公开(公告)号：DE102014116082A8

公开(公告)日：2016-06-23

申请号：DE102014116082

申请日：2014-11-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HENNECK STEPHAN ,  KRIVEC STEFAN ,  MATOY KURT ,  WEILNBÖCK FLORIAN ,  AHLERS DIRK ,  GASSER KARL-HEINZ ,  FISCHER PETRA ,  FASTNER ULRIKE

IPC: H01L23/482 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  H01L29/45

公开(公告)号：DE102014116082A1

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：DE102014116082

申请日：2014-11-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HENNECK STEPHAN ,  KRIVEC STEFAN ,  MATOY KURT ,  WEILNBÖCK FLORIAN ,  AHLERS DIRK ,  GASSER KARL-HEINZ ,  FISCHER PETRA ,  FASTNER ULRIKE

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/482 ,  H01L23/488 ,  H01L29/45

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung weist einen Halbleiterchip mit einer ersten Hauptoberfläche und einer zweiten Hauptoberfläche auf. Eine Chipelektrode ist auf der ersten Hauptoberfläche angeordnet. Die Chipelektrode weist eine erste Metallschicht, die ein erstes Metallmaterial, das aus der Gruppe bestehend aus W, Cr, Ta, Ti und Metalllegierungen von W, Cr, Ta, Ti ausgewählt ist, umfasst, auf. Die Chipelektrode weist ferner eine zweite Metallschicht, die ein zweites Metallmaterial, das aus der Gruppe bestehend aus Cu und einer Cu-Legierung ausgewählt ist, umfasst, auf, wobei die erste Metallschicht zwischen dem Halbleiterchip und der zweiten Metallschicht angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102015107041A1

公开(公告)日：2015-11-12

申请号：DE102015107041

申请日：2015-05-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FAISS SIMON ,  HENNECK STEPHAN ,  NAPETSCHNIG EVELYN ,  NIKITIN IVAN ,  PEDONE DANIEL ,  WEIDGANS BERNHARD

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/60 ,  H01L23/482

Abstract: Ein Verfahren (200) zum Bearbeiten eines Halbleiterbauelements gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann aufweisen: Abscheiden einer ersten Metallisierungsschicht über einem Halbleiterwerkstück (202); Strukturieren der ersten Metallisierungsschicht (204); und Abscheiden einer zweiten Metallisierungsschicht über der strukturierten ersten Metallisierungsschicht, wobei das Abscheiden der zweiten Metallisierungsschicht einen stromlosen Abscheidungsprozess aufweist, der ein Eintauchen der strukturierten ersten Metallisierungsschicht in einen Metallelektrolyt aufweist (206).

公开(公告)号：DE102013101935B4

公开(公告)日：2022-05-12

申请号：DE102013101935

申请日：2013-02-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ENGL REIMUND ,  HENNECK STEPHAN ,  MAIS NORBERT ,  MEINHOLD DIRK ,  TIMME HANS-JÖRG ,  URBANSKY NORBERT ,  VATER ALFRED

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/31 ,  H01L23/482 ,  H01L23/52

Abstract: Halbleiterbauelement, das Folgendes aufweist:• eine Metallatome aufweisende Metallleitung (230), über einem Substrat (10) angeordnet, wobei ein Abschnitt einer oberen Oberfläche der Metallleitung (230) einen Kontaktbereich (271, 272) aufweist; und• eine die Metallatome aufweisende Schutzschicht (270), auf dem Kontaktbereich (271, 272) angeordnet, wobei die Schutzschicht (270) ein anderes Material als die Metallleitung (230) ist und die Metallleitung (230) teilweise abdeckt, so dass ein Abschnitt der Metallleitung (230) frei ist von der Schutzschicht (270);• eine Passivierungsschicht (240), auf der Metallleitung (230) angeordnet, wobei die Passivierungsschicht (240) eine Öffnung über dem Kontaktbereich (271, 272) aufweist, welche die Schutzschicht (270) teilweise freilegt; und• wobei die Passivierungsschicht den Abschnitt der Metallleitung (230) abdeckt.

公开(公告)号：DE102013101935A1

公开(公告)日：2013-09-05

申请号：DE102013101935

申请日：2013-02-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ENGL REIMUND ,  HENNECK STEPHAN ,  MAIS NORBERT ,  MEINHOLD DIRK ,  TIMME HANS-JOERG ,  URBANSKY NORBERT ,  VATER ALFRED

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/31 ,  H01L23/482 ,  H01L23/52

Abstract: Bei einer Ausführungsform beinhaltet ein Verfahren zum Ausbilden eines Halbleiterbauelements das Ausbilden einer Metallleitung (230) über einem Substrat (10) und Abscheiden einer legierenden Materialschicht über einer oberen Oberfläche der Metallleitung (230). Das Verfahren beinhaltet weiterhin das Ausbilden einer Schutzschicht (270) durch Kombinieren der legierenden Materialschicht mit der Metallleitung (230).