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    전자 소스
    1.
    发明公开
    전자 소스 审中-公开
    电子来源

    公开(公告)号：KR20180031061A

    公开(公告)日：2018-03-27

    申请号：KR20187007328

    申请日：2016-08-12

    Applicant: KLA TENCOR CORP

    Inventor： CHUANG YUNG HO ALEX ,  XIAOLI YINYING ,  LIU XUEFENG ,  FIELDEN JOHN

    IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02

    CPC classification number: G03F7/70008 ,  H01J1/304 ,  H01J1/34 ,  H01J35/065 ,  H01J37/073 ,  H01J2201/30411 ,  H01J2201/3048 ,  H01J2237/0635

    Abstract: 전자소스가대향하는제 1 및제 2 표면을갖는실리콘기판상에형성된다. 전자방출을향상시키기위해적어도하나의전계이미터가실리콘기판의제 2 표면상에준비된다. 실리콘의산화를방지하기위해, 얇고연속적인붕소층이산화및 결함을최소화하는공정을사용하여전계이미터의출력표면상에직접적으로배치된다. 전계이미터는피라미드및 둥근위스커와같은다양한형상을취할수 있다. 방출전류의빠르고정확한제어및 높은방출전류를달성하기위해하나또는여러개의선택적게이트층들이전계이미터팁의높이에또는그보다약간낮게배치될수 있다. 전계이미터는 p 형도핑될수 있고역 바이어스모드에서작동하도록구성될수 있거나, 전계이미터는 n 형도핑될수 있다.

    Abstract translation: 它被形成具有第一表面到第二mitje电子源计数器在硅衬底上。 至少一个仪表jeongyeyi在硅衬底的第二表面上而制备，以增强电子发射。 为了防止硅的氧化，使用最小化它直接布置在jeongyeyi米的输出表面上的薄的连续层氧化钛和硼的缺陷的方法。 字段具有已经chwihalsu多种形状，如金字塔形发射器和卷曲晶须。 为了实现一个或几个选择性的栅极层，发射电流的快速而精确的控制和高的发射电流可以略低于的尖端jeongyeyi微米或更小的高度被设置。 Jeongyeyi计来掺杂p型和任一被配置在反向偏置模式下操作，jeongyeyi计可以是掺杂的n型。

    計測システムの照明サブシステム、計測システム、および計測測定のために試験片を照明するための方法
    2.
    发明专利
    計測システムの照明サブシステム、計測システム、および計測測定のために試験片を照明するための方法 审中-公开
    计量系统的照明子系统，计量系统和用于量化测量样本的方法

    公开(公告)号：JP2015043099A

    公开(公告)日：2015-03-05

    申请号：JP2014217099

    申请日：2014-10-24

    Applicant: ケーエルエー−テンカー・コーポレーションKla−Tencor Corporation ,  Kla-Tencor Corp ,  ケーエルエー−テンカー・コーポレーションKla−Tencor Corporation

    Inventor： YUNG-HO ALEX CHUANG ,  VLADIMIR LEVINSKI ,  LIU XUEFENG

    IPC: G02F1/03 ,  G01B9/04 ,  G02B27/48

    CPC classification number: G01N21/9501 ,  G01N2021/479

    Abstract: 【課題】非常に短い時間量でスペックルパターンを十分に抑制することができる計測システムのための照明方法および/またはサブシステムを提供する。【解決手段】光のコヒーレントパルスを発生するように構成された光源10と、光のコヒーレントパルスの経路中に配置された分散素子であって、分散素子が、光のパルス中の光分布の空間的特性と時間的特性とを混合することによって、光のパルスのコヒーレンスを低減するように構成された分散素子と、分散素子から出る光のパルスの経路中に配置された電気光学変調器であって、電気光学変調器が、光のパルス中の光分布を時間的に変調することによって、光のパルスのコヒーレンスを低減するように構成され、照明サブシステムが、電気光学変調器からの光のパルスを、計測システム中に配置された試験片に導くように構成された、電気光学変調器16とを備える。【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题：提供用于度量系统的照明方法和/或子系统，其能够在短时间内充分抑制散斑图案。解决方案：计量系统的照明子系统包括：光源10，其被配置为产生 相干脉冲的光; 位于光相干脉冲的路径中的分散元件被配置为通过混合光脉冲中的光分布的空间和时间特征来减小光脉冲的相干性; 以及电光调制器16，其位于离开色散元件的光的脉冲的路径中，并且被配置为通过暂时调制光脉冲中的光分布来减小光脉冲的相干性。 照明子系统被配置为将来自电光调制器的光的脉冲引导到位于计量系统中的样本。

    Optische Metrologie mit reduzierter Empfindlichkeit gegenüber Fokus-Fehlern
    3.
    发明专利
    Optische Metrologie mit reduzierter Empfindlichkeit gegenüber Fokus-Fehlern 未知

    公开(公告)号：DE112016000853B4

    公开(公告)日：2024-10-24

    申请号：DE112016000853

    申请日：2016-02-10

    Applicant: KLA TENCOR CORP

    Inventor： KRISHNAN SHANKAR ,  ZHUANG GUORONG VERA ,  WANG DAVID Y ,  LIU XUEFENG

    IPC: H01L21/66 ,  G01R31/265 ,  G01R31/311

    Abstract: Metrologiesystem (100), umfassend:eine Beleuchtungsquelle (110), dazu ausgebildet, eine Menge an Beleuchtungslicht (114) zu erzeugen;ein Beleuchtungsoptik-Subsystem, dazu ausgebildet, die Menge an Beleuchtungslicht (114) von der Beleuchtungsquelle (110) unter einem odermehreren Einfallswinkeln (α) innerhalb einer Einfallsebene auf einen Messbereich (116) auf einer Oberfläche einer der Vermessung unterzogenen Probe (115) zu richten;einen Detektor (123), der eine planare, zweidimensionale Oberfläche hat, welche auf einfallendes Licht empfindlich ist, wobei der Detektor (123) dazu ausgebildet ist, eine Vielzahl an Ausgangssignalen, die eine Antwort der Probe (115) auf die Menge an Beleuchtungslicht (114) anzeigen, zu erzeugen, indem Ladung über eine Vielzahl an Pixeln in einer Richtung senkrecht zu einer Richtung der Wellenlängendispersion auf der Detektoroberfläche integriert wird; undein Erfassungsoptik-Subsystem, dazu ausgebildet, eine Menge an erfasstem Licht (117) von dem Messbereich (116) auf der Oberfläche der Probe (115) zu erfassen und die Menge an erfasstem Licht (117) auf die Oberfläche des Detektors (123) zu richten, wobei das Erfassungsoptik-Subsystem den Messbereich (116) derart auf die Oberfläche des Detektors (123) abbildet, dass eine Richtung, welche auf der Waferoberfläche in der Einfallsebene ausgerichtet ist, auf der Detektoroberfläche senkrecht zu der Richtung der Wellenlängendispersion orientiert ist.

    PHOTOKATHODE MIT FELDEMITTER-ANORDNUNG AUF EINEM SILIZIUMSUBSTRAT MIT BORSCHICHT
    4.
    发明专利
    PHOTOKATHODE MIT FELDEMITTER-ANORDNUNG AUF EINEM SILIZIUMSUBSTRAT MIT BORSCHICHT 未知

    公开(公告)号：DE112016002299T5

    公开(公告)日：2018-03-15

    申请号：DE112016002299

    申请日：2016-05-21

    Applicant: KLA TENCOR CORP

    Inventor： CHUANG YUNG HO ,  FIELDEN JOHN ,  XIAOLI YINYING ,  LIU XUEFENG

    IPC: H01J31/50 ,  G02B21/12 ,  H01J1/34 ,  H01J29/38 ,  H01J31/26 ,  H01L27/146 ,  H01L27/148

    Abstract: Eine Photokathode verwendet eine Feldemitteranordnung (FEA), die integral auf einem Siliziumsusbtrat gebildet ist, um die Emission von Photoelektronen zu erhöhen, und eine dünne Borschicht, die unmittelbar auf der Ausgangsoberfläche der FEA angeordnet ist, um Oxidation zu verhindern. Die Feldemitter sind durch Vorsprünge gebildet, die verschiedene Formen (z. B. Pyramiden oder abgerundete Whisker) haben und in einem zweidimensionalen periodischen Muster angeordnet sind, und können dazu ausgebildet sein, in einem Sperrrichtungsbetrieb zu arbeiten. Eine optionale Gate-Schicht ist vorgesehen, um Emissionsströme zu steuern. Eine optionale zweite Borschicht ist auf der beleuchteten (oberen) Oberfläche gebildet, und eine optionale Schicht aus Antireflektionsmaterial ist auf der zweiten Borschicht gebildet. Ein optionales externes Potenzial wird zwischen den gegenüberliegenden beleuchteten und Ausgangsoberflächen erzeugt. Eine optionale Kombination aus n-Typ-Silizium-Feldemitter und p-i-n-Photodioden-Schicht wird durch ein spezielles Dotierungsschema und das Anlegen eines externen Potenzials gebildet. Die Photokathode bildet einen Teil von Sensor- und Inspektionssystemen.

    Optische Metrologie mit reduzierter Empfindlichkeit gegenüber Fokus-Fehlern
    5.
    发明专利
    Optische Metrologie mit reduzierter Empfindlichkeit gegenüber Fokus-Fehlern 未知

    公开(公告)号：DE112016000853T5

    公开(公告)日：2017-11-09

    申请号：DE112016000853

    申请日：2016-02-10

    Applicant: KLA TENCOR CORP

    Inventor： KRISHNAN SHANKAR ,  ZHUANG GUORONG VERA ,  LIU XUEFENG ,  WANG DAVID Y

    IPC: H01L21/66

    Abstract: Verfahren und Systeme zur Durchführung breitbandiger spektroskopischer Metrologie mit reduzierter Empfindlichkeit gegenüber Fokus-Fehlern werden hierin vorgestellt. Signifikante Reduzierungen der Empfindlichkeit gegen einen Fehler in der Fokusposition werden erzielt, indem der Messbereich auf den Detektor derart abgebildet wird, dass die Richtung, die auf der Waferoberfläche in der Einfallsebene ausgerichtet ist, senkrecht zu der Richtung der Wellenlängendispersion auf der Detektoroberfläche orientiert ist. Diese Reduktion in der Fokus-Fehler-Empfindlichkeit ermöglicht verringerte Anforderungen an die Fokus-Genauigkeit und -Wiederholbarkeit, kürzere Fokussierzeiten und reduzierte Empfindlichkeit gegenüber Wellenlängenfehlern, ohne die Messgenauigkeit zu beeinträchtigen. In einem weiteren Aspekt wird die Abmessung des auf die Waferebene projizierten Beleuchtungsfeldes in der Richtung senkrecht zu der Einfallsebene angepasst, um die sich ergebende Messgenauigkeit und Geschwindigkeit basierend auf der Art des vermessenen Zieles zu optimieren.

    OPTICAL METROLOGY WITH REDUCED FOCUS ERROR SENSITIVITY
    7.
    发明专利
    OPTICAL METROLOGY WITH REDUCED FOCUS ERROR SENSITIVITY 未知

    公开(公告)号：SG11201706232UA

    公开(公告)日：2017-09-28

    申请号：SG11201706232U

    申请日：2016-02-10

    Applicant: KLA TENCOR CORP

    Inventor： KRISHNAN SHANKAR ,  ZHUANG GUORONG VERA ,  WANG DAVID Y ,  LIU XUEFENG

    IPC: H01L21/66

    Abstract: Methods and systems for performing broadband spectroscopic metrology with reduced sensitivity to focus errors are presented herein. Significant reductions in sensitivity to focus position error are achieved by imaging the measurement spot onto the detector such that the direction aligned with the plane of incidence on the wafer surface is oriented perpendicular to the direction of wavelength dispersion on the detector surface. This reduction in focus error sensitivity enables reduced focus accuracy and repeatability requirements, faster focus times, and reduced sensitivity to wavelength errors without compromising measurement accuracy. In a further aspect, the dimension of illumination field projected on the wafer plane in the direction perpendicular to the plane of incidence is adjusted to optimize the resulting measurement accuracy and speed based on the nature of target under measurement.

    PROCESS AWARE METROLOGY
    8.
    发明申请
    PROCESS AWARE METROLOGY 审中-公开
    过程技巧

    公开(公告)号：WO2013043831A3

    公开(公告)日：2013-05-23

    申请号：PCT/US2012056272

    申请日：2012-09-20

    Applicant: KLA TENCOR CORP ,  LIU XUEFENG ,  CHUANG YUNG-HO ALEX ,  FIELDEN JOHN ,  TSAI BIN-MING BENJAMIN ,  ZHANG JINGJING

    Inventor： LIU XUEFENG ,  CHUANG YUNG-HO ALEX ,  FIELDEN JOHN ,  TSAI BIN-MING BENJAMIN ,  ZHANG JINGJING

    IPC: H01L21/66

    CPC classification number: G06F17/5018 ,  G03F7/70625 ,  G06F17/10 ,  G06F17/5081 ,  G06F19/00 ,  G06F2217/12 ,  G06F2217/14 ,  G06F2217/16 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

    Abstract: System and methods for process aware metrology are provided. The method compries the steps of selecting nominal values and one or more different values of process parameters for one or more process steps used to form the structure on the wafer, simulating one or more characteristics of the structure that would be formed on the wafer using the nominal values, generating an initial model of the structure based on results of the simulating step, simulating the one or more characteristic of the structure that would be formed on the wafer using the one or more different values as input to the initial model, translating results of both of the simulating steps into the optical model of the structure, and determining parameterization of the optical model based on how the one or more characteristics of the structure vary between at least two of the nominal values and the one or more different values.

    Abstract translation: 提供过程感知度量的系统和方法。 该方法包括为用于在晶片上形成结构的一个或多个工艺步骤选择标称值和一个或多个不同值的工艺参数的步骤，模拟将在晶片上形成的结构的一个或多个特性，使用 标称值，基于模拟步骤的结果生成结构的初始模型，使用一个或多个不同值作为初始模型的输入来模拟将在晶片上形成的结构的一个或多个特性，翻译结果 两个模拟步骤进入结构的光学模型，以及基于结构的一个或多个特性如何在至少两个标称值和一个或多个不同值之间变化来确定光学模型的参数化。

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