公开(公告)号：DE102020132231A1

公开(公告)日：2021-09-30

申请号：DE102020132231

申请日：2020-12-03

Applicant: INTEL CORP

Inventor： GANESAN SANKA ,  VISWANATH RAM ,  BRUN XAVIER FRANCOIS ,  IBRAHIM TAREK A ,  GAMBA JASON M ,  DUBEY MANISH ,  MAY ROBERT ALAN

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/28 ,  H01L25/065

Abstract: Mikroelektronische Anordnungen und verwandte Vorrichtungen und Verfahren sind hierin offenbart. Bei einigen Ausführungsformen kann ein mikroelektronisches Bauteil zum Beispiel ein Substrat beinhalten, das eine erste Fläche und eine entgegengesetzte zweite Fläche aufweist, wobei das Substrat ein Through-Substrat-Via (TSV) beinhaltet; einen ersten Moldmaterialbereich an der ersten Fläche, wobei der erste Moldmaterialbereich ein erstes Through-Mold-Via (TMV), das leitend mit dem TSV gekoppelt ist, beinhaltet; und einen zweiten Moldmaterialbereich an der zweiten Fläche, wobei der zweite Moldmaterialbereich ein zweites TMV, das leitend mit dem TSV gekoppelt ist, beinhaltet.

公开(公告)号：DE112022005948T5

公开(公告)日：2024-10-10

申请号：DE112022005948

申请日：2022-11-08

Applicant: INTEL CORP

Inventor： DARMAWIKARTA KRISTOF KUWAWI ,  DUONG BENJAMIN T ,  PIETAMBARAM SRINIVAS V ,  IBRAHIM TAREK A ,  OMER ALA ,  NIE BAI ,  MAHALINGAM HARI

IPC: G02B6/12 ,  G02B6/30 ,  G02B6/42

Abstract: Mikroelektronische Anordnungen, umfassend photonische integrierte Schaltungen (PICs), zugehörige Vorrichtungen und Verfahren werden hierin offenbart. Zum Beispiel kann bei einigen Ausführungsbeispielen eine photonische mikroelektronische Anordnung umfassen eine integrierte Schaltung (IC) in einer ersten Schicht, wobei die erste Schicht ein Substrat umfasst, das eine erste Oberfläche, eine gegenüberliegende zweite Oberfläche und eine laterale Oberfläche im Wesentlichen senkrecht zu der ersten und der zweiten Oberfläche aufweist, wobei das Substrat einen Wellenleiter zwischen der ersten und der zweiten Oberfläche umfasst, und wobei und die IC in einem Hohlraum in dem Substrat verschachtelt ist; eine PIC in einer zweiten Schicht, wobei die zweite Schicht auf der ersten Schicht ist und eine aktive Oberfläche der PIC der ersten Schicht zugewandt ist, und wobei die IC elektrisch mit der aktiven Seite der PIC gekoppelt ist; und eine optische Komponente, die optisch mit der aktiven Oberfläche der PIC und dem Wellenleiter in dem Substrat an der zweiten Oberfläche gekoppelt ist.

公开(公告)号：DE102024123880A1

公开(公告)日：2025-03-27

申请号：DE102024123880

申请日：2024-08-21

Applicant: INTEL CORP

Inventor： MARIN BRANDON C ,  PIETAMBARAM SRINIVAS ,  RAHMAN MOHAMMAD MAMUNUR ,  KANDANUR SASHI SHEKHAR ,  ALEKSOV ALEKSANDAR ,  IBRAHIM TAREK A ,  MANEPALLI RAHUL N

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/60 ,  H01L23/14 ,  H01L23/50

Abstract: Koaxiale magnetische Induktivitätsstrukturen, die für Halbleiter-Packaging-Anwendungen nützlich sind, werden bereitgestellt. Die koaxialen magnetischen Induktivitäten können sich in Halbleiter-Package-Kernen befinden, und die Halbleiter-Package-Kerne können zum Beispiel aus einem amorphen festen Glasmaterial bestehen. Verfahren zur Herstellung einer koaxialen magnetischen Induktivität in einem Package-Substrat-Kern werden ebenfalls bereitgestellt.

公开(公告)号：DE102022107198A1

公开(公告)日：2022-12-29

申请号：DE102022107198

申请日：2022-03-28

Applicant: INTEL CORP

Inventor： NEKKANTY SRIKANT ,  TADAYON POOYA ,  MORGAN WESLEY ,  IBRAHIM TAREK A ,  VADLAMANI SAI

IPC: G02B6/12 ,  G02B6/40 ,  G02B6/42 ,  H01L23/053

Abstract: Hierin beschriebene Ausführungsformen können Einrichtungen, Prozesse und Techniken betreffen, die einen in einem Packagesubstrat erzeugten Hohlraum betreffen, wobei die Oberfläche des Substrats an der Unterseite des Hohlraums oder Ausrichtungsmerkmale an der Oberfläche des Substrats an der Unterseite des Hohlraums verwendet werden, um eine Linse einer FAU exakt mit einer Linse einer PIC auszurichten. Bei Ausführungsformen weist die Oberfläche des Substrats an der Unterseite des Hohlraums zusätzliche Abstandssockelmerkmale auf, um bei einer Höhentoleranzsteuerung der FAU zu unterstützen, um die Linse der FAU beim Anbringen richtig auszurichten. Andere Ausführungsformen können beschrieben und/oder beansprucht werden.

公开(公告)号：DE102022105027A1

公开(公告)日：2022-11-24

申请号：DE102022105027

申请日：2022-03-03

Applicant: INTEL CORP

Inventor： DARMAWIKARTA KRISTOF KUWAWI ,  DUONG BENJAMIN T ,  PIETAMBARAM SRINIVAS V ,  IBRAHIM TAREK A

IPC: H01L25/065 ,  H01L21/60 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L25/18

Abstract: Mikroelektronische Baugruppen, zugehörige Vorrichtungen und Verfahren werden hier offenbart. Bei manchen Ausführungsformen kann eine mikroelektronische Baugruppe Folgendes beinhalten: einen ersten Die in einer ersten dielektrischen Schicht; eine Magnetkerninduktivität mit einer ersten Oberfläche und einer gegenüberliegenden zweiten Oberfläche in der ersten dielektrischen Schicht, einschließlich einer ersten leitfähigen Säule mit einem ersten Ende auf der ersten Oberfläche der Magnetkerninduktivität und einem gegenüberliegenden zweiten Ende auf der zweiten Oberfläche, wenigstens teilweise von einem Magnetmaterial umgeben, das sich wenigstens teilweise von dem zweiten Ende entlang einer Dicke der ersten leitfähigen Säule erstreckt und sich zu dem ersten Ende hin verjüngt; und eine zweite leitfähige Säule, die mit der ersten leitfähigen Säule gekoppelt ist; und einen zweiten Die in einer zweiten dielektrischen Schicht auf der ersten dielektrischen Schicht, welcher mit der zweiten Oberfläche der Magnetkerninduktivität gekoppelt ist.

公开(公告)号：DE102021121227A1

公开(公告)日：2022-03-31

申请号：DE102021121227

申请日：2021-08-16

Applicant: INTEL CORP

Inventor： MARIN BRANDON C ,  BHARATH KRISHNA ,  HARIRI HAIFA ,  IBRAHIM TAREK A

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/485

Abstract: Hierin offenbarte Ausführungsformen beinhalten Elektronikgehäuse mit eingebetteten Induktoren und Verfahren zum Ausbilden solcher Elektronikgehäuse. Bei einer Ausführungsform umfasst das Elektronikgehäuse einen Gehäusekern und ein metallisiertes Durchgangsloch (PTH) durch eine Dicke des Gehäusekerns. Bei einer Ausführungsform umfasst das Elektronikgehäuse ferner und eine Magnethülle um einen Umfang des PTH, wobei eine Höhe der Magnethülle kleiner als die Dicke des Gehäusekerns ist. Bei einer Ausführungsform umfasst die Magnethülle eine im Wesentlichen vertikale Seitenwand und eine untere Fläche, die verjüngt ist.