公开(公告)号：KR20150102750A

公开(公告)日：2015-09-07

申请号：KR20150079633

申请日：2015-06-05

Applicant: KOREA RES INST OF STANDARDS

Inventor： LEE GEUN WOO ,  LEE SOO HEYONG

IPC: C30B7/02 ,  C30B30/04

Abstract: 본 발명은 정전기 부양 결정 성장 장치 및 정전기 부양 결정 성장 방법을 제공한다. 이 정전기 부양 결정 성장 장치는 상부 전극; 상기 상부 전극과 수직으로 이격되어 배치된 하부 전극; 상기 상부 전극과 상기 하부 전극 사이에 수직 정전기장을 인가하는 전원부; 및 상기 상부 전극과 상기 하부 전극 사이에 용액을 방출하여 용액 방울(solution droplet)을 형성하는 방울 디스펜서(droplet dispenser)를 포함한다. 상기 용액 방울은 하전 상태(cahrged state)로 유지되고 중력에 반하여 상기 수직 정전기장에 의하여 정전기 부양된다. 상기 용액 방울은 상기 정전기 부양된 상태에서 증발하고, 상기 용액에 용해된 용질은 결정으로 성장한다.

Abstract translation: 本发明提供静电悬浮晶体生长装置和静电悬浮晶体生长方法。 静电悬浮晶体生长装置包括：上电极; 设置成与上电极垂直间隔开的下电极; 电源单元，用于在上电极和下电极之间施加垂直静电场; 以及通过在上电极和下电极之间分配溶液来形成液滴的液滴分配器。 溶液液滴保持在带电状态，并通过垂直静电场抵抗重力而静电悬浮。 溶液液滴可以在静电场下以悬浮状态蒸发，溶解在溶液中的溶质以晶体生长。

公开(公告)号：KR20120057169A

公开(公告)日：2012-06-05

申请号：KR20100118791

申请日：2010-11-26

Applicant: KOREA RES INST OF STANDARDS

Inventor： LEE JOO IN ,  KIM JUNG HYUNG ,  YOO YONG SHIM ,  SHIN YONG HYEON ,  LEE GEUN WOO

IPC: H01L33/20

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/06 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01L33/36 ,  H01L2933/0016

Abstract: PURPOSE: A photoelectric device and a forming method thereof are provided to fundamentally eliminate deformity due to lattice mismatch by forming a thick GaN(Gallium nitride) layer on different kinds of substrates. CONSTITUTION: A first semiconductor layer(13) is formed on a substrate(12). A second semiconductor layer(15) is formed on a semiconductor layer. An active layer(14) is interposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer. An active layer has a multiple quantum well structure. A first contact hole(18) exposes the first semiconductor layer. A first electrode(16) is arranged in a first contact hole.

Abstract translation: 目的：提供一种光电器件及其形成方法，从而通过在不同种类的衬底上形成厚的GaN（氮化镓）层从根本上消除由于晶格失配引起的畸形。 构成：在衬底（12）上形成第一半导体层（13）。 在半导体层上形成第二半导体层（15）。 在第一半导体层和第二半导体层之间插入有源层（14）。 有源层具有多量子阱结构。 第一接触孔（18）露出第一半导体层。 第一电极（16）布置在第一接触孔中。