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    감소된 스위칭 전류를 갖는 수직 자기 메모리
    1.
    发明公开
    감소된 스위칭 전류를 갖는 수직 자기 메모리 审中-公开
    垂直磁记忆，减少开关电流

    公开(公告)号：KR20180022837A

    公开(公告)日：2018-03-06

    申请号：KR20187002134

    申请日：2015-06-26

    Applicant: INTEL CORP

    Inventor： OGUZ KAAN ,  O'BRIEN KEVIN P ,  DOYLE BRIAN S ,  KENCKE DAVID L ,  KUO CHARLES C ,  CHAU ROBERT S

    IPC: H01L43/08 ,  H01L43/02 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

    CPC classification number: H01L43/08 ,  H01L43/10

    Abstract: 실시예는장치를포함하며, 이장치는, 기판; 및고정층과제1 및제2 자유층들을포함하는수직자기터널접합(pMTJ)을포함하고; (a) 제1 자유층은코발트(Co), 철(Fe) 및붕소(B)를포함하고, (b) 제2 자유층은에피택셜이고망간(Mn) 및갈륨(Ga)을포함한다. 다른실시예들이본 명세서에설명된다.

    Abstract translation: 一个实施例包括一种装置，其包括：衬底; 垂直磁隧道结（pMTJ）包括固定层任务1和2自由层; （a）第一自由层包含钴（Co），铁（Fe）和硼（B），和（b）第二自由层为外延并包含锰（Mn）和镓（Ga）。 这里描述了其他实施例。

    낮은 표류 필드 자기 메모리
    4.
    发明公开
    낮은 표류 필드 자기 메모리 审中-公开
    低漂移场磁记忆

    公开(公告)号：KR20180022870A

    公开(公告)日：2018-03-06

    申请号：KR20187002476

    申请日：2015-06-26

    Applicant: INTEL CORP

    Inventor： DOYLE BRIAN S ,  OGUZ KAAN ,  O'BRIEN KEVIN P ,  KENCKE DAVID L ,  KUO CHARLES C ,  DOCZY MARK L ,  SURI SATYARTH ,  CHAU ROBERT S

    IPC: H01L43/08 ,  H01L43/02 ,  H01L43/10

    CPC classification number: H01L43/10 ,  H01L43/08

    Abstract: 실시예는장치를포함하며, 이장치는, 기판; 고정층, 자유층, 및고정및 자유층들사이의유전체층을포함하는, 기판상의자기터널접합(MTJ); 및제1 합성반 강자성(SAF) 층, 제2 SAF 층, 및제1 및제2 SAF 층들사이에비자기금속을포함하는중간층을포함하며; 제1 SAF 층은호이슬러합금을포함한다. 다른실시예들이본 명세서에설명된다.

    Abstract translation: 一个实施例包括一种装置，其包括：衬底; 在衬底上的磁隧道结（MTJ），其包括钉扎层，自由层以及钉扎层和自由层之间的电介质层; 以及在第一反铁磁性（SAF）层，第二SAF层以及第一和第二SAF层之间包含非磁性金属的中间层; 第一SAF层包含Hoesler合金。 这里描述了其他实施例。

    WRITE CURRENT REDUCTION IN SPIN TRANSFER TORQUE MEMORY DEVICES
    6.
    发明申请
    WRITE CURRENT REDUCTION IN SPIN TRANSFER TORQUE MEMORY DEVICES 审中-公开
    在自旋转移转矩记忆装置中的写入电流减小

    公开(公告)号：WO2012082403A3

    公开(公告)日：2012-08-16

    申请号：PCT/US2011063072

    申请日：2011-12-02

    Applicant: INTEL CORP ,  DOYLE BRIAN S ,  KENCKE DAVID L ,  KUO CHARLES C ,  NIKONOV DMITRI E ,  CHAU ROBERT S

    Inventor： DOYLE BRIAN S ,  KENCKE DAVID L ,  KUO CHARLES C ,  NIKONOV DMITRI E ,  CHAU ROBERT S

    IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

    CPC classification number: H01L27/228 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08

    Abstract: The present disclosure relates to the fabrication of spin transfer torque memory elements for non-volatile microelectronic memory devices. The spin transfer torque memory element may include a magnetic tunneling junction connected with specifically sized and/or shaped fixed magnetic layer that can be positioned in a specific location adjacent a free magnetic layer. The shaped fixed magnetic layer may concentrate current in the free magnetic layer, which may result in a reduction in the critical current needed to switch a bit cell in the spin transfer torque memory element.

    Abstract translation: 本公开涉及用于非易失性微电子存储器件的自旋转移力矩存储器元件的制造。 自旋转移扭矩存储元件可以包括与特定尺寸和/或形状的固定磁性层连接的磁性隧道结，其可以定位在与自由磁性层相邻的特定位置。 成形的固定磁性层可将电流集中在自由磁性层中，这可导致切换自旋转移转矩存储器元件中的位单元所需的临界电流的减小。

    Electric field enhanced spin transfer torque memory (STTM) device
    7.
    发明专利
    Electric field enhanced spin transfer torque memory (STTM) device 未知

    公开(公告)号：GB2523932A

    公开(公告)日：2015-09-09

    申请号：GB201510573

    申请日：2013-06-24

    Applicant: INTEL CORP

    Inventor： DOYLE BRIAN S ,  KUO CHARLES C ,  KENCKE DAVID L ,  MOJARAD ROKSANA GOLIZADEH ,  SHAH UDAY

    IPC: G11C11/155 ,  G11C11/16 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

    Abstract: Spin transfer torque memory (STTM) devices incorporating a field plate for application of an electric field to reduce a critical current required for transfer torque induced magnetization switching. Embodiments utilize not only current-induced magnetic filed or spin transfer torque, but also electric field induced manipulation of magnetic dipole orientation to set states in a magnetic device element (e.g., to write to a memory element). An electric field generated by a voltage differential between an MTJ electrode and the field plate applies an electric field to a free magnetic layer of a magnetic tunneling junction (MTJ) to modulate one or more magnetic properties over at least a portion of the free magnetic layer.

    Durch ein elektrisches Feld verbesserte Spinübertragungsdrehmomentspeicher-(STTM)-Vorrichtung
    8.
    发明专利
    Durch ein elektrisches Feld verbesserte Spinübertragungsdrehmomentspeicher-(STTM)-Vorrichtung 未知

    公开(公告)号：DE112013005558T5

    公开(公告)日：2015-08-20

    申请号：DE112013005558

    申请日：2013-06-24

    Applicant: INTEL CORP

    Inventor： SHAH UDAY ,  DOYLE BRIAN S ,  KUO CHARLES C ,  KENCKE DAVID L ,  MOJARAD ROKSANA GOLIZADEH

    IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

    Abstract: Spinübertragungsdrehmomentspeicher-(STTM)-Vorrichtungen, welche eine Feldplatte für das Anlegen eines elektrischen Felds zum Verringern eines für das übertragungsdrehmomentinduzierte Magnetisierungsschalten erforderlichen kritischen Stroms aufweisen. Ausführungsformen verwenden nicht nur ein strominduziertes Magnetfeld oder ein Spinübertragungsdrehmoment, sondern auch eine durch ein elektrisches Feld induzierte Manipulation der Orientierung magnetischer Dipole, um Zustände in einem magnetischen Vorrichtungselement festzulegen (beispielsweise um in ein Speicherelement zu schreiben). Ein durch eine Spannungsdifferenz zwischen einer MTJ-Elektrode und der Feldplatte erzeugtes elektrisches Feld legt ein elektrisches Feld an eine freie magnetische Schicht eines magnetischen Tunnelübergangs (MTJ) an, um eine oder mehrere magnetische Eigenschaften zumindest über einen Teil der freien magnetischen Schicht zu modulieren.

    AUF NEGATIVEM DIFFERENTIALWIDERSTAND BASIERENDER SPEICHER MIT HOHER DICHTE
    9.
    发明专利
    AUF NEGATIVEM DIFFERENTIALWIDERSTAND BASIERENDER SPEICHER MIT HOHER DICHTE 未知

    公开(公告)号：DE112019002108T5

    公开(公告)日：2021-01-21

    申请号：DE112019002108

    申请日：2019-05-20

    Applicant: INTEL CORP

    Inventor： AUGUSTINE CHARLES ,  KUO CHARLES C ,  CHU-KUNG BENJAMIN ,  KHELLAH MUHAMMAD M

    IPC: G11C11/38

    Abstract: Beschrieben wird ein Gerät, das Folgendes umfasst: einen Speicherknoten; eine erste Vorrichtung, die mit dem Speicherknoten gekoppelt ist; eine zweite Vorrichtung, die mit einer ersten Referenz und dem Speicherknoten gekoppelt ist, wobei die zweite Vorrichtung einen negativen Differentialwiderstand (NDR) aufweist; eine dritte Vorrichtung, die mit einer zweiten Referenz und dem Speicherknoten gekoppelt ist, wobei die dritte Vorrichtung NDR aufweist; und eine Schaltungsanordnung zum Lesen von Daten, wobei die Schaltungsanordnung mit dem Speicherknoten und der ersten, zweiten und dritten Vorrichtung gekoppelt ist, wobei die erste, zweite und dritte Vorrichtung und die Schaltungsanordnung in einem Backend-of-Line (BEOL) eines Chips positioniert sind.

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