公开(公告)号：DE102020102814A1

公开(公告)日：2020-08-13

申请号：DE102020102814

申请日：2020-02-04

Applicant: INTEL CORP

Inventor： LILAK AARON D ,  MANNEBACH EHREN ,  PHAN ANH ,  SCHENKER RICHARD ,  BOJARSKI STEPHANIE A ,  RACHMADY WILLY ,  MORROW PATRICK ,  BIELEFELD JEFFERY ,  DEWEY GILBERT ,  YOO HUI JAE ,  KABIR NAFEES

IPC: H01L23/535 ,  H01L21/768 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78

Abstract: Bei einigen Ausführungsbeispielen wird eine Halbleiterbauelementstruktur durch Verwendung eines winkligen Ätzens gebildet, um Material zu entfernen, um einen Abschnitt eines benachbarten Leiters freizulegen. Der beim Entfernen des Materials gebildete Raum kann dann während der Bildung eines Kontaktes oder einer anderen leitfähigen Struktur (z.B. und Zwischenverbindung) mit einem leitfähigen Material gefüllt werden. Auf diese Weise füllt die Kontaktbildung auch den Raum, um einen winkligen lokalen Zwischenverbindungs-Abschnitt zu bilden, der benachbarte Strukturen verbindet (z.B. einen Source-/Drain-Kontakt mit einem benachbarten Source-/Drain-Kontakt, einen Source-/Drain-Kontakt mit einem benachbarten Gate-Kontakt, einen Source-/Drain-Kontakt mit einem benachbarten Leiter auf Bauelementebene, der ebenfalls mit einem Gate-/Source-/Drain-Kontakt verbunden ist). Bei anderen Ausführungsbeispielen stellt eine Zwischenverbindungsstruktur, die hierin als ein „Jogged-Via“ bezeichnet wird, eine elektrische Verbindung von lateral benachbarten peripheren Oberflächen leitfähiger Strukturen her, die nicht koaxial oder konzentrisch zueinander ausgerichtet sind.

公开(公告)号：DE102020121487A1

公开(公告)日：2021-04-01

申请号：DE102020121487

申请日：2020-08-17

Applicant: INTEL CORP

Inventor： CHANDHOK MANISH ,  CHEBIAM RAMANAN ,  MUELLER BRENNEN ,  CARVER COLIN ,  BIELEFELD JEFFERY ,  KABIR NAFEES ,  VREELAND RICHARD ,  BREZINSKI WILLIAM

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L21/98 ,  H01L25/16

Abstract: Eine Integrierter-Schaltkreis-Zwischenverbindungsstruktur beinhaltet eine erste Zwischenverbindung in einer ersten Metallisierungsebene und ein erstes Dielektrikum angrenzend an wenigstens einen Teil der ersten Zwischenverbindung, wobei das erste Dielektrikum einen ersten Kohlenstoffanteil aufweist. Die Integrierter-Schaltkreis-Zwischenverbindungsstruktur beinhaltet ferner eine zweite Zwischenverbindung in einer zweiten Metallisierungsebene oberhalb der ersten Metallisierungsebene. Die zweite Zwischenverbindung beinhaltet eine unterste Oberfläche in Kontakt mit wenigstens einem Teil einer obersten Oberfläche der ersten Zwischenverbindung. Ein zweites Dielektrikum mit einem zweiten Kohlenstoffanteil grenzt an wenigstens einen Teil der zweiten Zwischenverbindung und das erste Dielektrikum an. Die erste Kohlenstoffkonzentration nimmt mit einer Entfernung von der untersten Oberfläche der zweiten Zwischenverbindung weg zu und die zweite Kohlenstoffkonzentration nimmt mit einer Entfernung von der obersten Oberfläche der ersten Zwischenverbindung weg zu.

公开(公告)号：DE102021126158A1

公开(公告)日：2022-05-05

申请号：DE102021126158

申请日：2021-10-08

Applicant: INTEL CORP

Inventor： LIN KEVIN ,  SATO NORIYUKI ,  TRONIC TRISTAN ,  CHRISTENSON MICHAEL ,  JEZEWSKI CHRISTOPHER ,  CHEN JIUN-RUEY ,  BLACKWELL JAMES ,  METZ MATTHEW V ,  RESHOTKO MIRIAM R ,  KABIR NAFEES ,  BIELEFELD JEFFERY ,  CHANDHOK MANISH ,  YOO HUI JAE ,  KARPOV ELIJAH V ,  NAYLOR CARL ,  CHEBIAM RAMANAN

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768

Abstract: IC-Verbindungsstrukturen mit subtraktiv strukturierten Merkmalen. Die Enden von Merkmalen können durch mehrfache Strukturierung mehrerer Abdeckungsmaterialien definiert werden, um Fehlausrichtungen zu reduzieren. Subtraktiv strukturierte Merkmale können Leitungen sein, die mit Damaszener-Vias oder mit subtraktiv strukturieren Vias integriert sind, oder sie können Vias sein, die mit Damaszener-Leitungen oder mit subtraktiv strukturierten Leitungen integriert sind. Subtraktiv strukturierte Vias können als Teil einer ebenen Metallschicht abgeschieden werden und sind derzeit mit Verbindungsleitungen definiert. Subtraktiv strukturierte Merkmale können in Luftzwischenraum-Isolationsstrukturen integriert werden. Subtraktiv strukturierte Merkmale können ein Barrierematerial an der Unterseite, der Oberseite oder den Seitenwänden umfassen. Eine untere Barriere subtraktiv strukturierter Merkmale kann mit einer flächenselektiven Technik so abgeschieden werden, dass sie sich nicht von einem darunter liegenden Verbindungsmerkmal abhebt. Eine Barriere eines subtraktiv strukturierten Merkmals kann Graphen oder ein Chalkogenid eines Metalls in dem Merkmal oder in einer Keimschicht umfassen.