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    HALBLEITERVORRICHTUNG MIT POLYMERBASIERTEM ISOLIERMATERIAL UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG
    2.
    发明专利
    HALBLEITERVORRICHTUNG MIT POLYMERBASIERTEM ISOLIERMATERIAL UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG 未知

    公开(公告)号：DE102022102181A1

    公开(公告)日：2022-08-11

    申请号：DE102022102181

    申请日：2022-01-31

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  ANANIEV SERGEY ,  BEHRENDT ANDREAS ,  DÖPKE HOLGER ,  SCHMALZBAUER UWE ,  SORGER MICHAEL ,  THURMER DOMINIC

    IPC: H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

    Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (100) enthält ein Halbleitersubstrat (102), das eine erste Hauptoberfläche (104) aufweist, und eine Metallstruktur (112) über der ersten Hauptoberfläche (104). Die Metallstruktur (112) weist ein Peripheriegebiet (116) auf, das einen Übergangsabschnitt (118) enthält, entlang dem die Metallstruktur (112) von einer ersten Dicke (T1) zu einer zweiten Dicke (T2) übergeht, die geringer als die erste Dicke (T1) ist. Ein polymerbasiertes Isoliermaterial (136) berührt das Peripheriegebiet (116) der Metallstruktur (112) und bedeckt zumindest dieses. Eine Dicke (T-poly) des polymerbasierten Isoliermaterials (136) beginnt auf einer ersten Hauptoberfläche (146) der Metallstruktur (112), die vom Halbleitersubstrat (102) abgewandt ist, zuzunehmen und nimmt in einer Richtung hin zum Übergangsabschnitt (118) weiter zu. Eine durchschnittliche Neigung einer Oberfläche (148) des polymerbasierten Isoliermaterials (136), die vom Halbleitersubstrat (102) abgewandt ist, ist wie in Bezug auf die erste Hauptoberfläche (146) der Metallstruktur (112) gemessen geringer als 60 Grad entlang dem Peripheriegebiet (116) der Metallstruktur (112).

    Verfahren zum Herstellen einer Batterie, Batterie und integrierte Schaltung
    3.
    发明专利
    Verfahren zum Herstellen einer Batterie, Batterie und integrierte Schaltung 未知

    公开(公告)号：DE102015111498A1

    公开(公告)日：2017-01-19

    申请号：DE102015111498

    申请日：2015-07-15

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： JANSKI RAFAEL ,  KRÄUTER SUSANNE ,  SORGER MICHAEL ,  KARLOVSKY KAMIL

    IPC: H01M10/0585 ,  H01L21/82 ,  H01L27/06 ,  H01M10/0525

    Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen einer Batterie (2) weist ein Definieren eines aktiven Bereichs (107) und einer Bondingzone (108) in einer ersten Hauptoberfläche (110) eines ersten Halbleitersubstrats (100), ein Ausbilden eines ersten Grabens (104) in der Bondingzone (108), ein Ausbilden einer Anode (11) am ersten Halbleitersubstrat (100) in dem aktiven Bereich (107) und ein Ausbilden einer Kathode (12) an einem ein isolierendes Material aufweisenden Träger (150, 550, 750, 820, 900) auf. Das Verfahren weist überdies ein Stapeln des ersten Halbleitersubstrats (100) und des Trägers (150, 550, 750, 820, 900), so dass die erste Hauptoberfläche (110) des ersten Halbleitersubstrats (100) auf einer einer ersten Hauptoberfläche (153) des Trägers (150, 550, 750, 820, 900) benachbarten Seite angeordnet ist, wobei ein Hohlraum (130) zwischen dem ersten Halbleitersubstrat (100) und dem Träger (150, 550, 750, 820, 900) ausgebildet wird, und ein Bilden eines Elektrolyten (230) im Hohlraum (130) auf.

    Verfahren zum Prozessieren eines Substrats
    5.
    发明专利
    Verfahren zum Prozessieren eines Substrats 未知

    公开(公告)号：DE102011053390A1

    公开(公告)日：2012-05-31

    申请号：DE102011053390

    申请日：2011-09-08

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： ORTNER JOERG ,  SORGER MICHAEL

    IPC: H01L21/304 ,  H05K1/02

    Abstract: Bei einem Verfahren zum Prozessieren eines Substrats gemäß einer Ausführungsform kann ein Graben in dem Substrat gebildet werden; Prägematerial kann zumindest in den Graben abgeschieden werden; das Prägematerial in dem Graben kann geprägt werden unter Verwendung einer Stempelvorrichtung; und die Stempelvorrichtung kann aus dem Graben entfernt werden.

    Halbleiterbauelemente und ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements
    6.
    发明专利
    Halbleiterbauelemente und ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements 未知

    公开(公告)号：DE102015121563A1

    公开(公告)日：2017-06-14

    申请号：DE102015121563

    申请日：2015-12-10

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  OSTERMANN THOMAS ,  SORGER MICHAEL

    IPC: H01L29/423 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

    Abstract: Ein Halbleiterbauelement umfasst eine Mehrzahl von Gräben, die sich in ein Halbleitersubstrat erstrecken. Jeder Graben umfasst eine Mehrzahl von Regionen vergrößerter Breite, die entlang des Grabens verteilt sind. Zumindest eine elektrisch leitfähige Grabenstruktur befindet sich in jedem Graben. Das Halbleiterbauelement umfasst eine elektrisch isolierende Schicht, die zwischen dem Halbleitersubstrat und einer Elektrodenstruktur angeordnet ist. Das Halbleiterbauelement umfasst eine vertikale elektrisch leitfähige Struktur, die sich durch die elektrisch isolierende Schicht erstreckt. Die vertikale elektrisch leitfähige Struktur bildet eine elektrische Verbindung zwischen der Elektrodenstruktur und einer elektrisch leitfähigen Grabenstruktur, die sich in einem ersten Graben befindet, an einer ersten vergrößerten Breitenregion. Die elektrisch isolierende Schicht ist zwischen einer zweiten vergrößerten Breitenregion aus der Mehrzahl von Regionen vergrößerter Breite des ersten Grabens und einer Elektrodenstruktur über der zweiten vergrößerten Breitenregion ohne jegliche vertikale elektrische Verbindungen durch die elektrisch isolierende Schicht an der zweiten vergrößerten Breitenregion angeordnet.

    Verfahren zum Prozessieren eines Substrats
    10.
    发明专利
    Verfahren zum Prozessieren eines Substrats 未知

    公开(公告)号：DE102011053390B4

    公开(公告)日：2014-07-24

    申请号：DE102011053390

    申请日：2011-09-08

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： ORTNER JOERG ,  SORGER MICHAEL

    IPC: H01L21/304 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3205 ,  H05K1/02

    Abstract: Verfahren zum Prozessieren eines Substrats, aufweisend: Bilden eines Grabens in dem Substrat; Abscheiden von Prägematerial zumindest in den Graben; Prägen des Prägematerials in dem Graben unter Verwendung einer Stempelvorrichtung; Entfernen der Stempelvorrichtung aus dem Graben; Abscheiden von Füllmaterial zumindest in den Graben nach dem Entfernen der Stempelvorrichtung; und Entfernen des Prägematerials aus dem Graben nach dem Abscheiden des Füllmaterials, wobei das Füllmaterial während des Entfernens des Prägematerials in dem Graben verbleibt.

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