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    Optoelektronisches Bauelement
    2.
    发明专利
    Optoelektronisches Bauelement 未知

    公开(公告)号：DE102016123972A1

    公开(公告)日：2018-06-14

    申请号：DE102016123972

    申请日：2016-12-09

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： PUST PHILIPP ,  RACZ DAVID ,  AHL JAN-PHILIPP ,  BAUER ADAM ,  PETERSEN KIRSTIN

    IPC: H01L33/50 ,  H01L33/52

    Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben. Das optoelektronische Bauelement umfassteinen Halbleiterchip, der dazu eingerichtet ist, eine elektromagnetische Primärstrahlung zu emittieren,ein Konversionselement umfassend Konverterpartikel, die dazu eingerichtet sind, die elektromagnetische Primärstrahlung zumindest teilweise in eine elektromagnetische Sekundärstrahlung im grünen Bereich des elektromagnetischen Spektrums zu konvertieren, wobei die Konverterpartikel eine Quantenstruktur mit Barriereschichten und Quantenschichten aufweisen und die Quantenschichten und die Barriereschichten alternierend angeordnet sind.

    Optoelektronisches Bauelement
    3.
    发明专利
    Optoelektronisches Bauelement 未知

    公开(公告)号：DE102012217644A1

    公开(公告)日：2014-03-27

    申请号：DE102012217644

    申请日：2012-09-27

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HERTKORN JOACHIM ,  AHL JAN-PHILIPP ,  ZINI LORENZO ,  PETER MATTHIAS ,  MEYER TOBIAS ,  FREY ALEXANDER

    IPC: H01L33/06 ,  H01L21/20 ,  H01L33/18

    Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Substrats, zum Aufbringen einer Nukleationsschicht auf einer Oberfläche des Substrats, zum Aufbringen und Strukturieren einer Maskenschicht auf der Nukleationsschicht, zum Aufwachsen eines Nitridhalbleiters in einem ersten Wachstumsschritt, wobei Stege angelegt werden, die ein laterales Gitter bilden, wobei die Stege in Wachstumsrichtung abschnittsweise trapezförmige Querschnittsflächen aufweisen, und zum lateralen Überwachsen der Stege mit einem Nitridhalbleiter in einem zweiten Wachstumsschritt, um Freiräume zwischen den Stegen zu schließen.

    Elektronisches Bauteil sowie Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils
    4.
    发明专利
    Elektronisches Bauteil sowie Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils 未知

    公开(公告)号：DE102015120896A1

    公开(公告)日：2017-06-08

    申请号：DE102015120896

    申请日：2015-12-02

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BAUER ADAM ,  WALTER ALEXANDER ,  GOMEZ-IGLESIAS ALVARO ,  AHL JAN-PHILIPP

    IPC: H01L33/18 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L33/06

    Abstract: Es wird ein elektronisches Bauteil angegeben, umfassend – eine erste Halbleiterschicht (11), – eine zweite Halbleiterschicht (12) und – eine aktive Zone (13) mit einer Quantentopfstruktur aufweisend eine Vielzahl von Quantentopfschichten (131), wobei – die aktive Zone (13) zusammenhängend zwischen der ersten Halbleiterschicht (11) und der zweiten Halbleiterschicht (12) ausgebildet ist, – die aktive Zone (13) zumindest eine Unterbrechung (2) aufweist, die sich in einer vertikalen Richtung (z) durch zumindest eine der Quantentopfschichten (131) hindurch erstreckt, – die zumindest eine Unterbrechung (2) mit einem Halbleitermaterial gebildet ist oder daraus besteht, und – die zumindest eine Unterbrechung (2) eine andere Materialzusammensetzung als die an die Unterbrechung (2) angrenzende Quantentopfschicht (131) aufweist.

    Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip
    7.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip 未知

    公开(公告)号：DE102012107001A1

    公开(公告)日：2014-02-06

    申请号：DE102012107001

    申请日：2012-07-31

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HERTKORN JOACHIM ,  ZINI LORENZO ,  AHL JAN-PHILIPP ,  FREY ALEXANDER

    IPC: H01L33/12 ,  H01L33/32

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips (1) eingerichtet. Das Verfahren umfasst zumindest die folgenden Schritte in der angegebenen Reihenfolge: A) Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (2) mit einer Aufwachsseite (20), B) Abscheiden mindestens einer auf AlxGa1-xOyN1-y basierenden Nukleationsschicht (3) an der Aufwachsseite (20), C) Abscheiden und Strukturieren einer Maskierungsschicht (4), D) optionales Aufwachsen einer auf GaN basierenden Anwachsschicht (5) in nicht von der Maskierungsschicht (4) bedeckten Bereichen an der Nukleationsschicht (3), E) teilweises Entfernen der Nukleationsschicht (3) und/oder der Anwachsschicht (5) in nicht von der Maskierungsschicht (4) bedeckten Bereichen oder Aufbringen einer zweiten Maskierungsschicht (7) auf der Nukleationsschicht (3) oder auf der Anwachsschicht (5) in den nicht von der Maskierungsschicht (4) bedeckten Bereichen, und F) Aufwachsen einer auf AlInGaN basierenden Halbleiterschichtenfolge (6) mit mindestens einer aktiven Schicht (65).

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