公开(公告)号：WO2011080144A2

公开(公告)日：2011-07-07

申请号：PCT/EP2010070274

申请日：2010-12-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  PETER MATTHIAS ,  MEYER TOBIAS ,  GMEINWIESER NIKOLAUS ,  TAKI TETSUYA ,  LUGAUER HANS-JUERGEN ,  WALTER ALEXANDER

Inventor： PETER MATTHIAS ,  MEYER TOBIAS ,  GMEINWIESER NIKOLAUS ,  TAKI TETSUYA ,  LUGAUER HANS-JUERGEN ,  WALTER ALEXANDER

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/025 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: In at least one form of embodiment of the optoelectronic semiconductor chip (100), said chip comprises a semiconductor layer sequence (1) based on GaN, InGaN, AlGaN und/oder InAlGaN. The semiconductor layer sequence (1) contains a p-doped layer sequence (2), an n-doped layer sequence (4), and an active zone (3) between the p-doped layer sequence (2) and the n-doped layer sequence (4). The semiconductor layer sequence (1) comprises at least one intermediate layer (5) based on AlxGa1-xN, where 0

Abstract translation: 在光电子半导体芯片（100），其包括的至少一个实施例的GaN基，氮化铟镓，AlGaN和（1）/或InAlGaN系半导体层序列。 半导体层序列（1）包括p掺杂的层序列（2），位于p型掺杂的（2）和n型掺杂的层序列（4）之间和活性区（3）n型掺杂的层序列（4） 定位。 此外，半导体层序列（1）包括至少一个基于的Al x Ga 1-X N的中间层（5），其特征在于，0

公开(公告)号：DE102009060747B4

公开(公告)日：2025-01-09

申请号：DE102009060747

申请日：2009-12-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PETER MATTHIAS DR ,  MEYER TOBIAS ,  WALTER ALEXANDER ,  TAKI TETSUYA DR ,  OFF JÜRGEN DR ,  BUTENDEICH RAINER DR ,  HERTKORN JOACHIM DR

IPC: H10H20/812 ,  H10D62/815

Abstract: Halbleiterchip (1), der einen Halbleiterkörper (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge aufweist, wobei- die Halbleiterschichtenfolge eine n-leitende Mehrschichtstruktur (21), eine p-leitende Halbleiterschicht (22) und einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20), der zwischen der n-leitenden Mehrschichtstruktur (21) und der p-leitenden Halbleiterschicht (22) angeordnet ist, aufweist;- in der n-leitenden Mehrschichtstruktur (21) ein Dotierprofil ausgebildet ist, das zumindest eine Dotierspitze (4) aufweist,- die n-leitende Mehrschichtstruktur (21) eine Quantenstruktur mit einer Mehrzahl von Quantenschichten (211) aufweist, die zwischen Barriereschichten (212) angeordnet sind,- das Dotierprofil eine weitere Dotierspitze (41) aufweist,- ein Teilbereich (216) der Quantenstruktur der n-leitenden Mehrschichtstruktur (21) mittels der weiteren Dotierspitze (41) eine hohe Dotierkonzentration aufweist, und- zwischen der weiteren Dotierspitze (41) und der Dotierspitze (4) ein niedrig n-leitend dotierter Bereich (45) der Quantenstruktur ausgebildet ist, wobei der niedrig n-leitend dotierte Bereich (45) mindestens eine Quantenschicht (211) und mindestens eine Barriereschicht (212) enthält.

公开(公告)号：DE112015001767A5

公开(公告)日：2017-01-19

申请号：DE112015001767

申请日：2015-03-05

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERTKORN JOACHIM ,  FREY ALEXANDER ,  WEIMAR ANDREAS ,  HIRMER MARIKA ,  LAUX HARALD ,  BAUER ADAM ,  WALTER ALEXANDER

IPC: H01L21/268 ,  H01L33/00

公开(公告)号：DE102016120419A1

公开(公告)日：2018-04-26

申请号：DE102016120419

申请日：2016-10-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： EICHFELDER MARCUS ,  WALTER ALEXANDER

IPC: H01L33/02

Abstract: Es wird ein Halbleiterkörper (10) angegeben mit:einem n-dotierten Bereich (20),einem aktiven Bereich (60), undeinem p-dotierten Bereich (70), wobeider aktive Bereich (60) zwischen dem n-dotierten (20) und dem p-dotierten Bereich (70) angeordnet ist,der n-dotierte Bereich (20) umfasst:eine erste Schichtenfolge (30), welche Paare von alternierenden Schichten aufweist, wobeisich eine erste und eine zweite Schicht (31, 32) jedes Paars in ihrer Dotierkonzentration unterscheiden,die erste und die zweite Schicht (31, 32) jedes Paars bis auf ihre Dotierung die gleiche Materialzusammensetzung aufweisen, undeine zweite Schichtenfolge (50), welche Paare von alternierenden Schichten aufweist, wobeisich eine erste und eine zweite Schicht (51, 52) jedes Paars in ihrer Materialzusammensetzung unterscheiden, unddie zweite Schichtenfolge (50) zwischen der ersten Schichtenfolge (30) und dem aktiven Bereich (60) angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102014105192A1

公开(公告)日：2015-10-15

申请号：DE102014105192

申请日：2014-04-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HIRMER MARIKA ,  HERTKORN JOACHIM ,  FREY ALEXANDER ,  WEIMAR ANDREAS ,  LAUX HARALD ,  BAUER ADAM ,  WALTER ALEXANDER

IPC: H01L21/461 ,  H01L21/477 ,  H01L33/00 ,  H01S5/02

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Ablösen einer Halbleiterschichtenfolge (2) von einem Substrat (1) angegeben, bei dem die Halbleiterschichtenfolge auf dem Substrat bereitgestellt wird, wobei die Halbleiterschichtenfolge eine Trennschicht (4) und zwischen dem Substrat und der Trennschicht eine Wärmeisolationsschicht (3) aufweist und wobei die Wärmeisolationsschicht eine geringere Wärmeleitfähigkeit aufweist als ein auf einer dem Substrat zugewandten Seite angrenzendes Material. Die Trennschicht wird mit kohärenter Strahlung bestrahlt, wobei die Wärmeisolationsschicht für die Strahlung durchlässig ist und Material der Trennschicht durch die in der Trennschicht absorbierte Strahlung zumindest bereichsweise zersetzt wird.

公开(公告)号：DE102013104192A1

公开(公告)日：2014-10-30

申请号：DE102013104192

申请日：2013-04-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MEYER TOBIAS ,  PETER MATTHIAS ,  OFF JÜRGEN ,  WALTER ALEXANDER ,  GOTSCHKE TOBIAS ,  LEIRER CHRISTIAN

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/02 ,  H01L33/12 ,  H01L33/22

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren und ein optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einer Schichtenfolge mit einer p-dotierten Schicht, mit einer n-dotierten Schicht und mit einer zwischen der n-dotierten Schicht und der p-dotierten Schicht angeordneten aktiven Zone zum Erzeugen einer elektromagnetischen Strahlung, wobei die n-dotierte Schicht wenigstens GaN aufweist, wobei in der n-dotierten Schicht eine Zwischenschicht angeordnet ist, wobei die Zwischenschicht AlxGa1-xN aufweist, wobei 0

公开(公告)号：DE102012217640A1

公开(公告)日：2014-04-17

申请号：DE102012217640

申请日：2012-09-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LEIRER CHRISTIAN ,  MEYER TOBIAS ,  PETER MATTHIAS ,  OFF JUERGEN ,  HERTKORN JOACHIM ,  LOEFFLER ANDREAS ,  WALTER ALEXANDER ,  SCHIAVON DARIO

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/06 ,  H01L33/24

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement umfasst eine Schichtstruktur mit einer leuchtaktiven Schicht. Dabei weist die leuchtaktive Schicht in einem ersten lateralen Bereich eine höhere Dichte an V-Defekten auf als in einem zweiten lateralen Bereich.

公开(公告)号：DE102007046027A1

公开(公告)日：2009-04-02

申请号：DE102007046027

申请日：2007-09-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STAUS PETER ,  PETER MATTHIAS ,  WALTER ALEXANDER

IPC: H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

Abstract: An optoelectronic semiconductor chip is specified, which has an active zone (20) containing a multi quantum well structure provided for generating electromagnetic radiation, which comprises a plurality of successive quantum well layers (210, 220, 230). The multi quantum well structure comprises at least one first quantum well layer (210), which is n-conductively doped and which is arranged between two n-conductively doped barrier layers (250) adjoining the first quantum well layer. It comprises a second quantum well layer (220), which is undoped and is arranged between two barrier layers (250, 260) adjoining the second quantum well layer, of which one is n-conductively doped and the other is undoped. In addition, the multi quantum well structure comprises at least one third quantum well layer (230), which is undoped and which is arranged between two undoped barrier layers (260) adjoining the third quantum well layer.

公开(公告)号：DE102012217640B4

公开(公告)日：2020-02-20

申请号：DE102012217640

申请日：2012-09-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LEIRER CHRISTIAN ,  MEYER TOBIAS ,  PETER MATTHIAS ,  OFF JÜRGEN ,  HERTKORN JOACHIM ,  LÖFFLER ANDREAS ,  WALTER ALEXANDER ,  SCHIAVON DARIO

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/06 ,  H01L33/24

Abstract: Optoelektronisches Bauelement (1000) mit einer Schichtstruktur (800) mit einer leuchtaktiven Schicht (200, 550),wobei- die leuchtaktive Schicht (200, 550) in ersten lateralen Bereichen (533) eine höhere Dichte an V-Defekten (300) aufweist als in zweiten lateralen Bereichen (534),- auf der Schichtstruktur (800) eine metallische, elektrisch leitende Kontaktschicht (880) angeordnet ist,- die Kontaktschicht (880) geschlossene Bereiche (881) und geöffnete Bereiche (882) aufweist,- die geschlossenen Bereiche (881) der Kontaktschicht (880) in Wachstumsrichtung (101) der Schichtstruktur (800) oberhalb der ersten lateralen Bereiche (533) angeordnet sind, und- die geöffneten Bereiche (882) der Kontaktschicht (880) in Wachstumsrichtung der Schichtstruktur (800) oberhalb der zweiten lateralen Bereiche (534) angeordnet sind.

公开(公告)号：DE112014002167A5

公开(公告)日：2016-01-07

申请号：DE112014002167

申请日：2014-04-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PETER MATTHIAS ,  MEYER TOBIAS ,  OFF JÜRGEN ,  WALTER ALEXANDER ,  GOTSCHKE TOBIAS ,  LEIRER CHRISTIAN

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/32