公开(公告)号：DE102020123400A1

公开(公告)日：2021-04-01

申请号：DE102020123400

申请日：2020-09-08

Applicant: INTEL CORP

Inventor： VREELAND RICHARD ,  CARVER COLIN ,  BREZINSKI WILLIAM ,  CHRISTENSON MICHAEL ,  KABIR NAFEES

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: Verbund-Integrierter-Schaltkreis(IC)-Vorrichtungsstrukturen, die zwei Komponenten beinhalten, die durch eine hybride gebondete Zwischenverbindungsstruktur gekoppelt sind. Die zwei Komponenten können zwei unterschiedliche monolithische IC-Strukturen (z. B. Chips) sein, die über eine im Wesentlichen planare Dielektrikum-und-Metall-Schicht gebondet sind. Eine Oberfläche eines Metallisierungsmerkmals kann mit zusätzlichem Metall erweitert werden, zum Beispiel um eine Vertiefung in einer Oberfläche des Metallisierungsmerkmals wenigstens teilweise aufzufüllen, die durch einen Planarisierungsprozess hinterlassen wird. Bei manchen Ausführungsbeispielen wird zusätzliches Metall durch einen autokatalytischen (stromlosen) Metallabscheidungsprozess selektiv auf ein Metallisierungsmerkmal abgeschieden. Eine Oberfläche eines dielektrischen Materials, das ein Metallisierungsmerkmal umgibt, kann auch vertieft werden, zum Beispiel um eine Vertiefung in einem angrenzenden Metallisierungsmerkmal wenigstens teilweise zu neutralisieren, die aus einem Planarisierungsprozess resultiert.

公开(公告)号：DE102020102814A1

公开(公告)日：2020-08-13

申请号：DE102020102814

申请日：2020-02-04

Applicant: INTEL CORP

Inventor： LILAK AARON D ,  MANNEBACH EHREN ,  PHAN ANH ,  SCHENKER RICHARD ,  BOJARSKI STEPHANIE A ,  RACHMADY WILLY ,  MORROW PATRICK ,  BIELEFELD JEFFERY ,  DEWEY GILBERT ,  YOO HUI JAE ,  KABIR NAFEES

IPC: H01L23/535 ,  H01L21/768 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78

Abstract: Bei einigen Ausführungsbeispielen wird eine Halbleiterbauelementstruktur durch Verwendung eines winkligen Ätzens gebildet, um Material zu entfernen, um einen Abschnitt eines benachbarten Leiters freizulegen. Der beim Entfernen des Materials gebildete Raum kann dann während der Bildung eines Kontaktes oder einer anderen leitfähigen Struktur (z.B. und Zwischenverbindung) mit einem leitfähigen Material gefüllt werden. Auf diese Weise füllt die Kontaktbildung auch den Raum, um einen winkligen lokalen Zwischenverbindungs-Abschnitt zu bilden, der benachbarte Strukturen verbindet (z.B. einen Source-/Drain-Kontakt mit einem benachbarten Source-/Drain-Kontakt, einen Source-/Drain-Kontakt mit einem benachbarten Gate-Kontakt, einen Source-/Drain-Kontakt mit einem benachbarten Leiter auf Bauelementebene, der ebenfalls mit einem Gate-/Source-/Drain-Kontakt verbunden ist). Bei anderen Ausführungsbeispielen stellt eine Zwischenverbindungsstruktur, die hierin als ein „Jogged-Via“ bezeichnet wird, eine elektrische Verbindung von lateral benachbarten peripheren Oberflächen leitfähiger Strukturen her, die nicht koaxial oder konzentrisch zueinander ausgerichtet sind.

公开(公告)号：DE102020132370A1

公开(公告)日：2021-09-23

申请号：DE102020132370

申请日：2020-12-06

Applicant: INTEL CORP

Inventor： CHANDHOK MANISH ,  KARPOV ELIJAH V ,  KABIR NAFEES

IPC: H01L21/3213 ,  H01L23/535 ,  H01L21/768

Abstract: Eine integrierte Schaltungsanordnung mit Bauelementen, die über eine Mehrzahl von Verbindungsebenen elektrisch gekoppelt sind, wobei Leitungen einer ersten und einer zweiten Verbindungsebene über ein planares Platten-Via gekoppelt sind. Eine Verbindungsleitung kann ein horizontales Leitungssegment innerhalb einer der ersten oder der zweiten Verbindungsebene umfassen, und das Platten-Via kann ein vertikales Leitungssegment zwischen der ersten und der zweiten Verbindungsebene sein. Ein planares Platten-Via kann eine oder mehrere Schichten aus leitfähigem Material umfassen, die auf ein planarisiertes Substratmaterial abgeschieden wurden, das keine Merkmale aufweist, die das leitfähige Material füllen muss. Ein planares Platten-Via kann gleichzeitig mit einer horizontalen Leitung einer oder beider der ersten oder der zweiten Verbindungsebene subtraktiv definiert werden.

公开(公告)号：DE102020121487A1

公开(公告)日：2021-04-01

申请号：DE102020121487

申请日：2020-08-17

Applicant: INTEL CORP

Inventor： CHANDHOK MANISH ,  CHEBIAM RAMANAN ,  MUELLER BRENNEN ,  CARVER COLIN ,  BIELEFELD JEFFERY ,  KABIR NAFEES ,  VREELAND RICHARD ,  BREZINSKI WILLIAM

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L21/98 ,  H01L25/16

Abstract: Eine Integrierter-Schaltkreis-Zwischenverbindungsstruktur beinhaltet eine erste Zwischenverbindung in einer ersten Metallisierungsebene und ein erstes Dielektrikum angrenzend an wenigstens einen Teil der ersten Zwischenverbindung, wobei das erste Dielektrikum einen ersten Kohlenstoffanteil aufweist. Die Integrierter-Schaltkreis-Zwischenverbindungsstruktur beinhaltet ferner eine zweite Zwischenverbindung in einer zweiten Metallisierungsebene oberhalb der ersten Metallisierungsebene. Die zweite Zwischenverbindung beinhaltet eine unterste Oberfläche in Kontakt mit wenigstens einem Teil einer obersten Oberfläche der ersten Zwischenverbindung. Ein zweites Dielektrikum mit einem zweiten Kohlenstoffanteil grenzt an wenigstens einen Teil der zweiten Zwischenverbindung und das erste Dielektrikum an. Die erste Kohlenstoffkonzentration nimmt mit einer Entfernung von der untersten Oberfläche der zweiten Zwischenverbindung weg zu und die zweite Kohlenstoffkonzentration nimmt mit einer Entfernung von der obersten Oberfläche der ersten Zwischenverbindung weg zu.

公开(公告)号：DE102021126158A1

公开(公告)日：2022-05-05

申请号：DE102021126158

申请日：2021-10-08

Applicant: INTEL CORP

Inventor： LIN KEVIN ,  SATO NORIYUKI ,  TRONIC TRISTAN ,  CHRISTENSON MICHAEL ,  JEZEWSKI CHRISTOPHER ,  CHEN JIUN-RUEY ,  BLACKWELL JAMES ,  METZ MATTHEW V ,  RESHOTKO MIRIAM R ,  KABIR NAFEES ,  BIELEFELD JEFFERY ,  CHANDHOK MANISH ,  YOO HUI JAE ,  KARPOV ELIJAH V ,  NAYLOR CARL ,  CHEBIAM RAMANAN

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768

Abstract: IC-Verbindungsstrukturen mit subtraktiv strukturierten Merkmalen. Die Enden von Merkmalen können durch mehrfache Strukturierung mehrerer Abdeckungsmaterialien definiert werden, um Fehlausrichtungen zu reduzieren. Subtraktiv strukturierte Merkmale können Leitungen sein, die mit Damaszener-Vias oder mit subtraktiv strukturieren Vias integriert sind, oder sie können Vias sein, die mit Damaszener-Leitungen oder mit subtraktiv strukturierten Leitungen integriert sind. Subtraktiv strukturierte Vias können als Teil einer ebenen Metallschicht abgeschieden werden und sind derzeit mit Verbindungsleitungen definiert. Subtraktiv strukturierte Merkmale können in Luftzwischenraum-Isolationsstrukturen integriert werden. Subtraktiv strukturierte Merkmale können ein Barrierematerial an der Unterseite, der Oberseite oder den Seitenwänden umfassen. Eine untere Barriere subtraktiv strukturierter Merkmale kann mit einer flächenselektiven Technik so abgeschieden werden, dass sie sich nicht von einem darunter liegenden Verbindungsmerkmal abhebt. Eine Barriere eines subtraktiv strukturierten Merkmals kann Graphen oder ein Chalkogenid eines Metalls in dem Merkmal oder in einer Keimschicht umfassen.

公开(公告)号：DE102019130925A1

公开(公告)日：2020-06-25

申请号：DE102019130925

申请日：2019-11-15

Applicant: INTEL CORP

Inventor： RESHOTKO MIRIAM R ,  SCHENKER RICHARD E ,  KABIR NAFEES

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: Ein Verfahren zum Fertigen eines integrierten Schaltkreises umfasst Bilden eines oder mehrerer leitfähiger Merkmale, die durch Säulen einer ersten Isolationsschicht gestützt werden, in einer ersten Metallschicht. Ein oder mehrere Vias werden in einer Via-Schicht gebildet, wobei sich der eine oder die mehreren Vias über und auf der ersten Metallschicht und in elektrischer Verbindung mit einem des einen oder der mehreren leitfähigen Merkmale befinden. Anschließend an eine Via-Bildung befinden sich Luftspalte zwischen angrenzenden des einen oder der mehreren leitfähigen Merkmale in der ersten Metallschicht, um das eine oder die mehreren leitfähigen Merkmale zu separieren. Eine zweite Isolationsschicht wird über dem einen oder den mehreren leitfähigen Merkmalen und über dem einen oder den mehreren Vias gebildet, so dass die zweite Isolationsschicht die erste Metallschicht und die Via-Schicht bedeckt, während sie eine Brücke über die Luftspalte erzeugt, wobei Oberseiten der Luftspalte im Wesentlichen komplanar mit Oberseiten des einen oder der mehreren leitfähigen Merkmale sind.