公开(公告)号：WO2015124636A3

公开(公告)日：2015-10-15

申请号：PCT/EP2015053430

申请日：2015-02-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WEHLUS THOMAS ,  LANG ERWIN ,  BAISL RICHARD ,  RIEDEL DANIEL ,  JAEGER ARNDT ,  RAUSCH ANDREAS ,  SCHARNER SILKE

IPC: H01L51/52 ,  H01L27/30

CPC classification number: H01L51/5088 ,  B82Y20/00 ,  H01L27/302 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5056 ,  H01L51/5072 ,  H01L51/5092 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5221 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/5259 ,  H01L51/5268 ,  H01L51/5278 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/5369

Abstract: An organic optoelectronic component (1) is disclosed in examples of different embodiments. Said organic optoelectronic component (1) has a first electrode (20), an organic functional layer structure (22) above the first electrode, and a second electrode (23) above the organic functional layer structure (22). The organic functional layer structure (22) comprises a charge carrier pair-generating layer structure (42). The charge carrier pair-generating layer structure (42) comprises electrically conductive nanostructures, the surfaces of which are at least partially covered with a coating material.

Abstract translation: 在各种实施例中，有机光电部件（1）设置。 有机光电子器件（1）具有第一电极（20），在所述第一电极上的有机功能层结构（22）和在所述有机功能层结构（22）的第二电极（23）。 该有机功能层结构（22）具有一个Ladungsträgerpaar-产生层结构（42）。 所述Ladungsträgerpaar-产生层结构（42）是导电的纳米结构包括其表面被至少部分地涂覆有涂层材料。

公开(公告)号：WO2013037764A3

公开(公告)日：2013-05-30

申请号：PCT/EP2012067722

申请日：2012-09-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  MUELLER KLAUS ,  GEYER GUDRUN ,  BAISL RICHARD

Inventor： MUELLER KLAUS ,  GEYER GUDRUN ,  BAISL RICHARD

IPC: H01L33/44 ,  H01L51/52

CPC classification number: H01L31/0203 ,  H01L33/44 ,  H01L33/56 ,  H01L51/448 ,  H01L51/5253 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: The invention relates to an optoelectronic component having an external surface (30) which faces the surroundings of the optoelectronic component and is formed by a hydrophobic layer (3) applied at least partially to a surface (10) of the optoelectronic component.

Abstract translation: 形成具有面向光电子部件周围的外表面（30）的光电子部件，该光电子部件由至少部分地施加在光电子部件的表面（10）上的疏水层（3）形成。

公开(公告)号：WO2012140050A3

公开(公告)日：2013-01-31

申请号：PCT/EP2012056536

申请日：2012-04-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  ENGL KARL ,  BAISL RICHARD ,  SCHLENKER TILMAN ,  HOEPPEL LUTZ ,  TAEGER SEBASTIAN ,  GAERTNER CHRISTIAN

Inventor： ENGL KARL ,  BAISL RICHARD ,  SCHLENKER TILMAN ,  HOEPPEL LUTZ ,  TAEGER SEBASTIAN ,  GAERTNER CHRISTIAN

IPC: H01L33/56 ,  H01L33/44 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L33/52 ,  H01L33/44 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2933/0025 ,  H01L2924/00014

Abstract: A method for producing a light-emitting semiconductor component is specified, wherein a light-emitting semiconductor chip (2) is arranged on a mounting area (10) of a carrier (1), wherein the semiconductor chip (2) is electrically connected to electrical contact regions (11, 12) on the mounting area (10), and wherein an encapsulation layer (3) is applied to the semiconductor chip (2) by means of atomic layer deposition, wherein all surfaces of the semiconductor chip (2) which are free after mounting and electrical connection are covered with an encapsulation layer (3). Furthermore, a light-emitting semiconductor component is specified.

Abstract translation: 提供了一种在其上的载体（1）的安装面（10）的发光半导体芯片（2）被布置成一种制造半导体发光器件的方法，其中所述半导体芯片（2）的电接触区（11，12） 在安装表面上（10）电连接，并且其中封装层（3）通过将半导体芯片（2），其中所有的自由组装后并用封装层的半导体芯片（2）的电连接的表面上的原子层沉积来施加（3） 都包括在内。 此外，发光半导体装置。

公开(公告)号：DE102014100832A1

公开(公告)日：2015-07-30

申请号：DE102014100832

申请日：2014-01-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： POPP MICHAEL ,  BAISL RICHARD

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/22

Abstract: Es wird eine ALD-Beschichtungsanlage (100) mit einem Vorratsbehälter (1) für ein metallorganisches Ausgangsmaterial (6), einem Zwischenbehälter (5) für eine Teilmenge (12) des metallorganischen Ausgangsmaterials (6) angegeben, wobei der Zwischenbehälter (5) eine Vorrichtung (2) zum Aufheizen des metallorganischen Ausgangsmaterials (6) aufweist, der Zwischenbehälter (5) über ein erstes Mehrwegeventil (10) dem Vorratsbehälter (1) nachgeordnet ist, und der Zwischenbehälter (5) über ein zweites Mehrwegeventil (20) mit einer Prozesskammer (7) und über ein drittes Mehrwegeventil (30) mit einer Auffangkammer (8) verbunden ist.

公开(公告)号：DE102011079160A1

公开(公告)日：2013-01-17

申请号：DE102011079160

申请日：2011-07-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BAISL RICHARD ,  BECKER DIRK ,  DOBBERTIN THOMAS ,  FISCHER DOREEN ,  KRUMMACHER BENJAMIN CLAUS ,  LANG ERWIN ,  SCHLENKER TILMAN ,  SCHMID CHRISTIAN

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/56

Abstract: Eine Verkapselungsstruktur für ein optoelektronisches Bauelement weist auf: eine Dünnschichtverkapselung zum Schutz des optoelektronischen Bauelements vor chemischen Verunreinigungen, eine auf der Dünnschichtverkapselung ausgebildete Klebeschicht und eine auf der Klebeschicht ausgebildete Deckschicht zum Schutz der Dünnschichtverkapselung und/oder des optoelektronischen Bauelements vor mechanischer Beschädigung.

公开(公告)号：DE102011079101A1

公开(公告)日：2013-01-17

申请号：DE102011079101

申请日：2011-07-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BAISL RICHARD

IPC: H01L51/52 ,  G02B1/10 ,  H01L51/56

Abstract: Organisches optoelektronisches Bauteil und Verfahren zu dessen Herstellung Eine Ausführungsform der Erfindung beschreibt ein organisches optoelektronisches Bauteil (1), umfassend: – ein Substrat (5), – eine erste Elektrode (6), die auf dem Substrat (5) angeordnet ist, – eine zweite Elektrode (8), – einen organischen Schichtenstapel (7), der zumindest eine organische aktive Schicht umfasst und zwischen erster und zweiter Elektrode (6, 8) angeordnet ist, und – eine zumindest im Strahlengang (20) des Bauteils angeordnete erste UV-Strahlung absorbierende Schicht (10), die ein Metalloxid umfasst und die für sichtbares Licht transparent ist.

公开(公告)号：DE102009054742A1

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：DE102009054742

申请日：2009-12-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BAISL RICHARD

IPC: H01L51/52 ,  H01L23/36 ,  H01S5/36

Abstract: Eine organische lichtemittierende Vorrichtung (100) umfasst eine aktiven Schicht zur Erzeugung elektrolumineszenter Strahlung und eine Wärmeleitschicht (206) zur Abführung von Wärme, die während eines Elektrolumineszenzvorgangs entsteht. Die Wärmeleitschicht (206) eine Wärmeleitfähigkeit von mehr als 200 W/mK, insbesondere von mehr als 500 W/mK, auf.

公开(公告)号：DE102013105555A1

公开(公告)日：2014-12-04

申请号：DE102013105555

申请日：2013-05-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BAISL RICHARD ,  LANG ERWIN ,  POPP MICHAEL ,  SCHLENKER TILMAN

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/44

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) mit einer organischen Schichtenfolge (2), die mindestens eine zur Erzeugung oder Absorption von elektromagnetischer Strahlung vorgesehenen aktive Schicht aufweist und eine Elektrode (3), die ein Metall (4) und Germanium (5) enthält.

公开(公告)号：DE102012220586A1

公开(公告)日：2014-05-15

申请号：DE102012220586

申请日：2012-11-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BAISL RICHARD ,  INGLE ANDREW ,  LANG ERWIN

IPC: H01L51/52 ,  H01L33/44 ,  H01L33/48 ,  H01L51/44

Abstract: Es wird ein Element (1) zur Stabilisierung eines optoelektronischen Bauelements (7) angegeben, wobei das Element (1) einen Grundkörper (1C) aufweist, wobei der Grundkörper (1C) aus einem Glas besteht oder zumindest ein Glas aufweist und wobei der Grundkörper (1C) eine erste und eine zweite Oberfläche (1A, 1B) aufweist. Die erste und die zweite Oberfläche (1A, 1B) liegen einander gegenüber und erstrecken sich jeweils entlang einer lateralen Haupterstreckungsrichtung des Elements (1), wobei zumindest an einer der Oberflächen (1A, 1B) eine Schutzschicht (2A, 2B) ausgebildet ist und wobei die Schutzschicht (2A, 2B) derart ausgebildet und angeordnet ist, dass in dem Grundkörper (1C) vorhandene Risse (3) durch ein Material der Schutzschicht (2A, 2B) aufgefüllt sind. Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung eines Elements (1) zur Stabilisierung eines optoelektronischen Bauelements (7) angegeben. Ferner wird ein optoelektronisches Bauelement (7) angegeben.

公开(公告)号：DE102012221080A1

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：DE102012221080

申请日：2012-11-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BAISL RICHARD ,  POPP MICHAEL

IPC: H01L51/56 ,  C23C16/44 ,  H01L21/283 ,  H01L21/56 ,  H01L23/28 ,  H01L31/0203 ,  H01L33/44 ,  H01L51/48

Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung zumindest einer Schicht (1) auf einem Oberflächenbereich (2) eines optoelektronischen Bauelements (100, 101, 102, 103, 104, 105), das eine funktionelle Schichtenfolge (41) mit einem aktiven Bereich aufweist, der geeignet ist, im Betrieb des optoelektronischen Bauelements Licht zu erzeugen oder zu detektieren, weist die Schritte auf: – Bereitstellen des Oberflächenbereichs (2) in einer Beschichtungskammer (10), – Aufbringen der zumindest einen Schicht (1) mittels eines Lichtblitz unterstützten Atomlagenabscheideverfahrens, bei dem der Oberflächenbereich (2) zumindest einem gasförmigen ersten Ausgangsmaterial (21) für die zumindest eine Schicht (1) ausgesetzt wird und mit zumindest einem Lichtblitz bestrahlt wird.