公开(公告)号：JP2004289149A

公开(公告)日：2004-10-14

申请号：JP2004074906

申请日：2004-03-16

Applicant: Osram Opto Semiconductors Gmbh ,  オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH

Inventor： HOES CHRISTINE ,  WEIMAR ANDREAS ,  LEBER ANDREAS ,  LELL ALFRED ,  FISCHER HELMUT ,  HAERLE VOLKER

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/20 ,  H01S5/22 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01L33/005 ,  H01S5/021 ,  H01S5/2081 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/32341 ,  Y10S438/951

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a forming method which is self-adjustable and forms a structure width especially of ≤2 μm technically and simply in the forming method for at least one mesa structure or ridge structure, or at least one region electrically pumped in a layer or in a layer sequence.
SOLUTION: A mesa size or a ridge size is decided by structuring by mounting a mask layer on a sacrificial layer attached on the layer or on the layer sequence. The mesa structure or the ridge structure is formed in the layer or in the layer sequence by partially removing the sacrificial layer and the layer or the layer sequence. A sacrificial layer whose width is narrower compared with a layer remained on the sacrificial layer is left by selectively remove a part of the sacrificial layer from a side face of the exposed sacrificial layer. A coating is attached to an edge portion of the formed structure. The sacrificial layer is removed by fully coating the side face of the residual sacrificial layer by a coating material. Layers remained on the sacrificial layer are peeled off.
COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种自调节的成形方法，在至少一个台面结构或脊结构的成形方法中技术上和简单地形成特别是≤2μm的结构宽度，或至少一个区域 以层或层序顺序电泵浦。 解决方案：通过在附着在层或层序列上的牺牲层上安装掩模层来构造台面尺寸或脊尺寸。 通过部分去除牺牲层和层或层序列，在层或层序中形成台面结构或脊结构。 通过从暴露的牺牲层的侧面选择性地去除牺牲层的一部分，留下了与残留在牺牲层上的层相比宽度窄的牺牲层。 涂层附着到所形成的结构的边缘部分。 通过涂覆材料完全涂覆残留牺牲层的侧面来去除牺牲层。 残留在牺牲层上的层被剥离。 版权所有（C）2005，JPO＆NCIPI

公开(公告)号：DE112020000567A5

公开(公告)日：2021-12-02

申请号：DE112020000567

申请日：2020-01-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BAUMHEINRICH THORSTEN ,  BEHRINGER MARTIN ,  BIEBERSDORF ANDREAS ,  BOSS RUTH ,  BRANDL MICHAEL ,  BRICK PETER ,  DROLET JEAN-JAQUES ,  HALBRITTER HUBERT ,  KREINER LAURA ,  LANG ERWIN ,  LEBER ANDREAS ,  MEYER TOBIAS ,  PFEUFFER ALEXANDER ,  PHILIPPENS MARC ,  RICHTER JENS ,  SCHWARZ THOMAS ,  TA PAUL ,  VARGHESE TANSEN ,  WANG XUE ,  WITTMANN SEBASTIAN ,  STOLZ JULIA ,  DIEKMANN KARSTEN ,  ENGL KARL ,  HERRMANN SIEGFRIED ,  HAHN BERTHOLD ,  ILLEK STEFAN ,  JENTZSCH BRUNO ,  PERZLMAIER KORBINIAN ,  PIETZONKA INES ,  RAUSCH ANDREAS ,  REGAU KILIAN ,  RUEGHEIMER TILMAN ,  SCHWALENBERG SIMON ,  SOELL CHRISTOPHER ,  STAUSS PETER ,  SUNDGREN PETRUS ,  VU HOA ,  WIESMANN CHRISTOPHER ,  BOGNER GEORG ,  HÖRNER PATRICK ,  KLEMP CHRISTOPH ,  MÜLLER JENS ,  NEVELING KERSTIN ,  PARK JONG ,  RAFAEL CHRISTINE ,  SINGER FRANK ,  CHAND KANISHK ,  FEIX FELIX ,  MÜLLER CHRISTIAN ,  RUMMEL EVA-MARIA ,  HEITZER NICOLE ,  ASSMANN MARIE ,  BERGER CHRISTIAN ,  KANEVCE ANA

IPC: H01L33/62 ,  G09F9/33 ,  H01L25/075 ,  H01L33/60

公开(公告)号：DE10312214B4

公开(公告)日：2008-11-20

申请号：DE10312214

申请日：2003-03-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WEIMAR ANDREAS ,  LEBER ANDREAS ,  HOES CHRISTINE ,  HAERLE VOLKER ,  LELL ALFRED ,  FISCHER HELMUT

IPC: H01S5/22 ,  H01L33/00 ,  H01S5/20 ,  H01S5/323

Abstract: Process for preparation of a mesa- or bridge structure in a layer or layer series (LLS) in which their sides are coated by the steps: (a) application of a sacrificial layer (SL) to the LLS; (b) application and structuring of a mask layer onto the SL; (c) partial removal of the SP and the LLS, especially by anisotropic etching; (d) selective removal of part of the SL layer from the sides; (e) application of a coating to the sides of the structures obtained. An independent claim is included for a process for preparation of a Ridge-Waveguide-Laser diode chip.

公开(公告)号：WO2010072187A2

公开(公告)日：2010-07-01

申请号：PCT/DE2009001550

申请日：2009-11-02

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  GMEINWIESER NIKOLAUS ,  SABATHIL MATTHIAS ,  LEBER ANDREAS

Inventor： GMEINWIESER NIKOLAUS ,  SABATHIL MATTHIAS ,  LEBER ANDREAS

IPC: H01L33/22

CPC classification number: H01L33/22

Abstract: In at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor chip (1), said chip comprises a semiconductor layer sequence (2) having at least one active layer (3), which is equipped to generate electromagnetic radiation. The optoelectronic semiconductor chip (1) further comprises decoupling structures (4), which are applied at least indirectly onto a radiation penetration surface (20) of the semiconductor layer sequence (2). A material of the decoupling structures (4) differs from a material of the semiconductor layer sequence (2). The refractive indices of the materials of the decoupling structures (4) and of the semiconductor layer sequence (2) deviate from each other by no more than 30%. In addition, facets (40) of the decoupling structures (4) comprise an overall surface, which carries at least 30% of the surface area of the radiation penetration surface (20).

Abstract translation: 在光电子半导体芯片的至少一个实施例中（1）包括具有至少一个有源层（3），其适于产生电磁辐射的一半导体层序列（2）。 此外，光电子半导体芯片（1）输出耦合结构（4），其被安装在至少间接地在所述半导体层序列的辐射穿透面（20）（2）。 耦合输出（4）的材料是在这种情况下，从半导体层序列（2）是不同的材料。 外耦合（4）和所述半导体层序列（2）的材料的折射率由不超过30％，从彼此不同。 此外具有耦合输出的小平面（40）（4）具有一个总面积，这是辐射穿透面（20）的表面面积的至少30％。

公开(公告)号：DE102021202920A1

公开(公告)日：2022-09-29

申请号：DE102021202920

申请日：2021-03-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PERZLMAIER KORBINIAN ,  PFEUFFER ALEXANDER F ,  EICHINGER CHRISTIAN ,  LEBER ANDREAS

IPC: H01L33/62 ,  H01L25/075 ,  H01L27/15 ,  H01L33/44 ,  H01L33/52

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (1)- eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer Bodenseite (20),- eine Bodenbeschichtung (3) an der Bodenseite (20), und- eine Elektrodenschicht (4) an einer der Halbleiterschichtenfolge (2) abgewandten Unterseite (30) der Bodenbeschichtung (3), wobei- die Bodenbeschichtung (3) einen Dickengradienten und zumindest eine Kammlinie (33) aufweist, an der die Bodenbeschichtung (3) am dicksten ist,- sich die Elektrodenschicht (4) über die zumindest eine Kammlinie (33) erstreckt, sodass eine der Halbleiterschichtenfolge (2) abgewandte Kontaktseite (40) der Elektrodenschicht (4) die Bodenbeschichtung (3) formtreu nachformt, und- durch die zumindest eine Kammlinie (33) eine elektrische und mechanische Kontaktebene (P) der Kontaktseite (40) parallel zur Bodenseite (20) festgelegt ist.

公开(公告)号：DE102018123932A1

公开(公告)日：2020-04-02

申请号：DE102018123932

申请日：2018-09-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LEBER ANDREAS ,  HERRMANN SIEGFRIED ,  RAFAEL CHRISTINE

IPC: H01L33/46 ,  H01L33/62

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement (10) umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip (11), der geeignet ist, elektromagnetische Strahlung (15) zu emittieren. Der optoelektronische Halbleiterchip (11) weist eine erste Halbleiterschicht (140) von einem ersten Leitfähigkeitstyp, eine zweite Halbleiterschicht (150) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, eine erste und eine zweite Stromverteilungsschicht (120, 130), eine dielektrische Spiegelschicht (115) sowie eine Vielzahl erster elektrischer Verbindungselemente (125) auf. Die erste Halbleiterschicht (140) und die zweite Halbleiterschicht (150) sind übereinandergestapelt. Von dem optoelektronischen Halbleiterchip (11) emittierte elektromagnetische Strahlung (15) wird über eine erste Hauptoberfläche (110) der zweiten Halbleiterschicht (150) ausgegeben. Die erste Stromverteilungsschicht (120) und die zweite Stromverteilungsschicht (130) sind auf einer von der zweiten Halbleiterschicht (150) abgewandten Seite der ersten Halbleiterschicht (140) angeordnet. Die dielektrische Spiegelschicht (115) ist zwischen der ersten Halbleiterschicht (140) und der ersten Stromverteilungsschicht (120) angeordnet. Die Vielzahl erster elektrischer Verbindungselemente (125) erstrecken sich durch die dielektrische Spiegelschicht (115) und sind geeignet, die erste Halbleiterschicht (140) mit der ersten Stromverteilungsschicht (180) elektrisch zu verbinden. Die zweite Stromverteilungsschicht (130) ist mit der zweiten Halbleiterschicht elektrisch verbunden.

公开(公告)号：DE102011013052A1

公开(公告)日：2012-09-06

申请号：DE102011013052

申请日：2011-03-04

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HAHN BERTHOLD DR ,  LEBER ANDREAS

IPC: H01L33/52 ,  H01L21/56 ,  H01L25/075 ,  H01S5/02

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung zumindest eines optoelektronischen Halbleiterbauelements mit den folgenden Schritten angegeben: a) Bereitstellen eines Trägers (1), welcher eine erste Oberfläche (11) und eine der ersten Oberfläche (11) gegenüberliegende zweite Oberfläche (12) aufweist; b) Anordnen von zumindest einem optoelektronischen Halbleiterchip (2) an der ersten Oberfläche (11) des Trägers (1), wobei der optoelektronische Halbleiterchip (2) mit zumindest einem n-seitigen Bereich (21) und zumindest einem p-seitigen Bereich (24) gebildet ist, und mit dem n-seitigen Bereich (21) oder dem p-seitigen Bereich (24) auf der ersten Oberfläche (11) aufgebracht ist; c) Anordnen einer elektrisch isolierenden Umhüllung (3) auf freiliegende Stellen der Außenflächen (23) des Halbleiterchips (2) und der ersten Oberfläche (11) des Trägers (1); d) teilweises Entfernen der elektrisch isolierenden Umhüllung (3), wobei nach dem Entfernen zumindest eine dem Träger (1) abgewandte Hauptfläche (22) des optoelektronischen Halbleiterchips (2) zumindest stellenweise frei von der elektrisch isolierenden Umhüllung (3) ist.

公开(公告)号：DE102009059887A1

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：DE102009059887

申请日：2009-12-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GMEINWIESER NIKOLAUS DR ,  LEBER ANDREAS ,  SABATHIL MATTHIAS DR

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/32 ,  H01L33/58 ,  H01S5/028

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips (1) beinhaltet dieser eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Schicht (3). Weiterhin umfasst der Halbleiterchip (1) eine Lichtauskoppelschicht (4), die mindestens mittelbar auf einer Strahlungsdurchtrittsfläche (20) der Halbleiterschichtenfolge (2) aufgebracht ist. Ein Material der Lichtauskoppelschicht (4) ist von einem Material der Halbleiterschichtenfolge (2) verschieden und Brechungsindices der Materialien der Lichtauskoppelschicht (4) und der Halbleiterschichtenfolge (2) unterscheiden sich um höchstens 20% voneinander. Durch Ausnehmungen (44) in der Lichtauskoppelschicht (4) sind Facetten (40) gebildet, wobei die Ausnehmungen (44) die Lichtauskoppelschicht (4) nicht vollständig durchdringen. Außerdem weisen die Facetten (40) eine Gesamtfläche auf, die mindestens 25% eines Flächeninhalts der Strahlungsdurchtrittsfläche (20) entspricht.

公开(公告)号：DE102008052405A1

公开(公告)日：2010-04-22

申请号：DE102008052405

申请日：2008-10-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STRASBURG MARTIN ,  HOEPPEL LUTZ ,  PETER MATTHIAS ,  ZEHNDER ULRICH ,  TAKI TETSUYA ,  LEBER ANDREAS ,  BUTENDEICH RAINER ,  BAUER THOMAS

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/34

Abstract: An optoelectronic semiconductor component comprising a semiconductor layer sequence (3) based on a nitride compound semiconductor and containing an n-doped region (4), a p-doped region (8) and an active zone (5) arranged between the n-doped region (4) and the p-doped region (8) is specified. The p-doped region (8) comprises a p-type contact layer (7) composed of InxAlyGa1-x-yN where 0≦̸x≦̸1, 0≦̸y≦̸1 and x+y≦̸1. The p-type contact layer (7) adjoins a connection layer (9) composed of a metal, a metal alloy or a transparent conductive oxide, wherein the p-type contact layer (7) has first domains (1) having a Ga-face orientation and second domains (2) having an N-face orientation at an interface with the connection layer (9).

公开(公告)号：DE102018119438A1

公开(公告)日：2020-02-13

申请号：DE102018119438

申请日：2018-08-09

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LEBER ANDREAS ,  HERRMANN SIEGFRIED ,  RAFAEL CHRISTINE

IPC: H01L33/62 ,  H01L25/13 ,  H01L33/44 ,  H01L33/50 ,  H01L33/60

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben, mit- einem Substrat (11), das strahlungsdurchlässig ist,- einer Halbleiterschichtenfolge (12) mit einem ersten Bereich (12a) eines ersten Leitfähigkeitstyps, einem zweiten Bereich (12b) eines zweiten Leitfähigkeitstyps und einem aktiven Bereich (12c) zwischen dem ersten Bereich (12a) und dem zweiten Bereich (12b),- einem ersten Kontaktsteg (14a) zur Bestromung des ersten Bereichs (12a),- einem zweiten Kontaktsteg (14b) zur Bestromung des zweiten Bereichs (12b),- einer ersten Anschlussstelle (17a) zur Kontaktierung des ersten Kontaktstegs (14a) von außerhalb des optoelektronischen Halbleiterchips (10), und- einer zweiten Anschlussstelle (17b) zur Kontaktierung des zweiten Kontaktstegs (14b) von außerhalb des optoelektronischen Halbleiterchips (10), wobei- sich der erste Kontaktsteg (14a) und der zweite Kontaktsteg (14b) jeweils über wenigstens 50 % der Länge des Halbleiterchips (10) erstrecken.