公开(公告)号：DE102012019782A1

公开(公告)日：2014-04-10

申请号：DE102012019782

申请日：2012-10-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： VOGL ERWIN JOHANN ,  ZUNDEL MARKUS ,  WINKLER MARKUS

IPC: H01L23/482 ,  H01L21/28 ,  H01L21/60 ,  H01L23/49

Abstract: Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Elektrisches Kontakt-Pad, wobei das Elektrische Kontakt-Pad in wenigstens zwei elektrisch voneinander getrennte Bereiche unterteilt ist.

公开(公告)号：DE102012222651B4

公开(公告)日：2019-08-29

申请号：DE102012222651

申请日：2012-12-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HIRLER FRANZ ,  RIEGER WALTER ,  SCHMALZBAUER UWE ,  VOGL ERWIN JOHANN ,  ZELSACHER RUDOLF ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L23/535 ,  H01L21/283 ,  H01L21/768 ,  H01L29/78

Abstract: Verkrallungsstruktur für ein Bauelement (1600), das ein Zellenfeld (1620) aufweist und auf einem Substrat (1610) ausgebildet ist, wobei die Verkrallungsstruktur Folgendes aufweist:eine Zwischen-Isolationsschicht (1660), die so strukturiert ist, dass eine Zwischen-Isolationsschicht (1660) durch mindestens ein Kontaktloch (1662a/b) unterbrochen ist;eine Metallstruktur (1650) auf der Zwischen-Isolationsschicht; undeine Trägerstruktur (1665a, 1665b), die Polysilizium (1665a, 1665b) aufweist und in einer in dem Substrat (1610) ausgebildeten Ausnehmung (1612a, 1612b) eingebettet ist, die auf das Kontaktloch (1662a/b) ausgerichtet ist, wobei die Trägerstruktur (1665a, 1665b) nicht Teil des Zellenfeldes (1620) ist,wobei sich die Metallstruktur (1650) durch das Kontaktloch (1662a/b) zu der Trägerstruktur (1665a, 1665b) erstreckt, mit der die Metallstruktur (1650) in einer Ebene einer Oberfläche des Substrats (1610) haftend verbunden ist.

公开(公告)号：DE102012222651A1

公开(公告)日：2013-06-13

申请号：DE102012222651

申请日：2012-12-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HIRLER FRANZ ,  RIEGER WALTER ,  SCHMALZBAUER UWE ,  VOGL ERWIN JOHANN ,  ZELSACHER RUDOLF ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/283 ,  H01L21/768 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: Eine Verankerungsstruktur für eine Metallstruktur eines Halbleiterbauelements umfasst eine Verankerungsausnehmungsstruktur mit wenigstens einer überhängenden Seitenwand, wobei die Metallstruktur wenigstens teilweise in der Verankerungssausnehmungsstruktur angeordnet ist.