公开(公告)号：DE102020123400A1

公开(公告)日：2021-04-01

申请号：DE102020123400

申请日：2020-09-08

Applicant: INTEL CORP

Inventor： VREELAND RICHARD ,  CARVER COLIN ,  BREZINSKI WILLIAM ,  CHRISTENSON MICHAEL ,  KABIR NAFEES

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: Verbund-Integrierter-Schaltkreis(IC)-Vorrichtungsstrukturen, die zwei Komponenten beinhalten, die durch eine hybride gebondete Zwischenverbindungsstruktur gekoppelt sind. Die zwei Komponenten können zwei unterschiedliche monolithische IC-Strukturen (z. B. Chips) sein, die über eine im Wesentlichen planare Dielektrikum-und-Metall-Schicht gebondet sind. Eine Oberfläche eines Metallisierungsmerkmals kann mit zusätzlichem Metall erweitert werden, zum Beispiel um eine Vertiefung in einer Oberfläche des Metallisierungsmerkmals wenigstens teilweise aufzufüllen, die durch einen Planarisierungsprozess hinterlassen wird. Bei manchen Ausführungsbeispielen wird zusätzliches Metall durch einen autokatalytischen (stromlosen) Metallabscheidungsprozess selektiv auf ein Metallisierungsmerkmal abgeschieden. Eine Oberfläche eines dielektrischen Materials, das ein Metallisierungsmerkmal umgibt, kann auch vertieft werden, zum Beispiel um eine Vertiefung in einem angrenzenden Metallisierungsmerkmal wenigstens teilweise zu neutralisieren, die aus einem Planarisierungsprozess resultiert.

公开(公告)号：DE102021126158A1

公开(公告)日：2022-05-05

申请号：DE102021126158

申请日：2021-10-08

Applicant: INTEL CORP

Inventor： LIN KEVIN ,  SATO NORIYUKI ,  TRONIC TRISTAN ,  CHRISTENSON MICHAEL ,  JEZEWSKI CHRISTOPHER ,  CHEN JIUN-RUEY ,  BLACKWELL JAMES ,  METZ MATTHEW V ,  RESHOTKO MIRIAM R ,  KABIR NAFEES ,  BIELEFELD JEFFERY ,  CHANDHOK MANISH ,  YOO HUI JAE ,  KARPOV ELIJAH V ,  NAYLOR CARL ,  CHEBIAM RAMANAN

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768

Abstract: IC-Verbindungsstrukturen mit subtraktiv strukturierten Merkmalen. Die Enden von Merkmalen können durch mehrfache Strukturierung mehrerer Abdeckungsmaterialien definiert werden, um Fehlausrichtungen zu reduzieren. Subtraktiv strukturierte Merkmale können Leitungen sein, die mit Damaszener-Vias oder mit subtraktiv strukturieren Vias integriert sind, oder sie können Vias sein, die mit Damaszener-Leitungen oder mit subtraktiv strukturierten Leitungen integriert sind. Subtraktiv strukturierte Vias können als Teil einer ebenen Metallschicht abgeschieden werden und sind derzeit mit Verbindungsleitungen definiert. Subtraktiv strukturierte Merkmale können in Luftzwischenraum-Isolationsstrukturen integriert werden. Subtraktiv strukturierte Merkmale können ein Barrierematerial an der Unterseite, der Oberseite oder den Seitenwänden umfassen. Eine untere Barriere subtraktiv strukturierter Merkmale kann mit einer flächenselektiven Technik so abgeschieden werden, dass sie sich nicht von einem darunter liegenden Verbindungsmerkmal abhebt. Eine Barriere eines subtraktiv strukturierten Merkmals kann Graphen oder ein Chalkogenid eines Metalls in dem Merkmal oder in einer Keimschicht umfassen.