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    METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT
    1.
    发明申请
    METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT 审中-公开
    方法用于制造光电半导体器件和光电半导体器件

    公开(公告)号：WO2014056762A3

    公开(公告)日：2014-06-19

    申请号：PCT/EP2013070449

    申请日：2013-10-01

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： MANDL MARTIN ,  STRASSBURG MARTIN ,  KÖLPER CHRISTOPHER ,  PFEUFFER ALEXANDER F ,  RODE PATRICK

    IPC: H01L33/00 ,  H01L25/075 ,  H01L27/15 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/38

    CPC classification number: H01L27/156 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/385 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: The invention relates to a method which comprises in at least one embodiment of the method the following steps: A) producing radiation-active islands (4) having a semiconductor layer sequence (3) on a growth substrate (2), wherein the islands (4) each have at least one active zone (33) of the semiconductor layer sequence (3) and an average diameter of the islands (4), as viewed in a top view of the growth substrate, is in a range from 50 nm to 10 μm inclusive, B) producing a separating layer (5) on a side of the islands (4) facing the growth substrate (2), wherein the separating layer (5) surrounds the islands (4) all around, as viewed in a top view of the growth substrate (2), C) attaching a carrier substrate (6) to a side of the islands (4) facing away from the growth substrate (2), and D) detaching the growth substrate (2) from the islands (4), wherein at least a part of the separating layer (5) is destroyed and/or at least temporarily softened during the detachment.

    Abstract translation: 在所述方法的至少一个实施例中，它包括以下步骤：A）制备辐射有源岛（4）具有生长衬底（2），其中，所述岛（4）每一个具有在半导体层序列中的至少一个有源区（33）上的半导体层序列（3）， （3）具有和岛屿（4）所示，在生长衬底上俯视的平均直径为50纳米至10微米，B）形成释放层（5）之间在岛屿的面对（一个（所述生长衬底2）侧 第4页），其特征在于，包围所述岛（4）圆形（在可见C中的生长衬底2）的俯视图）附接（6）的面向远离一个岛（4）的支撑基板（生长基板2）剥离层（5）， 和D）从分离的岛屿（4），其中，在所述剥离至少破坏分离层的一个部分（5）和/或至少部分软化的生长衬底（2）。

    Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
    2.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements 未知

    公开(公告)号：DE102016103353B4

    公开(公告)日：2025-02-27

    申请号：DE102016103353

    申请日：2016-02-25

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SCHOLZ DOMINIK ,  PFEUFFER ALEXANDER F ,  OTTO ISABEL

    IPC: H10H20/831 ,  H10H20/841

    Abstract: Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements (100) mit den Schritten:A) Bereitstellen eines Wachstumssubstrats (1),B) Aufbringen einer Halbleiterschichtenfolge (2), die eine Oberseite (21) und Unterseite (22), mindestens einen n-dotierten Halbleiterbereich (23), mindestens einen p-dotierten Halbleiterbereich (24) und eine zwischen diesen Halbleiterbereichen angeordnete aktive Schicht (25) zur Strahlungserzeugung aufweist, wobei die Oberseite (21) dem Wachstumssubstrat (1) abgewandt und die Unterseite (22) dem Wachstumssubstrat (1) zugewandt ist,C) Strukturieren der Halbleiterschichtenfolge (2) von der Oberseite (21) bis zur Unterseite (22) der Halbleiterschichtenfolge (2) zur Erzeugung von Seitenflächen (26) der Halbleiterschichtenfolge (2),D) Aufbringen einer Opferschicht (3) auf die Seitenflächen (26) der Halbleiterschichtenfolge (2) und auf im Schritt C) freigelegten Oberflächen des Wachstumssubstrats (1), die zum Entfernen des Wachstumssubstrats (1) durch Laserabhebeverfahren eingerichtet ist,E) Abscheiden einer Metallschicht (4) zur Ausbildung eines ersten Anschlusskontaktes auf die dem Wachstumssubstrat (1) abgewandte Seite der Halbleiterschichtenfolge (2), auf die Seitenflächen (26) der Halbleiterschichtenfolge (2) und auf die Opferschicht (3),G) Ausbilden eines zweiten Anschlusskontaktes (8) durch den aktiven Bereich (25),H) Aufbringen eines permanenten Trägers (6) auf die dem Wachstumssubstrat (1) abgewandte Seite der Halbleiterschichtenfolge (2), undI) Ablösen des Wachstumssubstrats (1) und dadurch Freilegen der Metallschicht (4), wobei das Verfahren nach Schritt I) frei von Lithografieschritten ist.

    Bauteilverbund, Bauteil und Verfahren zur Herstellung von Bauteilen
    4.
    发明专利
    Bauteilverbund, Bauteil und Verfahren zur Herstellung von Bauteilen 未知

    公开(公告)号：DE102017126338A1

    公开(公告)日：2019-05-16

    申请号：DE102017126338

    申请日：2017-11-10

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： RÜGHEIMER TILMAN ,  SCHWARZ THOMAS ,  HÖPPEL LUTZ ,  PLÖSSL ANDREAS ,  PFEUFFER ALEXANDER F

    IPC: H01L21/56 ,  H01L21/52 ,  H01L21/60 ,  H01L25/16 ,  H01L33/62

    Abstract: Es wird ein Bauteilverbund (100) mit einem Zwischenträger (90), einer Mehrzahl von darauf angeordneten Bauteilen (10) und einer Mehrzahl von Halteelementen (3, 3A, 3B), bei dem die Bauteile jeweils zumindest zwei elektrische Bauelemente (1, 1A, 1B) und eine Isolierungsschicht (2) aufweisen, wobei mindestens eines der elektrischen Bauelemente des Bauteils ein optoelektronischer Halbleiterchip (1, 1A) ist. Die Isolierungsschicht ist bereichsweise zwischen den elektrischen Bauelementen desselben Bauteils angeordnet, wobei die zumindest zwei elektrischen Bauelemente desselben Bauteils nebeneinander angeordnet und jeweils von der Isolierungsschicht lateral umschlossen sind, sodass die zumindest zwei elektrischen Bauelemente und die Isolierungsschicht desselben Bauteils als integrale Bestandteile einer selbsttragenden und mechanisch stabilen Einheit ausgeführt sind. Die Halteelemente fixieren die Positionen der Bauteile auf dem Zwischenträger, wobei die Bauteile als selbsttragende und mechanisch stabile Einheiten vom Zwischenträger ablösbar ausgeführt sind und die Halteelemente beim Abnehmen der Bauteile diese unter mechanischer Belastung freigeben.Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauteilverbunds angegeben.

    Verfahren zur Herstellung eines mehrfarbigen LED-Displays
    5.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung eines mehrfarbigen LED-Displays 未知

    公开(公告)号：DE102012106859B4

    公开(公告)日：2019-01-03

    申请号：DE102012106859

    申请日：2012-07-27

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： PFEUFFER ALEXANDER F ,  MANDL MARTIN

    IPC: H01L25/075 ,  G09F9/33 ,  H01L21/66 ,  H01L33/50

    Abstract: Verfahren zur Herstellung eines mehrfarbigen LED-Displays (10), aufweisend eine LED-Leuchteinheit (4) mit einer mit Vielzahl von Pixeln (5), wobei- die Pixel (5) erste Subpixel (B) zur Emission einer ersten Farbe, zweite Subpixel (G) zur Emission einer zweiten Farbe und dritte Subpixel (R) zur Emission einer dritten Farbe aufweisen,- die Subpixel (R, G, B) jeweils einen LED-Chip (3) enthalten, der zur Emission von Strahlung der ersten Farbe geeignet ist,- zumindest über den zweiten Subpixeln (G) eine erste Konversionsschicht (1) angeordnet wird, die dazu geeignet ist, die Strahlung der ersten Farbe in Strahlung der zweiten Farbe umzuwandeln,- über den dritten Subpixeln (R) eine zweite Konversionsschicht (2) angeordnet wird, die dazu geeignet ist, die Strahlung der ersten Farbe und/oder die Strahlung (6) der zweiten Farbe in Strahlung der dritten Farbe umzuwandeln,- zum Anordnen der ersten Konversionsschicht (1) über den zweiten Subpixeln (G) und zum Anordnen der zweiten Konversionsschicht (2) über den dritten Subpixeln (R) jeweils mindestens ein Prozessschritt durchgeführt wird, bei dem die erste Konversionsschicht (1) oder die zweite Konversionsschicht (2) in mindestens einem definierten Bereich über den Pixeln (5) aufgebracht oder entfernt wird,- ein Teil der LED-Chips (3) bei dem Prozessschritt elektrisch betrieben wird,- der mindestens eine Bereich durch die von dem Teil der LED-Chips (3) erzeugte elektromagnetische Strahlung (6), eine erzeugte Wärme oder ein erzeugtes elektrisches Feld definiert wird,- die erste Konversionsschicht (1) über der LED-Leuchteinheit (4) angeordnet wird,- die zweite Konversionsschicht (2) über der ersten Konversionsschicht (1) angeordnet wird,- die zweite Konversionsschicht (2) von den ersten Subpixeln (B) und den zweiten Subpixeln (G) entfernt wird,- die erste Konversionsschicht (1) von den ersten Subpixeln (B) entfernt wird, und- das Entfernen der ersten Konversionsschicht (1) und/oder der zweiten Konversionsschicht (2) mittels eines Verfahrens zur lokalen Schichtabtragung erfolgt, das mittels einer spektral empfindlichen optischen Erkennung der von dem Teil der LED-Chips (3) emittierten elektromagnetischen Strahlung (6) gesteuert wird.

    Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
    7.
    发明专利
    Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips 未知

    公开(公告)号：DE102016112857A1

    公开(公告)日：2018-01-18

    申请号：DE102016112857

    申请日：2016-07-13

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SCHOLZ DOMINIK ,  PFEUFFER ALEXANDER F

    IPC: H01L27/15

    Abstract: Die Erfindung betrifft einen optoelektronischen Halbleiterchip (1) umfassend einen Halbleiterkörper (10), erste (11) und zweite (12) Kontaktstellen, eine Umverdrahtungsstruktur (20) und erste (21) und zweite Anschlussstellen (22), bei dem der Halbleiterkörper (10) eine Vielzahl von Emissionsbereichen (100) aufweist, die lateral nebeneinander angeordnet sind und die jeweils elektrisch leitend über die erste (11) und zweite (12) Kontaktstelle kontaktierbar und separat voneinander betreibbar sind, die Umverdrahtungsstruktur (20) jede erste Kontaktstelle (11) elektrisch leitend mit einer zugeordneten ersten Anschlussstelle (21) verbindet, die Umverdrahtungsstruktur (20) jede zweite Kontaktstelle (12) elektrisch leitend mit einer zugeordneten zweiten Anschlussstelle (22) verbindet, mindestens eine der Anschlussstellen (21, 22) überlappt mit einer elektrisch leitend mit dieser Anschlussstelle (21, 22) verbundenen Kontaktstelle (11, 12) in vertikaler Richtung nicht, mehrere zweite Kontaktstellen (12) mit einer gemeinsamen zweiten Anschlussstelle (22) elektrisch leitend verbunden sind, jede erste Anschlussstelle (21) lateral direkt benachbart zu einer weiteren ersten Anschlussstelle (21) angeordnet ist.

    Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Halbleiterchips und Halbleiterchip
    9.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Halbleiterchips und Halbleiterchip 未知

    公开(公告)号：DE102015102458A1

    公开(公告)日：2016-08-25

    申请号：DE102015102458

    申请日：2015-02-20

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HÖPPEL LUTZ ,  PFEUFFER ALEXANDER F ,  SCHOLZ DOMINIK ,  OTTO ISABEL ,  MALM NORWIN VON ,  ILLEK STEFAN

    IPC: H01L21/78 ,  H01L21/301 ,  H01L29/06 ,  H01L33/00

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Halbleiterchips (10) angegeben. Ein Verbund (1), der einen Träger (4) und eine Halbleiterschichtenfolge (2, 3) aufweist wird bereitgestellt. Trenngräben (17) werden in der Halbleiterschichtenfolge (2, 3) entlang eines Vereinzelungsmusters (16) ausgebildet. Eine die Halbleiterschichtenfolge (2, 3) zu den Trenngräben (17) hin begrenzende Füllschicht (11) wird an einer dem Träger (4) abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge (2, 3) aufgebracht. Ferner wird eine an die Füllschicht (11) grenzende Metallschicht (10) in den Trenngräben (17) aufgebracht. Durch Entfernen der an die Füllschicht (11) grenzenden Metallschicht (10) in den Trenngräben (17) werden die Halbleiterchips (20) vereinzelt. Die vereinzelten Halbleiterchips (20) weisen jeweils einen Teil der Halbleiterschichtenfolge (2, 3) und der Füllschicht (11) auf. Weiterhin wird ein Halbleiterchip (10) angegeben.

    Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil
    10.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil 未知

    公开(公告)号：DE102014112750A1

    公开(公告)日：2016-03-10

    申请号：DE102014112750

    申请日：2014-09-04

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： OTTO ISABEL ,  PFEUFFER ALEXANDER F ,  SCHOLZ DOMINIK

    IPC: H01L33/38 ,  H01L33/08

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils angegeben, aufweisend die folgenden Schritte: A) Bereitstellen einer strukturierten Halbleiterschichtenfolge (21, 22, 23) aufweisend – eine erste Halbleiterschicht (21) mit einer Bodenfläche (21c), zumindest einer Vertiefung (211) und einer der Bodenfläche (21c) abgewandten ersten Deckfläche (21a) im Bereich der Vertiefungen (211), – eine aktive Schicht (23) und – eine zweite Halbleiterschicht (22) an einer der ersten Halbleiterschicht (21) abgewandten Seite der aktiven Schicht (23), wobei – die aktive Schicht (23) und die zweite Halbleiterschicht (22) gemeinsam in eine Vielzahl von Bereiche (221, 231) strukturiert sind und jeder Bereich (221, 231) zusammen mit der ersten Halbleiterschicht (21) einen Emissionsbereich (3) bildet, B) Gleichzeitiges Aufbringen einer ersten Kontaktschicht (41) auf der ersten Deckfläche (21a) und einer zweiten Kontaktschicht (42) auf einer der ersten Halbleiterschicht (21) abgewandten zweiten Deckfläche (3a) der Emissionsbereiche (3) derart, dass – die erste Kontaktschicht (41) und die zweite Kontaktschicht (42) elektrisch voneinander getrennt sind und – die erste Kontaktschicht (41) und die zweite Kontaktschicht (42) parallel zueinander verlaufen.

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