公开(公告)号：DE102012215265A1

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：DE102012215265

申请日：2012-08-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： AUEN KARSTEN ,  DACHS JUERGEN ,  ENZMANN ROLAND ,  GRAUL MARKUS ,  HANEDER STEPHAN ,  ROZYNSKI ANDREAS ,  SWIETLIK TOMASZ

IPC: H01S5/028 ,  H01S5/02

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Laserdiode, wobei mehrere Laserdioden auf einem Wafer hergestellt werden, wobei der Wafer in Waferstücke zerteilt wird, wobei jedes Waferstück mehrere Laserdioden nebeneinander aufweist, wobei ein Waferstück in eine erste Halterung eingelegt wird, wobei die erste Halterung ein erstes Abdeckelement aufweist, das über eine Vorderseite des Waferstücks hinausragt und einen unteren Bereich der Vorderseite des Waferstückes abschattet, wobei auf einen nicht abgeschatteten oberen Bereich der Vorderseite des Waferstückes eine Spiegelschicht abgeschieden wird, wobei das Waferstück in eine zweite Halterung eingelegt wird, wobei die zweite Halterung ein zweites Abdeckelement aufweist, wobei das zweite Abdeckelement die Spiegelschicht des oberen Bereiches der Vorderseite abschattet, wobei auf einen nicht abgeschatteten unteren Bereich der Vorderseite des Waferstückes eine elektrisch leitende Kontaktschicht abgeschieden wird, wobei das Waferstück anschließend in einzelne Laserdioden aufgeteilt wird. Zudem betrifft die Erfindung eine einfach herzustellende Laserdiode und Halterungen zur Durchführung des Verfahrens.

公开(公告)号：DE102012215265B4

公开(公告)日：2022-09-22

申请号：DE102012215265

申请日：2012-08-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： AUEN KARSTEN ,  DACHS JÜRGEN ,  ENZMANN ROLAND ,  GRAUL MARKUS ,  HANEDER STEPHAN ,  ROZYNSKI ANDREAS ,  SWIETLIK TOMASZ

IPC: H01S5/028 ,  H01S5/02

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Laserdiode, wobei mehrere Laserdioden mit Laserdiodenstrukturen (2) auf einem Wafer hergestellt werden, wobei der Wafer in Waferstücke zerteilt wird, wobei jedes Waferstück (1) als Tragelement mehrere Laserdioden nebeneinander aufweist, wobei ein Waferstück in eine erste Halterung (6) eingelegt wird, wobei die erste Halterung ein erstes Abdeckelement (10) aufweist, das über eine Vorderseite des Waferstücks hinausragt und einen unteren Bereich (16) der Vorderseite des Waferstückes abschattet, wobei auf einen nicht abgeschatteten oberen Bereich (11) der Vorderseite des Waferstückes eine Spiegelschicht (15) abgeschieden wird, wobei das Waferstück in eine zweite Halterung (12) eingelegt wird, wobei die zweite Halterung ein zweites Abdeckelement (14) aufweist, wobei das zweite Abdeckelement die Spiegelschicht des oberen Bereiches der Vorderseite abschattet, wobei auf einen nicht abgeschatteten unteren Bereich der Vorderseite des Waferstückes eine elektrisch leitende Kontaktschicht (19) abgeschieden wird, wobei das Waferstück anschließend in einzelne Laserdioden aufgeteilt wird,wobei anschließend an der Kontaktschicht (19) der Laserdiode ein optisches Bauelement befestigt wird, wobei das optische Bauelement ein weiteres Tragelement (20) und eine optische Faser (21) aufweist, wobei die optische Faser (21) auf die Laserdiodenstruktur (2) der Laserdiode ausgerichtet wird, um eine von der Laserdiodenstruktur (2) ausgekoppelte Laserstrahlung aufzunehmen und weiterzuleiten,wobei die Kontaktschicht (19) zum Montieren des weiteren Tragelements (20) und zum Anschluss eines weiteren elektrischen Kontaktes (36) zum Betreiben der Laserdiode dient.

公开(公告)号：DE102013104728A1

公开(公告)日：2014-11-13

申请号：DE102013104728

申请日：2013-05-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HORN MARKUS ,  ROZYNSKI ANDREAS ,  AUEN KARSTEN ,  HANEDER STEPHAN ,  DOBBERTIN THOMAS

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/40

Abstract: Es wird eine Laserdiodenvorrichtung angegeben, umfassend – einen Träger (1) mit einer Trägeroberseite (11), – zumindest einen Laserdiodenchip (4), welcher an der Trägeroberseite (11) angeordnet ist, wobei der Laserdiodenchip (4) im Betrieb elektromagnetische Strahlung durch eine Abstrahlfläche (5) emittiert, wobei die Abstrahlfläche (5) senkrecht zur Trägeroberseite (11) verläuft, und – zumindest ein optisches Element (6), das die vom Laserdiodenchip (4) abgestrahlte elektromagnetische Strahlung zumindest teilweise senkrecht zur Trägeroberseite (11) umlenkt.

公开(公告)号：DE112014002330A5

公开(公告)日：2016-01-21

申请号：DE112014002330

申请日：2014-04-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HORN MARKUS REINHARD ,  ROZYNSKI ANDREAS ,  AUEN KARSTEN ,  DOBBERTIN THOMAS ,  HANEDER STEPHAN

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/024 ,  H01S5/323 ,  H01S5/40