公开(公告)号：DE112019003120T5

公开(公告)日：2021-03-11

申请号：DE112019003120

申请日：2019-06-18

Applicant: MICROCHIP TECH INC

Inventor： LENG YAOJIAN ,  SATO JUSTIN ,  STOM GREG

IPC: H01L27/01 ,  H01L21/822 ,  H01L49/02

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichtwiderstands- (TFR-) Moduls in einer Integrierten Schaltungs- (IC-) Struktur bereitgestellt. Ein TFR-Graben kann in einer Oxidschicht ausgebildet werden. Eine resistive TFR-Schicht kann über der Struktur abgeschieden werden und sich in den Graben erstrecken. Teile der TFR-Schicht außerhalb des Grabens können durch CMP entfernt werden, um ein TFR-Element zu definieren, das einen sich seitlich erstreckenden TFR-Bodenbereich und mehrere TFR-Grate aufweist, die sich von dem sich seitlich erstreckenden TFR-Bodenbereich nach oben erstrecken. Es kann zumindest ein CMP durchgeführt werden, um die gesamte oder Teile der Oxidschicht und zumindest eine Teilhöhe der TFR-Grate zu entfernen. Ein Paar voneinander beabstandeter Metallverbindungen kann dann über gegenüberliegenden Endbereichen des TFR-Elements ausgebildet werden, wobei jede Metallverbindung einen sich jeweils nach oben erstreckenden TFR-Grat kontaktiert, um dadurch zwischen den Metallverbindungen einen Widerstand über das TFR-Element zu definieren.

公开(公告)号：DE112018004327T5

公开(公告)日：2020-05-14

申请号：DE112018004327

申请日：2018-09-26

Applicant: MICROCHIP TECH INC

Inventor： HYMAS MEL ,  CHEN BOMY ,  STOM GREG ,  WALLS JAMES

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/788

Abstract: Ein Verfahren zum Ausbilden einer Speicherzelle, z. B. einer Flash-Speicherzelle, kann beinhalten: (a) Abscheiden von Polysilizium über einem Substrat, (b) Abscheiden einer Maske über dem Polysilizium, (c) Ätzen einer Öffnung in der Maske, um eine Oberfläche des Polysiliziums freizulegen, (d) Züchten eines Floating-Gate-Oxids auf der freiliegenden Polysiliziumoberfläche, (e) Abscheiden von zusätzlichem Oxid über dem Floating-Gate-Oxid, so dass das Floating-Gate-Oxid und das zusätzliche Oxid gemeinsam eine Oxidkappe festlegen, (f) Entfernen von Maskenmaterial benachbart zu der Oxidkappe, (g) Abätzen von Teilen des Polysiliziums, die von der Oxidkappe unbedeckt sind, wobei ein verbleibender Teil des Polysiliziums ein Floating Gate definiert, und (h) Abscheiden einer Abstandshalterschicht über der Oxidkappe und dem Floating Gate. Die Abstandshalterschicht kann einen Abschirmbereich aufweisen, der über zumindest einem nach oben weisenden Spitzenbereich des Floating Gate ausgerichtet ist, was dazu beiträgt, solche Spitzenbereiche vor einem nachfolgenden Source-Implantationsprozess zu schützen.