公开(公告)号：DE102018124497A1

公开(公告)日：2020-04-09

申请号：DE102018124497

申请日：2018-10-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BEYER STEFAN ,  BODEA MARIUS AUREL ,  WONG JIA YI

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/48

Abstract: Es wird eine Halbleitervorrichtung bereitgestellt. Die Halbleitervorrichtung kann Folgendes beinhalten: ein Halbleitersubstrat, das einen aktiven Bereich beinhaltet, eine Metallschichtstruktur über dem aktiven Bereich, wobei die Metallschichtstruktur dazu konfiguriert ist, einen elektrischen Kontakt zu bilden, wobei die Metallschichtstruktur Folgendes beinhaltet: einen Lötbereich, einen Pufferbereich, und einen Barrierebereich zwischen dem Lötbereich und dem Pufferbereich, wobei die Metallschichtstruktur in dem Barrierebereich weiter von dem aktiven Bereich entfernt ist als in dem Lötbereich und in dem Pufferbereich, und wobei sich sowohl der Lötbereich als auch der Pufferbereich in direktem Kontakt mit dem aktiven Bereich oder mit einer Verdrahtungsschichtstruktur, die zwischen dem aktiven Bereich und der Metallschichtstruktur angeordnet ist, befindet.

公开(公告)号：DE102020120529A1

公开(公告)日：2021-02-11

申请号：DE102020120529

申请日：2020-08-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： TEAN KE YAN ,  HIEW MEI FEN ,  WONG JIA YI

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/495

Abstract: Ein Clip für ein Halbleitergehäuse umfasst einen ersten und einen zweiten Abschnitt. Der erste Abschnitt enthält eine erste Oberfläche, eine zweite Oberfläche, die der ersten Oberfläche gegenüberliegt und so konfiguriert ist, dass sie eine erste elektrisch leitende Komponente kontaktiert, und einen abgestuften Bereich zwischen der ersten Oberfläche und der zweiten Oberfläche, so dass die zweite Oberfläche eine kleinere Fläche als die erste Oberfläche hat. Der zweite Abschnitt ist mit dem ersten Abschnitt gekoppelt und so konfiguriert, dass er eine zweite elektrisch leitende Komponente kontaktiert. Der zweite Abschnitt enthält eine dritte Oberfläche, die mit der ersten Oberfläche ausgerichtet ist.

公开(公告)号：DE102017209904A1

公开(公告)日：2018-12-13

申请号：DE102017209904

申请日：2017-06-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WONG JIA YI ,  HO KAR MENG

IPC: H01L23/495 ,  H01L21/60

Abstract: Ein elektronisches Bauelement enthält einen Halbleiterchip und einen Leadframe. Der Leadframe enthält eine erste Klasse von Anschlüssen und eine zweite Klasse von Anschlüssen. Die Anschlüsse der zweiten Klasse von Anschlüssen sind dünner als die Anschlüsse der ersten Klasse von Anschlüssen.

公开(公告)号：DE102018124497B4

公开(公告)日：2022-06-30

申请号：DE102018124497

申请日：2018-10-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BEYER STEFAN ,  BODEA MARIUS AUREL ,  WONG JIA YI

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/48

Abstract: Halbleitervorrichtung (200), die Folgendes umfasst:ein Halbleitersubstrat (234), das einen aktiven Bereich (226) umfasst;eine Metallschichtstruktur (108) über dem aktiven Bereich (226), wobei die Metallschichtstruktur (108) dazu konfiguriert ist, einen elektrischen Kontakt zu bilden,wobei die Metallschichtstruktur (108) Folgendes umfasst:einen Lötbereich (230),einen Pufferbereich (232),einen Barrierebereich (220) zwischen dem Lötbereich (230) und dem Pufferbereich (232),wobei die Metallschichtstruktur (108) in dem Barrierebereich (220) über einer Barrierebasisstruktur (228), die ein dielektrisches Material umfasst oder daraus besteht, angeordnet ist, undeine Passivierungsschicht (224), die gleichzeitig mit der Barrierebasisstruktur (228) über dem Halbleitersubstrat (234) außerhalb des aktiven Bereichs (226) gebildet ist,wobei ein Material der Passivierungsschicht (224) das gleiche wie das dielektrische Material der Barrierebasisstruktur (228) ist,wobei die Metallschichtstruktur (108) in dem Barrierebereich (220) weiter von dem aktiven Bereich (226) entfernt ist als in dem Lötbereich (230) und in dem Pufferbereich (232);wobei sich sowohl der Lötbereich (230) als auch der Pufferbereich (232) in direktem Kontakt mit dem aktiven Bereich (226) oder mit einer Verdrahtungsschichtstruktur (236), die zwischen dem aktiven Bereich (226) und der Metallschichtstruktur (108) angeordnet ist, befindet.

公开(公告)号：DE102018112498A1

公开(公告)日：2018-11-29

申请号：DE102018112498

申请日：2018-05-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： CHEN LIU ,  DELAROZEE GILLES ,  KOO WEI HAN ,  LEE TECK SIM ,  STOEK THOMAS ,  WONG JIA YI

IPC: H01L23/36 ,  H01L23/488 ,  H01L25/07

Abstract: Eine Halbleiter-Chip-Baugruppe umfasst einen elektrisch leitfähigen Träger und einen Halbleiter-Chip, der über dem elektrisch leitfähigen Träger angeordnet ist. Der Halbleiter-Chip weist eine erste Oberfläche, die dem elektrisch leitfähigen Träger zugewendet ist, und eine zweite Oberfläche, die zu der ersten Oberfläche entgegengesetzt ist, auf. Eine Metallplatte weist eine erste Oberfläche, die mit der zweiten Oberfläche des Halbleiter-Chips mechanisch verbunden ist, und eine zweite Oberfläche, die zu der ersten Oberfläche der Metallplatte entgegengesetzt ist, auf. Die Metallplatte überlappt die zweite Oberfläche des Halbleiter-Chips vollständig. Die zweite Oberfläche der Metallplatte ist an einem Umfang der Halbleiter-Chip-Baugruppe zumindest teilweise freiliegend.