemisches Ätzen des Halbleitersubstrats an dem freigelegten Abschnitt des Bodens der zumindest einen vorläufigen Kavität. Ein Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Sensorsystem, bei dem diese Art der Kavitätenbildung eingesetzt wird, ist ebenfalls offenbart. Ferner ist ein entsprechendes mikroelektromechanisches System (MEMS) offenbart.

    Verfahren zur Erzeugung einer Kavität innerhalb eines Halbleitersubstrats
    5.
    发明专利
    Verfahren zur Erzeugung einer Kavität innerhalb eines Halbleitersubstrats 未知

    公开(公告)号：DE102012206531B4

    公开(公告)日：2015-09-10

    申请号：DE102012206531

    申请日：2012-04-20

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： SCHREIBER KAI-ALEXANDER ,  BEHRENDT ANDREAS ,  SGOURIDIS SOKRATIS ,  WINKLER BERNHARD ,  ZGAGA MARTIN

    IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  H01L21/265

    Abstract: Verfahren zum Herstellen eines mikroelektromechanischen Systems mit folgenden Merkmalen: Bereitstellen eines dotierten Halbleitersubstrats mit einer ersten Oberfläche und einer der ersten Oberfläche gegenüber liegenden zweiten Oberfläche; Durchführen eines Lithographieprozesses und einer anschließenden Implantation zur Herstellung eines umdotierten Bereichs innerhalb des dotierten Halbleitersubstrats, wobei ein pn-Übergang bei einer Tiefe innerhalb des Halbleitersubstrats gebildet wird, wobei die Tiefe des pn-Übergangs eine gewünschte Tiefe eines Bodens zumindest einer zu bildenden Kavität bestimmt; Durchführen eines Strukturierungsprozesses zur Herstellung von mikroelektromechanischen Strukturen in dem Halbleitersubstrat und an der zweiten Oberfläche, wobei zumindest ein Teil der vorgesehenen mikroelektromechanischen Strukturen sich in den umdotierten Bereich erstreckt; Trockenätzen des Halbleitersubstrats von der ersten Oberfläche des Halbleitersubstrats aus an zumindest einem beabsichtigten Kavitätsort, um zumindest eine vorläufige Kavität zu erhalten, wobei das Trockenätzen gestoppt wird, bevor die gewünschte Tiefe der Kavität erreicht wird; Abscheiden eines Schutzmaterials hinsichtlich eines nachfolgenden elektrochemischen Ätzprozesses an der ersten Oberfläche des Halbleitersubstrats und an Kavitätsoberflächen der zumindest einen vorläufigen Kavität; Entfernen des Schutzmaterials zumindest an einem Abschnitt eines Bodens der zumindest einen vorläufigen Kavität um das Halbleitersubstrat freizulegen; und elektrochemisches Ätzen des Halbleitersubstrats an dem freigelegten Abschnitt des Bodens der zumindest einen vorläufigen Kavität bis zu dem pn-Übergang, so dass dieser als elektrochemischer Ätzstopp den Boden der zumindest einen Kavität bildet, so dass die zumindest eine Kavität an den Teil der mikroelektromechanischen Strukturen angrenzt, der sich in den umdotierten Bereich erstreckt.

    HALBLEITERVORRICHTUNG MIT POLYMERBASIERTEM ISOLIERMATERIAL UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG
    6.
    发明专利
    HALBLEITERVORRICHTUNG MIT POLYMERBASIERTEM ISOLIERMATERIAL UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG 未知

    公开(公告)号：DE102022102181A1

    公开(公告)日：2022-08-11

    申请号：DE102022102181

    申请日：2022-01-31

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  ANANIEV SERGEY ,  BEHRENDT ANDREAS ,  DÖPKE HOLGER ,  SCHMALZBAUER UWE ,  SORGER MICHAEL ,  THURMER DOMINIC

    IPC: H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

    Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (100) enthält ein Halbleitersubstrat (102), das eine erste Hauptoberfläche (104) aufweist, und eine Metallstruktur (112) über der ersten Hauptoberfläche (104). Die Metallstruktur (112) weist ein Peripheriegebiet (116) auf, das einen Übergangsabschnitt (118) enthält, entlang dem die Metallstruktur (112) von einer ersten Dicke (T1) zu einer zweiten Dicke (T2) übergeht, die geringer als die erste Dicke (T1) ist. Ein polymerbasiertes Isoliermaterial (136) berührt das Peripheriegebiet (116) der Metallstruktur (112) und bedeckt zumindest dieses. Eine Dicke (T-poly) des polymerbasierten Isoliermaterials (136) beginnt auf einer ersten Hauptoberfläche (146) der Metallstruktur (112), die vom Halbleitersubstrat (102) abgewandt ist, zuzunehmen und nimmt in einer Richtung hin zum Übergangsabschnitt (118) weiter zu. Eine durchschnittliche Neigung einer Oberfläche (148) des polymerbasierten Isoliermaterials (136), die vom Halbleitersubstrat (102) abgewandt ist, ist wie in Bezug auf die erste Hauptoberfläche (146) der Metallstruktur (112) gemessen geringer als 60 Grad entlang dem Peripheriegebiet (116) der Metallstruktur (112).

    Aufbringen von Photolack
    7.
    发明专利
    Aufbringen von Photolack 未知

    公开(公告)号：DE102014103557B4

    公开(公告)日：2020-12-10

    申请号：DE102014103557

    申请日：2014-03-14

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BEHRENDT ANDREAS ,  WALTER THOMAS

    IPC: G03F7/26 ,  H01L21/027

    Abstract: Vorrichtung, umfassend:einen Substratträger (27);eine Photolackaufbringvorrichtung (21), die eingerichtet ist, einen Photolack auf ein Substrat (210) auf dem Substratträger (27) aufzubringen;eine Trocknungsvorrichtung (23; 30), die eingerichtet ist, mindestens einige Bereiche des Photolacks auf dem Substrat (210) zu trocknen, während das Substrat (210) sich auf dem Substratträger (27) befindet; undeine Greifvorrichtung (26), die eingerichtet ist, ein Entfernen des Substrats (210) von dem Substratträger (27) nach dem Trocknen durchzuführen, wobei die Greifvorrichtung (26) an Angriffsbereichen der mindestens einigen Bereiche an das Substrat greift, während getrockneter Photolack an den Angriffsbereichen verbleibt.

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