公开(公告)号：WO2015154922A1

公开(公告)日：2015-10-15

申请号：PCT/EP2015/054641

申请日：2015-03-05

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HIRMER, Marika ,  HERTKORN, Joachim ,  FREY, Alexander ,  WEIMAR, Andreas ,  LAUX, Harald ,  BAUER, Adam ,  WALTER, Alexander

IPC: H01L21/268 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L21/7813 ,  H01L33/0095

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Ablösen einer Halbleiterschichtenfolge (2) von einem Substrat (1) angegeben, bei dem die Halbleiterschichtenfolge auf dem Substrat bereitgestellt wird, wobei die Halbleiterschichtenfolge eine Trennschicht (4) und zwischen dem Substrat und der Trennschicht eine Wärmeisolationsschicht (3) aufweist und wobeidie Wärmeisolationsschicht eine geringere Wärmeleitfähigkeit aufweist als ein auf einer dem Substrat zugewandten Seite angrenzendes Material. Die Trennschicht wird mit kohärenter Strahlung bestrahlt, wobei die Wärmeisolationsschicht für die Strahlung durchlässig ist und Material der Trennschicht durch die in der Trennschicht absorbierte Strahlung zumindest bereichsweise zersetzt wird.

Abstract translation: 提供了一种方法，用于分离的半导体层序列（2）的基板（1），其中，所述半导体层序列被设置在基板上，其中所述半导体层序列具有分离层（4）和所述基板和所述分离层的热绝缘层（3）之间 且其中所述绝热层具有比在所述衬底相邻的材料的一侧上的面向下的热传导率。 分离层照射相干辐射，其中，所述绝热层是透明的辐射和分离层的材料是通过在分离层中所吸收的辐射至少部分地分解。

公开(公告)号：WO2022028910A1

公开(公告)日：2022-02-10

申请号：PCT/EP2021/070563

申请日：2021-07-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： DIMMELMEIER, Harald ,  LAUX, Harald ,  OFF, Jürgen

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  C23C16/458 ,  C30B25/10

Abstract: Ein Wafer-Carrier (100) umfasst eine erste Hauptoberfläche (101), die zur Aufnahme von Wafern (105) geeignet ist, und eine zweite Hauptoberfläche (102), die auf einer der ersten Hauptoberfläche (101) gegenüberliegenden Seite angeordnet ist, sowie eine zum Wafer-Carrier (100) konzentrische ringförmige Vertiefung (131, 132, 133) oder Wafer-Carriermaterial enthaltende Erhebung (136, 137) im Bereich der zweiten Hauptoberfläche.

公开(公告)号：WO2016050605A2

公开(公告)日：2016-04-07

申请号：PCT/EP2015/071996

申请日：2015-09-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BEHRES, Alexander ,  LUGAUER, Hans-Jürgen ,  MOOSBURGER, Jürgen ,  BLEICHER, Thomas ,  LAUX, Harald ,  SABATHIL, Matthias

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L21/67248 ,  C23C14/505 ,  C23C14/541 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/481 ,  C23C16/483 ,  C23C16/52 ,  C30B25/105 ,  C30B25/12 ,  C30B25/16 ,  C30B29/06 ,  C30B29/40 ,  H01L21/68771 ,  H01L22/12

Abstract: Es wird ein Verfahren für das Aufwachsen von Halbleiterschichten angegeben. Dabei wird in einem Schritt A ein Träger (1) bereitgestellt. In einem Schritt B wird zumindest ein Substrat (2) auf den Träger (1) aufgebracht. Ferner wird in einem Schritt C ein Aufwachsprozess ausgeführt, bei dem eine Halbleiterschichtenfolge (20) auf eine dem Träger (1) abgewandte Hauptseite des Substrats (2) aufgewachsen wird. Die fertig gewachsene Halbleiterschichtenfolge (20) emittiert im bestimmungsgemäßen Betrieb elektromagnetischer Strahlung. In einem weiteren Schritt D wird ein Temperaturmessprozess durchgeführt, bei dem ein Temperaturprofil (3) des Substrats (2), welches während des Aufwachsprozesses in dem Substrat (2) auftritt, bestimmt wird. Zusätzlich wird ein Schritt E ausgeführt, bei dem der Träger (1) und/oder das Substrat (2) vor oder während des Aufwachsprozesses gezielt bearbeitet werden. Dadurch wird die Temperatur in ausgesuchten Bereichen des Substrats (2) verändert und ein Emissionssprofil der fertig gewachsenen Halbleiterschichtenfolge (20) geglättet.

Abstract translation: 公开了一种用于半导体层的生长的方法。 在这种情况下，在步骤A中，载体（1）设置。 在步骤B中，至少施加在所述支承件（1）的基板（2）。 此外，在步骤C中，生长过程中进行，其中从该衬底（2）的所述支承件（1）主侧背离的半导体层序列（20）生长。 在电磁辐射的正常操作所发出的准备生长半导体层序列（20）。 在进一步的步骤D中，进行的温度测量方法，其中所述基板（2）的温度分布（3），其在所述基板（2）的生长过程中发生被确定。 此外，执行步骤E中，其中所述载体（1）和/或所述衬底（2）被选择性地之前或在生长过程中进行处理。 其特征在于所述温度在所述基板（2）的选择区域改变并且平滑Emissionssprofil完全生长的半导体层序列（20）。