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公开(公告)号：DE102012104671B4
公开(公告)日：2020-03-05
申请号：DE102012104671
申请日：2012-05-30
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： HERTKORN JOACHIM , LEHNHARDT THOMAS , EICHFELDER MARCUS , AHL JAN-PHILIPP
Abstract: Verfahren zur Herstellung einer aktiven Zone (2) für einen optoelektronischen Halbleiterchip (1) mit den Schritten:- Wachsen einer vierten Barriereschicht (24) basierend auf AlInGaN mit 0 ≤ x4 ≤ 0,40 und im Mittel 0
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公开(公告)号：DE112018001095A5
公开(公告)日：2019-12-19
申请号：DE112018001095
申请日：2018-02-28
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： HERTKORN JOACHIM , EICHFELDER MARCUS
IPC: H01L33/14 , H01L29/20 , H01L31/0304 , H01L33/12 , H01L33/32
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公开(公告)号：DE102013200507A1
公开(公告)日：2014-07-17
申请号：DE102013200507
申请日：2013-01-15
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： LEHNHARDT THOMAS , EICHFELDER MARCUS , OFF JÜRGEN , HAHN BERTHOLD , HERTKORN JOACHIM
Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einer aktiven Zone zur Erzeugung von Licht, wobei die aktive Zone wenigstens eine erste Schicht mit In aufweist, wobei die erste Schicht an eine zweite Schicht grenzt, wobei im Grenzbereich zwischen der ersten und der zweiten Schicht eine Submonolage einer Zwischenschicht mit Aluminium vorgesehen ist. Zudem betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterbauelements.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102012104671A1
公开(公告)日：2013-12-05
申请号：DE102012104671
申请日：2012-05-30
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： HERTKORN JOACHIM , LEHNHARDT THOMAS , EICHFELDER MARCUS , AHL JAN-PHILIPP
Abstract: In mindestens einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung einer aktiven Zone für einen optoelektronischen Halbleiterchip eingerichtet und umfasst die Schritte: – Wachsen einer vierten Barriereschicht (24) basierend auf Alx4Iny4Ga1-x4-y4N mit 0 ≤ x4 ≤ 0,40 und im Mittel 0
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公开(公告)号：DE102017113585A1
公开(公告)日：2018-12-20
申请号：DE102017113585
申请日：2017-06-20
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： EICHFELDER MARCUS , HERTKORN JOACHIM
Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst die Halbleiterschichtenfolge (100) eine aktive Schicht (1) zur Emission oder Absorption elektromagnetischer Strahlung. Ferner umfasst die Halbleiterschichtenfolge (100) eine dotierte Stromaufweitungsschicht (10) zur Verteilung von ersten Ladungsträgern entlang der lateralen Ausdehnung der Halbleiterschichtenfolge (100). Die Stromaufweitungsschicht (10) weist eine Mehrzahl undotierter Schichten (11) auf. Zwischen je zwei undotierten Schichten (11) ist eine dotierte Schicht (12, 13) angeordnet.
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公开(公告)号：DE102016120419A1
公开(公告)日：2018-04-26
申请号：DE102016120419
申请日：2016-10-26
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： EICHFELDER MARCUS , WALTER ALEXANDER
IPC: H01L33/02
Abstract: Es wird ein Halbleiterkörper (10) angegeben mit:einem n-dotierten Bereich (20),einem aktiven Bereich (60), undeinem p-dotierten Bereich (70), wobeider aktive Bereich (60) zwischen dem n-dotierten (20) und dem p-dotierten Bereich (70) angeordnet ist,der n-dotierte Bereich (20) umfasst:eine erste Schichtenfolge (30), welche Paare von alternierenden Schichten aufweist, wobeisich eine erste und eine zweite Schicht (31, 32) jedes Paars in ihrer Dotierkonzentration unterscheiden,die erste und die zweite Schicht (31, 32) jedes Paars bis auf ihre Dotierung die gleiche Materialzusammensetzung aufweisen, undeine zweite Schichtenfolge (50), welche Paare von alternierenden Schichten aufweist, wobeisich eine erste und eine zweite Schicht (51, 52) jedes Paars in ihrer Materialzusammensetzung unterscheiden, unddie zweite Schichtenfolge (50) zwischen der ersten Schichtenfolge (30) und dem aktiven Bereich (60) angeordnet ist.
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公开(公告)号：DE112018001095B4
公开(公告)日：2025-05-15
申请号：DE112018001095
申请日：2018-02-28
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： HERTKORN JOACHIM , EICHFELDER MARCUS
IPC: H10H20/816 , H10D62/85 , H10F77/124 , H10H20/811 , H10H20/815 , H10H20/825
Abstract: Halbleiterkörper (10) mit:- einem p-dotierten Bereich (20),- einem aktiven Bereich (30),- einer Zwischenschicht (40), und- einem Schichtenstapel (41), der Indium enthält, wobei sich die Indium-Konzentration im Schichtenstapel (41) entlang einer Stapelrichtung (z) ändert, und der Schichtenstapel (41) abgesehen von Dotierstoffen mit genau einem Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial gebildet ist, wobei- die Zwischenschicht (40) nominell frei von Indium ist, zwischen dem Schichtenstapel (41) und dem aktiven Bereich (30) angeordnet ist und direkt an den Schichtenstapel (41) angrenzt,- die Zwischenschicht (40) und/oder der Schichtenstapel (41) zumindest stellenweise n-dotiert sind,- die Dotierstoffkonzentration des Schichtenstapels (41) wenigstens 5 * 10171/cm3und höchstens 2 * 10181/cm3beträgt, und- die Dotierstoffkonzentration der Zwischenschicht (40) wenigstens 2 * 10181/cm3und höchstens 3 * 10191/cm3beträgt.
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公开(公告)号：DE102017104370A1
公开(公告)日：2018-09-06
申请号：DE102017104370
申请日：2017-03-02
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： HERTKORN JOACHIM , EICHFELDER MARCUS
Abstract: Es wird ein Halbleiterkörper (10) angegeben mit:- einem p-dotierten Bereich (20),- einem aktiven Bereich (30),- einer Zwischenschicht (40), und- einem Schichtenstapel (41), der Indium enthält, wobei sich die Indium-Konzentration im Schichtenstapel (41) entlang einer Stapelrichtung (z) ändert, und der Schichtenstapel (41) abgesehen von Dotierstoffen mit genau einem Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial gebildet ist, wobei- die Zwischenschicht (40) nominell frei von Indium ist, zwischen dem Schichtenstapel (41) und dem aktiven Bereich (30) angeordnet ist und direkt an den Schichtenstapel (41) angrenzt, und- die Zwischenschicht (40) und/oder der Schichtenstapel (41) zumindest stellenweise n-dotiert sind.
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