公开(公告)号：DE112017006738T5

公开(公告)日：2019-10-02

申请号：DE112017006738

申请日：2017-01-05

Applicant: INTEL CORP

Inventor： KAMGAING TELESPHOR ,  OSTER SASHA ,  DOGIAMIS GEORGIOS ,  SWAN JOHANNA

IPC: H01P5/18 ,  H01P1/207 ,  H01P5/103

Abstract: Ausführungsbeispiele der Erfindung umfassen einen mm-Wellen-Wellenleiterverbinder und Verfahren zur Bildung solcher Vorrichtungen. Bei einem Ausführungsbeispiel kann der mm-Wellen-Wellenleiterverbinder eine Mehrzahl von mm-Wellen-Einkoppler-Abschnitten und eine Mehrzahl von Steg-basierten mm-Wellen-Filter-Abschnitten umfassen, die jeweils kommunikativ mit einem der mm-Wellen-Einkoppler-Abschnitte gekoppelt sind. Bei einem Ausführungsbeispiel umfassen die Steg-basierten mm-Wellen-Filter-Abschnitte jeweils eine Mehrzahl von Vorsprüngen, die einen oder mehrere Resonanzhohlräume definieren. Zusätzliche Ausführungsbeispiele können einen Multiplexerabschnitt umfassen, der kommunikativ mit der Mehrzahl von Steg-basierten mm-Wellen-Filter-Abschnitten und kommunikativ mit einem mm-Wellen-Wellenleiterbündel gekoppelt ist. Bei einem Ausführungsbeispiel definiert die Mehrzahl von Vorsprüngen Resonanzhohlräume mit Öffnungen zwischen 0,5 mm und 2,0 mm, die Mehrzahl von Vorsprüngen ist um eine Beabstandung zwischen 0,5 mm und 2,0 mm voneinander beabstandet, und wobei die Mehrzahl von Vorsprüngen eine Dicke zwischen 200 µm und 1.000 µm aufweist.

公开(公告)号：DE112016005820T5

公开(公告)日：2018-08-23

申请号：DE112016005820

申请日：2016-11-03

Applicant: INTEL CORP

Inventor： OSTER SASHA ,  NEKKANTY SRIKANT ,  HEPPNER JOSHUA D ,  ELSHERBINI ADEL A ,  TOMITA YOSHIHIRO ,  MALLIK DEBENDRA ,  LIFF SHAWNA M ,  SEKIHARA YOKO

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/48 ,  H01L23/00 ,  H01L23/498

Abstract: Ein Baueinheitszusammenbau kann ein Substrat mit einer ersten Substratoberfläche aufweisen. Die erste Substratoberfläche weist eine leitfähige Schicht auf, die an der ersten Substratoberfläche angebracht ist. Der Baueinheitszusammenbau weist einen Die auf, der kommunikativ an die leitfähige Schicht und einen Kontaktblock gekoppelt ist. Der Kontaktblock weist eine erste Kontaktoberfläche auf einem Ende des Kontaktblocks, eine zweite Kontaktoberfläche auf einer gegenüberliegenden Seite des Kontaktblocks und eine Kontaktblockwand, die sich dazwischen erstreckt, auf. Der Kontaktblock weist ein leitfähiges Material auf. Die erste Kontaktoberfläche ist mit einer Fügstelle, die sich teilweise die Kontaktblockwand hoch erstreckt, an den Baueinheitszusammenbau gekoppelt. Eine elektronische Baueinheit weist ferner den Baueinheitszusammenbau und einen Overmold auf, der Teile des Substrats, der leitfähigen Schicht und des Dies abdeckt. Die zweite Kontaktoberfläche des Kontaktblocks wird durch den Overmold freigelegt.

公开(公告)号：DE102018129885A1

公开(公告)日：2019-07-04

申请号：DE102018129885

申请日：2018-11-27

Applicant: INTEL CORP

Inventor： KAMGAING TELESPHOR ,  ELSHERBINI ADEL ,  DOGIAMIS GEORGIOS ,  OSTER SASHA

IPC: H01P5/107

Abstract: Ausführungsbeispiele umfassen Wellenleiterankoppler und -verbinder (WLC; Waveguide Connector), und ein Verfahren zum Bilden eines WLC. Der WLC umfasst einen Wellenleiterverbinder mit einem Wellenleiterankoppler, einer Verjüngung und einem Schlitzleitung-Signalwandler; und eine Balunstruktur auf dem Schlitzleitung-Signalwandler, wobei die Verjüngung auf dem Schlitzleitung-Signalwandler und einem Anschlussende des Wellenleiterverbinders angeordnet ist, um einen Kanal und einen verjüngten Schlitz zu bilden. Der WLC kann den Wellenleiterverbinder auf dem Gehäuse angeordnet und einen Wellenleiter, der mit dem Wellenleiterverbinder gekoppelt ist, umfassen. Der WLC kann Zusammensetzungs-Anschlussflächen und Außenwände des Wellenleiterverbinders umfassen, die elektrisch mit dem Gehäuse gekoppelt sind. Der WLC kann die Balunstruktur ein Signal in ein Schlitzleitungssignal umwandeln lassen, und der Wellenleiterankoppler wandelt das Schlitzleitungssignal in ein geschlossenes Wellenleiter-Modus-Signal um, und emittiert das geschlossene Signal entlang des Kanals und breitet das geschlossene Signal entlang des Verjüngungsschlitzes zu dem Wellenleiter, der mit dem Wellenleiterverbinder gekoppelt ist, aus.

公开(公告)号：DE102014116416A1

公开(公告)日：2015-06-11

申请号：DE102014116416

申请日：2014-11-11

Applicant: INTEL CORP

Inventor： OSTER SASHA ,  SANKMAN ROBERT L ,  GEALER CHARLES ,  KARHADE OMKAR ,  GUZEK JOHN S ,  MAHAJAN RAVI V ,  MATAYABAS JR JAMES C ,  SWAN JOHANNA ,  EID FERAS ,  LIFF SHAWNA ,  MCINTOSH TIMOTHY ,  KAMGAING TELESPHOR ,  ELSHERBINI ADEL ,  AYGUN KEMAL

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/50 ,  H01L23/18 ,  H01L23/29 ,  H01L23/50

Abstract: Diese Offenlegung bezieht sich auf Geräte, Systeme und Verfahren zur Fertigung einer flexiblen mikroelektronischen Baugruppe. In einem Beispiel wird ein Polymer über eine mikroelektronische Komponente geformt, die Polymerform nimmt nach dem Formen einen im Wesentlichen starren Zustand an. Eine Leitschicht mit Bezug auf die mikroelektronische Komponente und die Polymerform wird gebildet, wobei die Leitschicht Spuren enthält, die elektrisch mit der mikroelektronischen Komponenten verkoppelt sind. Eine Einwirkung wird auf die Polymerform aufgetragen, woraufhin sich die Polymerform vom grundsätzlich starren Zustand zu einem grundsätzlich flexiblen Zustand wandelt.

公开(公告)号：DE102018120497A1

公开(公告)日：2019-04-04

申请号：DE102018120497

申请日：2018-08-22

Applicant: INTEL CORP

Inventor： OSTER SASHA ,  DOGIAMIS GEORGIOS ,  KAMGAING TELESPHOR ,  ELSHERBINI ADEL A ,  SWAN JOHANNA ,  EWY ERICH N

IPC: H01P1/213

Abstract: [0074] Ausführungsformen weisen ein wellenlängenselektives Kommunikationssystem zum Einsatz in Fahrzeugen auf. Bei einer Ausführungsform kann das Kommunikationssystem einen primären dielektrischen Wellenleiter mit einer ersten Querschnittsfläche aufweisen. Bei einer Ausführungsform kann ein dielektrischer Kopplungsarmwellenleiter kommunikativ mit dem primären dielektrischen Wellenleiter gekoppelt sein. Bei einer Ausführungsform hat der Kopplungsarm eine zweite Querschnittsfläche, die kleiner oder gleich der Querschnittsfläche der ersten Querschnittsfläche ist. Gemäß einer Ausführungsform ist der Kopplungsarm durch einen Wellenleiterverbinder kommunikativ mit dem primären dielektrischen Wellenleiter gekoppelt.

公开(公告)号：DE112017001758T5

公开(公告)日：2018-12-20

申请号：DE112017001758

申请日：2017-02-23

Applicant: INTEL CORP

Inventor： OSTER SASHA ,  ELSHERBINI ADEL A ,  HEPPNER JOSHUA D ,  LIFF SHAWNA

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/31

Abstract: Geformte Elektronikgehäusehohlräume werden gebildet, indem ein Opfermaterial in die Form gegeben wird und dieses Opfermaterial dann zersetzt, gewaschen oder weggeätzt wird. Das Elektronikgehäuse, das dieses Opfermaterial aufweist wird dann überformt, wobei bei dem Überformungsprozess wenig oder keine Änderung erforderlich ist. Nach dem Überformen wird das Opfermaterial entfernt, wie unter Verwendung eines thermischen, chemischen, optischen oder anderen Zersetzungsprozesses. Diese vorgeschlagene Verwendung von Opfermaterial ermöglicht die Bildung von komplexen 3-D-Hohlräumen und verringert oder eliminiert die Notwendigkeit für präzise Materialentfernungstoleranzen. Mehrere Fälle des Opfermaterials können gleichzeitig entfernt werden, wobei ein serieller Bohrprozess durch einen parallelen Materialentfernungs-Herstellungsprozess ersetzt wird.

公开(公告)号：EP3050100A4

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：EP13894179

申请日：2013-09-27

Applicant: INTEL CORP

Inventor： OSTER SASHA ,  HANEY SARAH ,  TEH WENG HONG ,  EID FERAS

IPC: H01L23/552 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  H01L21/56

CPC classification number: H05K9/0052 ,  B32B37/24 ,  B32B38/10 ,  B32B2037/243 ,  B32B2457/00 ,  B81B7/0029 ,  B81B7/0032 ,  B81B7/02 ,  B81C1/0023 ,  G06F1/182 ,  H01L21/568 ,  H01L23/552 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1461 ,  H05K1/115 ,  Y10T156/10 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：DE112017006740T5

公开(公告)日：2019-09-26

申请号：DE112017006740

申请日：2017-01-05

Applicant: INTEL CORP

Inventor： DOGIAMIS GEORGIOS ,  OSTER SASHA ,  KAMGAING TELESPHOR

IPC: H01P5/08 ,  G06F15/16 ,  H01P3/16

Abstract: Ausführungsbeispiele der Erfindung umfassen eine aktive mm-Wellen-Verbindung. Bei einem Ausführungsbeispiel umfasst die aktive mm-Wellen-Verbindung einen dielektrischen Wellenleiter, der mit einem ersten Verbinder und einem zweiten Verbinder gekoppelt ist. Gemäß einem Ausführungsbeispiel kann jeder des ersten und zweiten Verbinders eine mm-Wellen-Funktionseinheit umfassen. Bei einem Ausführungsbeispiel können die mm-Wellen-Funktionseinheiten einen Leistungsverwaltungs-Die, einen Modulator-Die, einen Demodulator-Die, einen mm-Wellen-Sender-Die und einen mm-Wellen-Empfänger-Die umfassen. Zusätzliche Ausführungsbeispiele können Verbinder umfassen, die eine Schnittstelle mit vordefinierten Schnittstellen bilden, wie beispielsweise Small Form-Factor Pluggables (SFP), Quad Small Form-Factor Pluggables (QSFP), oder Octal Small Form-Factor Pluggables (OSFP) sind. Dementsprechend ermöglichen Ausführungsbeispiele der Erfindung eine Plug-and-Play-Funktionalität mit bestehenden Servern und anderen High-Performance-Rechensystemen.

公开(公告)号：DE112016006701T5

公开(公告)日：2018-12-20

申请号：DE112016006701

申请日：2016-04-01

Applicant: INTEL CORP

Inventor： LIFF SHAWNA ,  EID FERAS ,  ALEKSOV ALEKSANDAR ,  OSTER SASHA ,  BICEN BARIS ,  SOUNART THOMAS ,  SWAN JOHANNA ,  RAO VALLURI R

IPC: D06M17/00 ,  D03D1/00

Abstract: Ausführungsformen der Erfindung weisen eine aktive Faser mit einer piezoelektrischen Schicht auf, die eine Kristallisationstemperatur aufweist, die größer als eine Schmelz- oder Ziehtemperatur der Faser ist, und Verfahren zum Bilden solcher aktiven Fasern. Gemäß einer Ausführungsform wird eine erste Elektrode über eine äußere Oberfläche einer Faser gebildet. Ausführungsformen können dann das Abscheiden einer ersten amorphen piezoelektrischen Schicht auf die erste Elektrode aufweisen. Danach kann die erste amorphe piezoelektrische Schicht mit einem gepulsten Laserglühprozess kristallisiert werden, um eine erste kristallisierte piezoelektrische Schicht zu bilden. In einer Ausführungsform kann der gepulste Laserglühprozess ein Belichten der ersten amorphen piezoelektrischen Schicht mit Strahlung von einem Excimer-Laser mit einer Energiedichte zwischen ungefähr 10 und 100 mJ/cmund einer Impulsbreite zwischen ungefähr 10 und 50 Nanosekunden beinhalten. Ausführungsformen können auch das Bilden einer zweiten Elektrode über einer äußeren Oberfläche der kristallisierten piezoelektrischen Schicht beinhalten.

公开(公告)号：DE112015006948T5

公开(公告)日：2018-07-19

申请号：DE112015006948

申请日：2015-09-25

Applicant: INTEL CORP

Inventor： DABBY NADINE L ,  ELSHERBINI ADEL ,  LATHROP BRAXTON ,  OSTER SASHA ,  ALEKSOV ALEKSANDAR

IPC: G06F1/16

Abstract: Einige Formen beziehen sich auf eine dehnbare Berechnungsvorrichtung. Die dehnbare Berechnungsvorrichtung enthält eine erste Schicht, die elektrische Leitungsverbindungen mit einer erste Dichte enthält, wobei die erste Schicht eine erste elektronische Komponente enthält; eine dehnbare zweite Schicht, die mit der ersten Schicht elektrisch verbunden ist, wobei die dehnbare zweite Schicht elektrische Leitungsverbindungen mit einer zweite Dichte enthält, die kleiner ist als die erste Dichte, wobei die zweite Schicht eine zweite elektronische Komponente enthält; und eine dehnbare dritte Schicht, die mit der dehnbaren zweiten Schicht elektrisch verbunden ist, wobei die dehnbare dritte Schicht elektrische Leitungsverbindungen mit einer dritten Dichte enthält, die kleiner ist als die zweite Dichte.