公开(公告)号：DE102014116082A8

公开(公告)日：2016-06-23

申请号：DE102014116082

申请日：2014-11-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HENNECK STEPHAN ,  KRIVEC STEFAN ,  MATOY KURT ,  WEILNBÖCK FLORIAN ,  AHLERS DIRK ,  GASSER KARL-HEINZ ,  FISCHER PETRA ,  FASTNER ULRIKE

IPC: H01L23/482 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  H01L29/45

公开(公告)号：DE102014116082A1

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：DE102014116082

申请日：2014-11-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HENNECK STEPHAN ,  KRIVEC STEFAN ,  MATOY KURT ,  WEILNBÖCK FLORIAN ,  AHLERS DIRK ,  GASSER KARL-HEINZ ,  FISCHER PETRA ,  FASTNER ULRIKE

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/482 ,  H01L23/488 ,  H01L29/45

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung weist einen Halbleiterchip mit einer ersten Hauptoberfläche und einer zweiten Hauptoberfläche auf. Eine Chipelektrode ist auf der ersten Hauptoberfläche angeordnet. Die Chipelektrode weist eine erste Metallschicht, die ein erstes Metallmaterial, das aus der Gruppe bestehend aus W, Cr, Ta, Ti und Metalllegierungen von W, Cr, Ta, Ti ausgewählt ist, umfasst, auf. Die Chipelektrode weist ferner eine zweite Metallschicht, die ein zweites Metallmaterial, das aus der Gruppe bestehend aus Cu und einer Cu-Legierung ausgewählt ist, umfasst, auf, wobei die erste Metallschicht zwischen dem Halbleiterchip und der zweiten Metallschicht angeordnet ist.