公开(公告)号：WO2013045328A8

公开(公告)日：2013-06-06

申请号：PCT/EP2012068431

申请日：2012-09-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  GEHRKE KAI ,  PERZLMAIER KORBINIAN ,  FLOETER RICHARD ,  SCHMID CHRISTIAN

Inventor： GEHRKE KAI ,  PERZLMAIER KORBINIAN ,  FLOETER RICHARD ,  SCHMID CHRISTIAN

IPC: H01L33/40

CPC classification number: H01L33/60 ,  H01L33/405

Abstract: In at least one embodiment, the optoelectronic semiconductor chip (1) has a semiconductor layer sequence (2) for producing electromagnetic radiation and also a silver mirror (3). The silver mirror (3) is arranged on the semiconductor layer sequence (2). The silver of the silver mirror (3) has oxygen added to it. A weight proportion of the oxygen in the silver mirror (3) is preferably at least 10-5 and with further preference no more than 10%.

Abstract translation: 在至少一个实施例中，光电子半导体芯片（1）具有用于产生电磁辐射的半导体层序列（2）和银镜（3）。 银镜（3）布置在半导体层序列（2）上。 加入银镜（3）氧银。 银镜（3）上的氧的重量比例优选为10 -5以上，进一步优选为10％以下。

公开(公告)号：DE102011079160A1

公开(公告)日：2013-01-17

申请号：DE102011079160

申请日：2011-07-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BAISL RICHARD ,  BECKER DIRK ,  DOBBERTIN THOMAS ,  FISCHER DOREEN ,  KRUMMACHER BENJAMIN CLAUS ,  LANG ERWIN ,  SCHLENKER TILMAN ,  SCHMID CHRISTIAN

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/56

Abstract: Eine Verkapselungsstruktur für ein optoelektronisches Bauelement weist auf: eine Dünnschichtverkapselung zum Schutz des optoelektronischen Bauelements vor chemischen Verunreinigungen, eine auf der Dünnschichtverkapselung ausgebildete Klebeschicht und eine auf der Klebeschicht ausgebildete Deckschicht zum Schutz der Dünnschichtverkapselung und/oder des optoelektronischen Bauelements vor mechanischer Beschädigung.

公开(公告)号：DE102008033017A1

公开(公告)日：2010-01-21

申请号：DE102008033017

申请日：2008-07-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HEUSER KARSTEN ,  SCHMID CHRISTIAN ,  SCHLENKER TILMAN ,  GROEPPEL PETER

IPC: H01L51/56 ,  H01L51/00

Abstract: A method for encapsulating an optoelectronic component by depositing a diffusion barrier for protection against environmental influences by means of an atmospheric pressure plasma on at least one subarea of the surface of the optoelectronic component.

公开(公告)号：DE102007046730A1

公开(公告)日：2009-04-02

申请号：DE102007046730

申请日：2007-09-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HEUSER KARSTEN ,  SCHLENKER TILMAN ,  SCHMID CHRISTIAN

IPC: H01L51/00

Abstract: The organic electronic component (22) has a substrate (1) and is provided on the substrate. A cover (5) is arranged over the component, which is connected with the substrate in negatively bonded manner at the edge side with the help of a connecting material (6). The cover is soldered or welded with the substrate. An independent claim is included for a method for producing an organic electronic element.

公开(公告)号：DE112014002434A5

公开(公告)日：2016-02-18

申请号：DE112014002434

申请日：2014-05-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GROSSER JULIA ,  FLÖTER RICHARD ,  SCHMID CHRISTIAN ,  BRÖLL MARKUS

IPC: H01L33/00

公开(公告)号：DE102011115299A1

公开(公告)日：2013-04-04

申请号：DE102011115299

申请日：2011-09-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GEHRKE KAI ,  PERZLMAIER KORBINIAN ,  FLOETER RICHARD ,  SCHMID CHRISTIAN

IPC: H01L33/46 ,  H01S5/028

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform weist der optoelektronische Halbleiterchip (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2) zur Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung auf sowie einen Silberspiegel (3). Der Silberspiegel (3) ist an der Halbleiterschichtenfolge (2) angeordnet. Dem Silber des Silberspiegels (3) ist Sauerstoff beigegeben. Ein Gewichtsanteil des Sauerstoffs an dem Silberspiegel (3) beträgt bevorzugt mindestens 10–5 und ferner bevorzugt höchstens 10%.

公开(公告)号：DE102010033943A1

公开(公告)日：2012-02-16

申请号：DE102010033943

申请日：2010-08-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHMID CHRISTIAN

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/268 ,  H01L31/18 ,  H01L33/16

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Heizen von Halbleitermaterial (2) angegeben, bei dem ein Halbleitermaterial mit zumindest einem dotierten Halbleiterbereich (21, 22) relativ zu einer Induktoranordnung (3) positioniert wird und ein Wechselstrom in die Induktoranordnung (3) eingeprägt wird, so dass in dem dotierten Halbleiterbereich (21, 22) ein elektrischer Strom induziert wird. Weiterhin wird eine Vorrichtung zum Heizen von Halbleitermaterial angegeben.

公开(公告)号：DE102008031405A1

公开(公告)日：2010-01-07

申请号：DE102008031405

申请日：2008-07-02

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHMID CHRISTIAN ,  ZULL HERIBERT ,  SCHLENKER TILMAN

IPC: H01L51/56

Abstract: Production of an electronic component encapsulated in barrier layers involves (a) applying first barrier layer(s) (3) to a functional layer of a substrate (1) by plasma-less atomic layer deposition (PLALD) and (b) applying second barrier layer(s) (4) to the functional layer by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD). An independent claim is included for an organic opto-electronic component obtained by the process.

公开(公告)号：DE102012103686A1

公开(公告)日：2013-10-31

申请号：DE102012103686

申请日：2012-04-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERTKORN JOACHIM ,  FREY ALEXANDER ,  SCHMID CHRISTIAN

IPC: H01L33/12 ,  C30B25/18 ,  C30B29/38 ,  H01L21/205 ,  H01L33/32

Abstract: Es wird ein Epitaxiesubstrat (11, 12, 13) für ein Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial angegeben, das eine Nukleationsschicht (2) direkt auf einem Substrat (1) aufweist, wobei die Nukleationsschicht (2) zumindest eine erste Schicht (21) aus AlON mit einer Säulenstruktur aufweist. Weiterhin werden ein Verfahren zur Herstellung eines Epitaxiesubstrats und ein optoelektronischer Halbleiterchip mit einem Epitaxiesubstrat

公开(公告)号：DE112009000756A5

公开(公告)日：2010-12-30

申请号：DE112009000756

申请日：2009-01-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHMID CHRISTIAN ,  SCHLENKER TILMAN ,  ZULL HERIBERT ,  PAETZOLD RALPH ,  KLEIN MARKUS ,  HEUSER KARSTEN

IPC: H01L51/52