Method and apparatus for determining surface layer thickness using continuous multi-wavelength surface scanning
    1.
    发明专利
    Method and apparatus for determining surface layer thickness using continuous multi-wavelength surface scanning 审中-公开
    使用连续多波长表面扫描法确定表面层厚度的方法和装置

    公开(公告)号:JP2011059123A

    公开(公告)日:2011-03-24

    申请号:JP2010230862

    申请日:2010-10-13

    Inventor: SHORTT DAVID W

    CPC classification number: G01B11/0633

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an inspection tool including illumination elements for directing light beams at different wavelengths, or at different angles of incidence, or by a combination thereof.
    SOLUTION: A beam creates reflected light and scattered light optical signals. Scanning elements and optical detector elements are provided. The optical detector elements receive reflected light signals and scattered light signals. A circuit for receiving the reflected light signals and the scattered light signals is used, the value of thickness for a partially transmissive layer formed on a workpiece is determined, and the effect of the thickness of the partially transmissive layer is corrected, so that signals identify and characterize the defects of the workpiece. Further, the present invention also includes descriptions of methods for achieving such inspections.
    COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

    Abstract translation: 要解决的问题:提供一种检查工具,其包括用于引导不同波长或不同入射角的光束的照明元件或其组合。 解决方案:光束产生反射光和散射光的光信号。 提供扫描元件和光学检测器元件。 光检测器元件接收反射光信号和散射光信号。 使用用于接收反射光信号和散射光信号的电路,确定在工件上形成的部分透射层的厚度值,并且校正部分透射层的厚度的影响,使得信号识别 并表征工件的缺陷。 此外,本发明还包括用于实现这种检查的方法的描述。 版权所有(C)2011,JPO&INPIT

    DEFECT MARKING FOR SEMICONDUCTOR WAFER INSPECTION

    公开(公告)号:SG11201900913VA

    公开(公告)日:2019-04-29

    申请号:SG11201900913V

    申请日:2017-09-26

    Abstract: Methods and systems for accurately locating buried defects previously detected by an inspection system are described herein. A physical mark is made on the surface of a wafer near a buried defect detected by an inspection system. In addition, the inspection system accurately measures the distance between the detected defect and the physical mark in at least two dimensions. The wafer, an indication of the nominal location of the mark, and an indication of the distance between the detected defect and the mark are transferred to a material removal tool. The material removal tool (e.g., a focused ion beam (FIB) machining tool) removes material from the surface of the wafer above the buried defect until the buried defect is made visible to an electron-beam based measurement system. The electron-beam based measurement system is subsequently employed to further analyze the defect.

    Verfahren und Vorrichtung zur Steuerung einer Konvektionsströmung in einem lichtgestützten Plasma

    公开(公告)号:DE112014001747B4

    公开(公告)日:2022-07-28

    申请号:DE112014001747

    申请日:2014-03-28

    Abstract: Vorrichtung (100) zur Steuerung einer Konvektionsströmung in einem lichtgestützten Plasma umfassend:• eine Beleuchtungsquelle (112), die konfiguriert ist, um Beleuchtung (114) zu erzeugen;• eine Plasmazelle (104), die einen Kolben (105) umfasst, um ein Gasvolumen (103) zu enthalten;• ein Kollektorelement (102), das angeordnet ist, um die Beleuchtung (114) aus der Beleuchtungsquelle (112) in das Gasvolumen (103) zu fokussieren, um ein Plasma (106) innerhalb des im Kolben enthaltenen Gasvolumens (103) zu erzeugen, wobei ein Teil der Plasmazelle (104) in einem konkaven Bereich (109) des Kollektorelements (102) angeordnet ist, und wobei das Kollektorelement (102) eine Öffnung (108) enthält, durch welche Öffnung sich ein Teil der Plasmazelle erstreckt, damit ein Teil einer Plasmafahne (107) sich zu einem Bereich (110) außerhalb des konkaven Bereichs (109) des Kollektorelements (102) ausbreitet;• ein außenliegendes Plasmasteuerelement (128), welches im Bereich (110) außerhalb des konkaven Bereichs (109) des Kollektorelements (102) platziert ist, wobei das außenliegende Plasmasteuerelement (128) wenigstens eine Struktur beinhaltet, die innerhalb des Plasmakolbens (105) angeordnet ist oder die außerhalb des Plasmakolbens (105) angeordnet ist;• wobei das außenliegende Plasmasteuerelement (128) ein außenliegendes Konvektionssteuerelement umfasst, wobei das außenliegende Konvektionssteuerelement innerhalb des Plasmakolbens (105) platziert und dazu angeordnet ist, Konvektionsströme innerhalb des Plasmakolbens (105) zu steuern.

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