公开(公告)号：KR20180022837A

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：KR20187002134

申请日：2015-06-26

Applicant: INTEL CORP

Inventor： OGUZ KAAN ,  O'BRIEN KEVIN P ,  DOYLE BRIAN S ,  KENCKE DAVID L ,  KUO CHARLES C ,  CHAU ROBERT S

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/02 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L43/08 ,  H01L43/10

Abstract: 실시예는장치를포함하며, 이장치는, 기판; 및고정층과제1 및제2 자유층들을포함하는수직자기터널접합(pMTJ)을포함하고; (a) 제1 자유층은코발트(Co), 철(Fe) 및붕소(B)를포함하고, (b) 제2 자유층은에피택셜이고망간(Mn) 및갈륨(Ga)을포함한다. 다른실시예들이본 명세서에설명된다.

Abstract translation: 一个实施例包括一种装置，其包括：衬底; 垂直磁隧道结（pMTJ）包括固定层任务1和2自由层; （a）第一自由层包含钴（Co），铁（Fe）和硼（B），和（b）第二自由层为外延并包含锰（Mn）和镓（Ga）。 这里描述了其他实施例。

公开(公告)号：KR20180022852A

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：KR20187002373

申请日：2015-06-26

Applicant: INTEL CORP

Inventor： DOYLE BRIAN S ,  OGUZ KAAN ,  O'BRIEN KEVIN P ,  KENCKE DAVID L ,  KARPOV ELIJAH V ,  KUO CHARLES C ,  DOCZY MARK L ,  SURI SATYARTH ,  CHAU ROBERT S ,  MUKHERJEE NILOY ,  MAJHI PRASHANT

IPC: H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/145

Abstract: 실시예는장치를포함하고, 이장치는기판상의제1 및제2 전극들; 고정층과자유층 사이의유전체층을포함하는, 제1 및제2 전극들사이의수직자기터널접합(pMTJ); 및제1 및제2 금속층들과직접접촉하는추가적인유전체층을포함하고; (a) 제1 금속층은활성금속을포함하고, 제2 금속은불활성금속을포함하며, (b) 제2 금속층은자유층과직접접촉한다. 다른실시예들이본 명세서에설명된다.

Abstract translation: 一个实施例包括一种装置，包括：在衬底上的第一和第二电极; 第一和第二电极之间的垂直磁隧道结（pMTJ），包括在钉扎层和自由层之间的介电层; 以及与第一和第二金属层直接接触的附加电介质层; （a）第一金属层包含活性金属，第二金属包含惰性金属，和（b）第二金属层与自由层直接接触。 这里描述了其他实施例。

公开(公告)号：KR20180022846A

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：KR20187002244

申请日：2015-06-26

Applicant: INTEL CORP

Inventor： KUO CHARLES C ,  BROCKMAN JUSTIN S ,  ALZATE VINASCO JUAN G ,  OGUZ KAAN ,  O'BRIEN KEVIN P ,  DOYLE BRIAN S ,  DOCZY MARK L ,  SURI SATYARTH ,  CHAU ROBERT S

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L43/10 ,  H01L43/08

Abstract: 실시예는, 기판; 제1 고정층, 제2 고정층, 및제1 고정층과제2 고정층 사이의자유층을포함하는, 기판상의수직자기터널접합(pMTJ); 제1 고정층과자유층 사이의제1 유전체층; 및제2 고정층과자유층 사이의제2 층을포함하는장치를포함한다. 다른실시예들이본 명세서에설명된다.

Abstract translation: 一个实施例包括衬底; 第一钉扎层，第二钉扎层和第一钉扎层任务;在衬底上的垂直磁隧道结（pMTJ），其包括在钉扎层之间的自由层; 第一固定层和自由层之间的第一介电层; 还有固定层和自由层之间的第二层。 这里描述了其他实施例。

公开(公告)号：KR20180022870A

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：KR20187002476

申请日：2015-06-26

Applicant: INTEL CORP

Inventor： DOYLE BRIAN S ,  OGUZ KAAN ,  O'BRIEN KEVIN P ,  KENCKE DAVID L ,  KUO CHARLES C ,  DOCZY MARK L ,  SURI SATYARTH ,  CHAU ROBERT S

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/02 ,  H01L43/10

CPC classification number: H01L43/10 ,  H01L43/08

Abstract: 실시예는장치를포함하며, 이장치는, 기판; 고정층, 자유층, 및고정및 자유층들사이의유전체층을포함하는, 기판상의자기터널접합(MTJ); 및제1 합성반 강자성(SAF) 층, 제2 SAF 층, 및제1 및제2 SAF 층들사이에비자기금속을포함하는중간층을포함하며; 제1 SAF 층은호이슬러합금을포함한다. 다른실시예들이본 명세서에설명된다.

Abstract translation: 一个实施例包括一种装置，其包括：衬底; 在衬底上的磁隧道结（MTJ），其包括钉扎层，自由层以及钉扎层和自由层之间的电介质层; 以及在第一反铁磁性（SAF）层，第二SAF层以及第一和第二SAF层之间包含非磁性金属的中间层; 第一SAF层包含Hoesler合金。 这里描述了其他实施例。

公开(公告)号：KR20180018501A

公开(公告)日：2018-02-21

申请号：KR20177033067

申请日：2015-06-17

Applicant: INTEL CORP

Inventor： KUO CHARLES C ,  BROCKMAN JUSTIN S ,  ALZATE VINASCO JUAN G ,  OGUZ KAAN ,  OBRIEN KEVIN P ,  DOYLE BRIAN S ,  DOCZY MARK L ,  SURI SATYARTH ,  CHAU ROBERT S ,  MAJHI PRASHANT ,  PILLARISETTY RAVI ,  KARPOV ELIJAH V

IPC: G06F7/58

CPC classification number: G06F7/588

Abstract: 자유자성층 및고정자성층에대해면외자화들을갖고, MTJ 디바이스의스위칭임계값에근접하고중심으로부터떨어진자화오프셋을갖도록구성된자기터널링접합(MTJ) 디바이스; 및 MTJ 디바이스의저항성상태에따라난수들을발생시키기위한로직을포함하는장치가개시된다.

Abstract translation: 自由磁性层和钉扎具有用于外国化学表面磁性层，MTJ靠近器件的开关阈值和磁性隧道结（MTJ）装置被配置为具有磁化远离中心偏移; 以及用于根据MTJ设备的电阻状态生成随机数的逻辑。

公开(公告)号：DE112013006657T5

公开(公告)日：2015-11-26

申请号：DE112013006657

申请日：2013-03-28

Applicant: INTEL CORP

Inventor： KUO CHARLES ,  OGUZ KAAN ,  KARPOV ELIJAH ILYA ,  DOYLE BRIAN ,  MOJARAD ROKSANA MOJARAD ,  KENCKE DAVID ,  CHAU ROBERT

IPC: G11C11/15 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115

Abstract: Eine Ausführungsform enthält eine Magnettunnelübergangsschicht (MTJ), die eine freie magnetische Schicht, eine fixe magnetische Schicht und eine Tunnelsperre zwischen der freien und der fixen Schicht enthält; wobei die Tunnelsperre eine erste Seite der freien Schicht direkt kontaktiert; und wobei eine Oxidschicht eine zweite Seite der freien Schicht direkt kontaktiert; wobei die Tunnelsperre ein Oxid enthält und ein erstes Widerstand-Fläche-(RA)-Produkt aufweist und die Oxidschicht ein zweites RA-Produkt aufweist, das kleiner als das erste RA-Produkt ist. Die MTJ kann in einem perpendikularen Spin Torque Transfer Memory enthalten sein. Die Tunnelsperre und die Oxidschicht bilden einen Speicher, der eine Stabilität aufweist und ein RA-Produkt besitzt, das nicht wesentlich höher ist als bei einem weniger stabilen Speicher, der eine MTJ mit nur einer einzigen Oxidschicht aufweist. Im vorliegenden Text werden noch andere Ausführungsformen beschrieben.

公开(公告)号：DE112015006972T5

公开(公告)日：2018-07-12

申请号：DE112015006972

申请日：2015-09-25

Applicant: INTEL CORP

Inventor： MADRAS PRASHANTH P ,  RAHMAN MD TOFIZUR ,  WIEGAND CHRISTOPHER J ,  MAERTZ BRIAN ,  GOLONZKA OLEG ,  O'BRIEN KEVIN P ,  DOCZY MARK L ,  DOYLE BRIAN S ,  GHANI TAHIR ,  OGUZ KAAN

IPC: H01L43/02 ,  H01L43/10

Abstract: MTJ-Materialstapel mit einer seitlich verspannten freien Magnetschicht, STTM-Vorrichtungen, die solche Stapel verwenden, und Rechenplattformen, die solche STTM-Vorrichtungen einsetzen. In einigen Ausführungsformen enthalten senkrechte pMTJ-Materialstapel freie Magnetschichten, die seitlich durch ein umgebendes Material kompressionsverspannt sind, wodurch die Koerzitivfeldstärke für eine stabilere Vorrichtung erhöht ist. In einigen Ausführungsformen ist ein pMTJ-Materialstapel in einem kompressionsbelasteten Material eingehaust. In einigen weiteren Ausführungsformen wird ein pMTJ-Materialstapel zuerst in einer dielektrischen Hülle eingehaust, sodass ein leitfähiges Material über der Hülle als die kompressionsbelastete, spannungsinduzierende Materialschicht abgeschieden werden kann.

公开(公告)号：DE112016007579T5

公开(公告)日：2019-10-17

申请号：DE112016007579

申请日：2016-12-30

Applicant: INTEL CORP

Inventor： RAHMAN MD TOFIZUR ,  WIEGAND CHRISTOPHER J ,  OGUZ KAAN ,  OUELLETTE DANIEL G ,  MAERTZ BRIAN ,  O'BRIEN KEVIN P ,  DOCZY MARK L ,  DOYLE BRIAN S ,  GOLONZKA OLEG ,  GHANI TAHIR

IPC: H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

Abstract: Ein Materialschichtstapel für ein pSTTM-Bauelement umfasst eine feste magnetische Schicht, eine Tunnelbarriere, die über der festen magnetischen Schicht angeordnet ist, und eine freie Schicht, die auf der Tunnelbarriere angeordnet ist. Die freie Schicht umfasst ferner einen Stapel von Doppelschichten, wobei eine oberste Doppelschicht durch eine magnetische Schicht, umfassend Eisen, abgedeckt ist und wobei jede von den Doppelschichten in der freien Schicht eine nicht-magnetische Schicht wie beispielsweise Wolfram, Molybdän, umfasst, die auf der magnetischen Schicht angeordnet ist. Bei einem Ausführungsbeispiel weisen die nicht-magnetischen Schichten eine kombinierte Dicke auf, die weniger als 15 % einer kombinierten Dicke der magnetischen Schichten in dem Stapel von Doppelschichten ist. Ein Stapel von Doppelschichten, umfassend nicht-magnetische Schichten in der freien Schicht, kann die Sättigungsmagnetisierung des Materialschichtstapels für das pSTTM-Bauelement reduzieren und anschließend die senkrechte magnetische Anisotropie erhöhen.

公开(公告)号：DE102019104916A1

公开(公告)日：2019-10-02

申请号：DE102019104916

申请日：2019-02-27

Applicant: INTEL CORP

Inventor： GOSAVI TANAY ,  MANIPATRUNI SASIKANTH ,  OGUZ KAAN ,  YOUNG IAN A ,  NIKONOV DMITRI ,  LIN CHIA-CHING

IPC: G11C11/16

Abstract: Es wird eine Vorrichtung angegeben, die umfasst: einen magnetischen Übergang mit einem Magneten mit einer ersten Magnetisierung (z.B. einer senkrechten Magnetisierung); eine erste Struktur, die dem magnetischen Übergang benachbart ist, wobei die erste Struktur Metall (z.B. Hf, Ta, W, Ir, Pt, Bi, Cu, Mo, Gf, Ge, Ga oder Au) umfasst; eine Verbindung, die der ersten Struktur benachbart ist; und eine zweite Struktur, die der Verbindung benachbart ist, so dass die erste Struktur und die zweite Struktur auf einander entgegengesetzten Seiten der Verbindung liegen, wobei die zweite Struktur einen Magneten mit einer zweiten Magnetisierung (z.B. einer in einer Ebene liegenden Magnetisierung), die von der ersten Magnetisierung erheblich verschieden ist, umfasst.

公开(公告)号：EP3178120A4

公开(公告)日：2018-04-04

申请号：EP14899251

申请日：2014-08-05

Applicant: INTEL CORP

Inventor： OGUZ KAAN ,  DOCZY MARK L ,  DOYLE BRIAN S ,  KUO CHARLES C ,  CHAUDHRY ANURAG ,  CHAU ROBERT S

IPC: H01L43/08 ,  G11C11/16 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  H01L27/228 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: Embodiments of the present disclosure describe configurations and techniques to increase interfacial anisotropy of magnetic tunnel junctions. In embodiments, a magnetic tunnel junction may include a cap layer, a tunnel barrier, and a magnetic layer disposed between the cap layer and the tunnel barrier. A buffer layer may, in some embodiments, be disposed between the magnetic layer and a selected one of the cap layer or the tunnel barrier. In such embodiments, the interfacial anisotropy of the buffer layer and the selected one of the cap layer or the tunnel barrier may be greater than an interfacial anisotropy of the magnetic layer and the selected one of the cap layer or the tunnel barrier. Other embodiments may be described and/or claimed.