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    Strahlungsemittierender Halbleiterchip, Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips und ein Verfahren zur Herstellung einer strahlungsemittierenden Anordnung
    1.
    发明专利
    Strahlungsemittierender Halbleiterchip, Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips und ein Verfahren zur Herstellung einer strahlungsemittierenden Anordnung 未知

    公开(公告)号：DE102017113407A1

    公开(公告)日：2018-12-20

    申请号：DE102017113407

    申请日：2017-06-19

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： PERZLMAIER KORBINIAN ,  EICHINGER CHRISTIAN

    IPC: H01L33/62 ,  H01L33/38

    Abstract: Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip mit den folgenden Merkmalen angegeben:- einem Halbleiterkörper (1) umfassend:- eine epitaktische Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktive Zone (3), die dazu geeignet ist, elektromagnetische Strahlung zu erzeugen,- einer Strahlungsaustrittsfläche, von der die im Betrieb des Halbleiterchips erzeugte elektromagnetische Strahlung ausgesandt wird,- einer rückseitigen Hauptfläche, die der Strahlungsaustrittsfläche gegenüberliegt, wobei- ein Mehrschichtenstapel (7) mit einer Barriereschicht (4, 4', 4") und einer Lotschicht (6) auf die rückseitige Hauptfläche des Halbleiterkörpers (1) aufgebracht ist,- die Barriereschicht (4) zwischen der rückseitigen Hauptfläche des Halbleiterkörpers (1) und der Lotschicht (6) angeordnet ist, und- die Lotschicht (6) von außen frei zugänglich ist.Weiterhin werden ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips und ein Verfahren zur Herstellung einer strahlungsemittierenden Anordnung angegeben.

    OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT
    2.
    发明申请
    OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT 审中-公开
    光电半导体器件

    公开(公告)号：WO2015189056A3

    公开(公告)日：2016-02-04

    申请号：PCT/EP2015062009

    申请日：2015-05-29

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： PERZLMAIER KORBINIAN ,  KOPP FABIAN ,  EICHINGER CHRISTIAN ,  MUERMANN BJÖRN

    IPC: H01L33/38 ,  H01L33/14 ,  H01L33/42

    CPC classification number: H01L33/14 ,  H01L33/22 ,  H01L33/38 ,  H01L33/42 ,  H01L33/62

    Abstract: Disclosed is an optoelectronic semiconductor component (1) comprising a semiconductor body (2) that has a sequence of semiconductor layers including an active region (20) provided for generating radiation, a semiconductor layer (21) and another semiconductor layer (22); the active region is located between the semiconductor layer and the other semiconductor layer; a current spreading layer is disposed on a radiation exit surface (210) of the semiconductor body; the current spreading layer is connected in an electrically conducting manner to a contact structure (4) for electrically contacting the semiconductor layer externally; from a bird's eye view of the semiconductor component, the current spreading layer borders the semiconductor layer in a connecting region (30); and the current spreading layer has a structure (31) that includes a plurality of recesses (35) through which radiation exits the semiconductor component during operation.

    Abstract translation: 它是与具有与所提供的用于产生辐射激活区（20），半导体层（21）和另外的半导体层（22）的半导体层序列的半导体主体（2）的光电子半导体器件（1），设置有活性 所述半导体层和所述另外的半导体层之间的区域布置; 在半导体本体的电流扩展层的辐射出射表面（210）; 电流扩展层导电地连接到接触结构（4）连接到所述半导体层的外部电接触; 电流扩展层是在半导体层和所述电流扩展层上的连接区域（30）的半导体装置的平面图相邻具有多个凹部（35），通过该操作期间离开从半导体器件辐射的结构（31）。

    Halbleiterchip mit einem inneren Kontaktelement und zwei äusseren Kontaktelementen und Halbleiterbauelement
    4.
    发明专利
    Halbleiterchip mit einem inneren Kontaktelement und zwei äusseren Kontaktelementen und Halbleiterbauelement 未知

    公开(公告)号：DE102018128896A1

    公开(公告)日：2020-05-20

    申请号：DE102018128896

    申请日：2018-11-16

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： EICHINGER CHRISTIAN ,  PERZLMAIER KORBINIAN

    IPC: H01L33/62 ,  H01L25/075 ,  H01L25/16 ,  H01L31/02 ,  H01L33/36

    Abstract: Gemäß Ausführungsformen umfasst ein Halbleiterchip (10, 11, 12, 13) ein inneres Kontaktelement (128) und zwei äußere Kontaktelemente (129). Das innere Kontaktelement (128) und die zwei äußeren Kontaktelemente (129) sind an einer zweiten Hauptoberfläche (108) des Halbleiterchips (10, 11, 12, 13) angeordnet. Je eines der äußeren Kontaktelemente (129) ist auf jeweils gegenüberliegenden Seiten des inneren Kontaktelements (128) angeordnet. Beispielsweise ist das innere Kontaktelement (128) als ein erstes Kontaktelement ausgeführt, das mit einer ersten Halbleiterschicht (100) elektrisch verbunden ist, und die zwei äußeren Kontaktelemente (129) sind jeweils als zweite Kontaktelemente (117) ausgeführt, die mit einer zweiten Halbleiterschicht (110) elektrisch verbunden sind. Alternativ sind die zwei äußeren Kontaktelemente (129) jeweils als erste Kontaktelemente (115) ausgeführt, die mit einer ersten Halbleiterschicht (100) elektrisch verbunden sind, und das innere Kontaktelement (128) ist als zweites Kontaktelement (117) ausgeführt und mit einer zweiten Halbleiterschicht (110) elektrisch verbunden.

    VERFAHREN ZUR BEARBEITUNG EINER HALBLEITERSCHICHTENFOLGE UND OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP
    6.
    发明专利
    VERFAHREN ZUR BEARBEITUNG EINER HALBLEITERSCHICHTENFOLGE UND OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 未知

    公开(公告)号：DE102018107293A1

    公开(公告)日：2019-10-02

    申请号：DE102018107293

    申请日：2018-03-27

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： MEYER TOBIAS ,  EICHINGER CHRISTIAN ,  TAEGER SEBASTIAN

    IPC: H01L21/306 ,  H01L33/02 ,  H01L33/20

    Abstract: In einer Ausführungsform umfasst das Verfahren zur Bearbeitung einer Halbleiterschichtenfolge einen Schritt A), in dem eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer ersten Schicht (10), einer ersten Markerschicht (11), einer ersten Zwischenschicht (12) und einer Ätzstoppschicht (13), die in dieser Reihenfolge übereinander geschichtet sind, bereitgestellt wird. In einem Schritt B) wird ein erster Ätzprozess angewendet, mit dem die erste Schicht in einem ersten vorgegebenen Bereich der Halbleiterschichtenfolge weggeätzt wird, wobei zumindest bis zur ersten Markerschicht geätzt wird. In einem Schritt C) wird ein Signal erfasst, das ein Auftreffen eines im ersten Ätzprozess verwendeten ersten Ätzmittels auf der ersten Markerschicht signalisiert. In einem Schritt D) wird ein zweiter Ätzprozess angewendet, mit dem die Zwischenschicht in dem ersten vorgegebenen Bereich weggeätzt wird, wobei bis zur Ätzstoppschicht geätzt wird und wobei der zweite Ätzprozess so eingestellt wird, dass der zweite Ätzprozess beendet ist, bevor die Ätzstoppschicht vollständig durchgeätzt ist.

    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT MIT EINER ERSTEN UND ZWEITEN METALLSCHICHT SOWIE VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTS
    7.
    发明专利
    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT MIT EINER ERSTEN UND ZWEITEN METALLSCHICHT SOWIE VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTS 未知

    公开(公告)号：DE102018122492A1

    公开(公告)日：2020-03-19

    申请号：DE102018122492

    申请日：2018-09-14

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： EICHINGER CHRISTIAN ,  PERZLMAIER KORBINIAN

    IPC: H01L33/20 ,  H01L33/38 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46

    Abstract: Ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) umfasst eine erste Halbleiterschicht (110) von einem ersten Leitfähigkeitstyp, eine zweite Halbleiterschicht (105) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, sowie eine aktive Zone (108), wobei die erste Halbleiterschicht (110) und die zweite Halbleiterschicht unter Ausbildung einer Mesa so strukturiert sind, dass Teile der zweiten Halbleiterschicht (105) nicht mit der ersten Halbleiterschicht (110) bedeckt sind und ein Abschnitt der aktiven Zone im Bereich einer Mesaflanke freiliegt. Das optoelektronische Halbleiterbauelement weist ferner eine Passivierungsschicht (117) auf, die über Teilen der ersten Halbleiterschicht (110) und über Teilen der zweiten Halbleiterschicht (105) sowie über dem freiliegenden Abschnitt der aktiven Zone angeordnet (108) ist. Das optoelektronische Halbleiterbauelement enthält darüber hinaus eine erste Metallschicht (115) und eine zweite Metallschicht (125). Die zweite Metallschicht (125) bedeckt die Passivierungsschicht (117) im Bereich der Mesaflanke. Eine Zusammensetzung der ersten Metallschicht (115) benachbart zur ersten Halbleiterschicht (110) ist entlang einer horizontalen Richtung gleichbleibend.

    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP, HERSTELLUNGSVERFAHREN UND HALBLEITERBAUTEIL
    9.
    发明专利
    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP, HERSTELLUNGSVERFAHREN UND HALBLEITERBAUTEIL 未知

    公开(公告)号：DE102021202920A1

    公开(公告)日：2022-09-29

    申请号：DE102021202920

    申请日：2021-03-25

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： PERZLMAIER KORBINIAN ,  PFEUFFER ALEXANDER F ,  EICHINGER CHRISTIAN ,  LEBER ANDREAS

    IPC: H01L33/62 ,  H01L25/075 ,  H01L27/15 ,  H01L33/44 ,  H01L33/52

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (1)- eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer Bodenseite (20),- eine Bodenbeschichtung (3) an der Bodenseite (20), und- eine Elektrodenschicht (4) an einer der Halbleiterschichtenfolge (2) abgewandten Unterseite (30) der Bodenbeschichtung (3), wobei- die Bodenbeschichtung (3) einen Dickengradienten und zumindest eine Kammlinie (33) aufweist, an der die Bodenbeschichtung (3) am dicksten ist,- sich die Elektrodenschicht (4) über die zumindest eine Kammlinie (33) erstreckt, sodass eine der Halbleiterschichtenfolge (2) abgewandte Kontaktseite (40) der Elektrodenschicht (4) die Bodenbeschichtung (3) formtreu nachformt, und- durch die zumindest eine Kammlinie (33) eine elektrische und mechanische Kontaktebene (P) der Kontaktseite (40) parallel zur Bodenseite (20) festgelegt ist.

    Optoelektronischer Halbleiterchip
    10.
    发明专利
    Optoelektronischer Halbleiterchip 未知

    公开(公告)号：DE102014115740A1

    公开(公告)日：2016-05-04

    申请号：DE102014115740

    申请日：2014-10-29

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KOPP FABIAN ,  EICHINGER CHRISTIAN ,  PERZLMAIER KORBINIAN

    IPC: H01L33/40 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62

    Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben, umfassend mindestens eine n-dotierte Halbleiterschicht (3), mindestens eine p-dotierte Halbleiterschicht (5) und eine zwischen der mindestens einen n-dotierten Halbleiterschicht (3) und der mindestens einen p-dotierten Halbleiterschicht (5) angeordnete aktive Schicht (4), wobei die p-dotierte Halbleiterschicht (5) mittels einer ersten metallischen Anschlussschicht (8) elektrisch kontaktiert ist, und wobei zwischen der p-dotierten Halbleiterschicht (5) und der ersten Anschlussschicht (8) eine reflexionserhöhende dielektrische Schichtenfolge (6) angeordnet ist, welche mehrere dielektrische Schichten (61, 62) mit verschiedenen Brechungsindizes aufweist.

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