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公开(公告)号:DE102024119410A1
公开(公告)日:2025-04-03
申请号:DE102024119410
申请日:2024-07-09
Applicant: INTEL CORP
Inventor: KANG ZHENG , NDUKUM TCHEFOR , KANAOKA YOSUKE , ECTON JEREMY , DUAN GANG , KAPLAN JEFFERSON , LI YONGGANG YONG , LIU MINGLU , MARIN BRANDON C , NIE BAI , PIETAMBARAM SRINIVAS , SESHADRI SHRIYA , SHAN BOHAN , TURAN DENIZ , ZADE VISHAL BHIMRAO
IPC: H01L23/538 , H01L21/768 , H01L23/522
Abstract: Ein elektronisches Paket umfasst einen Substratkern; eine oder mehrere dielektrische Materialschichten über dem Substratkern und eine untere dielektrische Materialschicht sowie mehrere Metallisierungsschichten, die eine oberste Metallisierungsschicht umfassen; einen Die mit integrierter Schaltung (IC), der in das dielektrische Material und unter der obersten Metallisierungsschicht eingebettet ist, und mindestens ein leitfähiges Merkmal darunter und mit dem IC-Die gekoppelt. Eine nach unten gerichtete Fläche des leitfähigen Merkmals befindet sich auf der unteren dielektrischen Materialschicht und defmiert eine horizontale Ebene an einer Verbindungsfläche zwischen dem leitfähigen Merkmal und der unteren dielektrischen Materialschicht. Die untere dielektrische Materialschicht weist eine obere zugewandte Fläche auf, die in Richtung des IC-Die neben dem leitfähigen Merkmal zeigt und vertikal von der horizontalen Ebene versetzt ist.
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公开(公告)号:DE112022005948T5
公开(公告)日:2024-10-10
申请号:DE112022005948
申请日:2022-11-08
Applicant: INTEL CORP
Inventor: DARMAWIKARTA KRISTOF KUWAWI , DUONG BENJAMIN T , PIETAMBARAM SRINIVAS V , IBRAHIM TAREK A , OMER ALA , NIE BAI , MAHALINGAM HARI
Abstract: Mikroelektronische Anordnungen, umfassend photonische integrierte Schaltungen (PICs), zugehörige Vorrichtungen und Verfahren werden hierin offenbart. Zum Beispiel kann bei einigen Ausführungsbeispielen eine photonische mikroelektronische Anordnung umfassen eine integrierte Schaltung (IC) in einer ersten Schicht, wobei die erste Schicht ein Substrat umfasst, das eine erste Oberfläche, eine gegenüberliegende zweite Oberfläche und eine laterale Oberfläche im Wesentlichen senkrecht zu der ersten und der zweiten Oberfläche aufweist, wobei das Substrat einen Wellenleiter zwischen der ersten und der zweiten Oberfläche umfasst, und wobei und die IC in einem Hohlraum in dem Substrat verschachtelt ist; eine PIC in einer zweiten Schicht, wobei die zweite Schicht auf der ersten Schicht ist und eine aktive Oberfläche der PIC der ersten Schicht zugewandt ist, und wobei die IC elektrisch mit der aktiven Seite der PIC gekoppelt ist; und eine optische Komponente, die optisch mit der aktiven Oberfläche der PIC und dem Wellenleiter in dem Substrat an der zweiten Oberfläche gekoppelt ist.
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公开(公告)号:DE102020103504A1
公开(公告)日:2020-10-01
申请号:DE102020103504
申请日:2020-02-11
Applicant: INTEL CORP
Inventor: NIE BAI , DUAN GANG , PIETAMBARAM SRINIVAS V , JONES JESSE , KANAOKA YOSUKE , FENG HONGXIA , XU DINGYING , MANEPALLI RAHUL , PAITAL SAMEER , DARMAWIKARTA KRISTOF , LI YONGGANG , JIAO MEIZI , ZHANG CHONG , TINGEY MATTHEW , HAN JUNG KYU , CHEN HAOBO
IPC: H01L23/00 , H01L21/60 , H01L25/065
Abstract: Eine Die-Anordnung ist offenbart. Die Die-Anordnung umfasst einen Die, eine oder mehrere Die-Anschlussflächen auf einer ersten Oberfläche des Dies und einen Die-Anbringungs-Film auf dem Die, wobei der Die-Anbringungs-Film eine oder mehrere Öffnungen umfasst, die die eine oder die mehreren Die-Anschlussflächen freilegen und sich zu einem oder mehreren Rändern des Dies erstrecken.
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公开(公告)号:DE102018129825B4
公开(公告)日:2022-07-21
申请号:DE102018129825
申请日:2018-11-26
Applicant: INTEL CORP
Inventor: ALEKSOV ALEKSANDAR , LIU CHANGHUA , DARMAWIKARTA KRISTOF , BOYAPATI SRI RANGA SAI , NIE BAI , CHEN HAOBO
IPC: H01L23/538 , H01L21/60 , H05K1/11
Abstract: Ein Substrat (100; 300; 600; 1100; 2000), umfassend:eine Schicht (102c; 302c; 602c; 1104; 2004), wobei ein Graben (126; 504; 1202; 2102) in der Schicht (102c; 302c; 602c; 1104; 2004) angeordnet ist,eine weitere Schicht (102d), die auf einer Oberfläche (114, 1204, 2104) der Schicht (102c; 302c; 602c; 1104; 2004) angeordnet ist,ein leitfähiges Element (120; 1504; 2504), das in einem ersten Abschnitt der weiteren Schicht (102d) benachbart zu dem Graben (126; 504; 1202; 2102) angeordnet ist, wobei das leitfähige Element (120; 1504; 2504) sich erstreckt, um den Graben (126; 504; 1202; 2102) zu füllen; undein weiteres leitfähiges Element (122; 1506; 2506), das in einem zweiten Abschnitt der weiteren Schicht (102d) angeordnet ist, wobei das weitere leitfähige Element (122; 1506; 2506) auf der Oberfläche (114, 1204, 2104) der Schicht (102c; 302c; 602c; 1104) angeordnet ist; wobei die Oberfläche (114, 1204, 2104) der Schicht (102c; 302c; 602c; 1104; 2004) eine erste Oberfläche ist und wobei das Substrat ferner folgendes aufweist:eine zusätzliche Schicht (102b), die auf einer zweiten Oberfläche (112, 1106, 2006) der Schicht (102c; 302c; 602c; 1104; 2004) angeordnet ist, wobei die zweite Oberfläche (112, 1106, 2006) gegenüberliegend zu der ersten Oberfläche (114, 1204, 2104) angeordnet ist;wobei die Schicht (102c; 302c; 602c; 1104; 2004) ein erstes fotostrukturierbares dielektrisches Material umfasst und die zusätzliche Schicht (102b; 302b; 602b; 1102; 2002) ein zweites fotostrukturierbares dielektrisches Material umfasst, und wobei ein Dosierungsniveau des ersten fotostrukturierbaren dielektrischen Materials höher ist als ein Dosierungsniveau des zweiten fotostrukturierbaren dielektrischen Materials.
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公开(公告)号:DE102018129825A1
公开(公告)日:2019-07-04
申请号:DE102018129825
申请日:2018-11-26
Applicant: INTEL CORP
Inventor: ALEKSOV ALEKSANDAR , LIU CHANGHUA , DARMAWIKARTA KRISTOF , BOYAPATI SRI RANGA SAI , NIE BAI , CHEN HAOBO
IPC: H01L23/538 , H01L21/60 , H05K1/11
Abstract: Vorrichtungen, Systeme und Verfahren, die einem Gehäusesubstratentwurf mit leitfähigen Elementen variabler Höhe innerhalb einer einzelnen Schicht zugeordnet sind, sind hierin offenbart. Bei Ausführungsbeispielen kann ein Substrat eine erste Schicht umfassen, wobei ein Graben in der ersten Schicht angeordnet ist, und eine zweite Schicht, die auf einer Oberfläche der ersten Schicht angeordnet ist. Das Substrat kann ferner ein erstes leitfähiges Element umfassen, das in einem ersten Abschnitt der zweiten Schicht benachbart zu dem Graben angeordnet ist, wobei das erste leitfähige Element sich erstreckt, um den Graben zu füllen, und ein zweites leitfähiges Element, das in einem zweiten Abschnitt der zweiten Schicht angeordnet ist, wobei das zweite leitfähige Element auf der Oberfläche der ersten Schicht angeordnet ist. Andere Ausführungsbeispiele können beschrieben und/oder beansprucht sein.
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