公开(公告)号：WO2014026951A1

公开(公告)日：2014-02-20

申请号：PCT/EP2013/066827

申请日：2013-08-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ENZMANN, Roland ,  HANEDER, Stephan ,  ARZBERGER, Markus ,  WALTER, Christoph ,  SWIETLIK, Tomasz ,  KÖNIG, Harald ,  FEHSE, Robin ,  KÄMPF, Mathias ,  GRAUL, Markus ,  HORN, Markus

IPC: H01S5/02 ,  H01S5/022

CPC classification number: H01S5/0201 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/02268 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02276

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst das Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Laserelementen (1) die folgenden Schritte : A) Bereitstellen mindestens eines Trägerverbunds (20) mit einer Vielzahl von Trägern (2) für die Halbleiter- Laserelemente (1), C) Bereitstellen mindestens eines Laserbarrens (30) mit einer Vielzahl von Halbleiter-Laserdioden (3), die ein gemeinsames Aufwachssubstrat (31) und eine darauf aufgewachsene Halbleiterschichtenfolge (32) umfassen, D) Anbringen des Laserbarrens (30) auf einer Oberseite (23) des Trägerverbunds (20), und E) Vereinzeln zu den Halbleiter-Laserelementen (1). Der Verfahrensschritt E) folgt hierbei dem Verfahrensschritt D) nach.

Abstract translation: 在至少一个实施方案中，用于生产半导体激光元件（1）的方法，包括以下步骤：A）提供至少一个承载组件（20），其具有多个载波的（2）（用于半导体激光元件1），C）提供至少 激光条（30），具有多个半导体激光二极管（3），其包括共同的生长衬底（31）和在所述载体组件的顶侧（23）附接在激光条（30）（一个在其上生长的半导体层序列（32），D）的 20），以及e）切割所述半导体激光元件（1）。 在这种情况下处理步骤E）如下的工序D）。

公开(公告)号：WO2009082999A2

公开(公告)日：2009-07-09

申请号：PCT/DE2008/002131

申请日：2008-12-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  KOENIG, Harald ,  LAUER, Christian ,  BRICK, Peter ,  SCHMID, Wolfgang ,  FEHSE, Robin ,  STRAUSS, Uwe

Inventor： KOENIG, Harald ,  LAUER, Christian ,  BRICK, Peter ,  SCHMID, Wolfgang ,  FEHSE, Robin ,  STRAUSS, Uwe

IPC: H01S5/042

CPC classification number: H01S5/0425 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/1053 ,  H01S5/16 ,  H01S5/162 ,  H01S5/2036 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/4031 ,  H01S2301/206

Abstract: Es wird ein kantenemittierender Halbleiterlaserchip angegeben, mit - einer aktiven Zone (14), in der im Betrieb des Halbleiterlaserchips (1) elektromagnetische Strahlung erzeugt wird und - zumindest einem strukturierten Kontaktstreifen (2), der derart strukturiert ist, dass eine Ladungsträgerinjektion in die aktive Zone (14) zu einer Seite des Halbleiterlaserchips (1) hin abnimmt, an der sich eine Auskoppelfacette (3) des Halbleiterlaserchips (1) befindet.

Abstract translation:

本发明提供一种边发射的半导体激光器芯片，其具有 - 一个有源区（14），其中，所述半导体激光器芯片的操作过程中产生的（1）电磁辐射，和 - 至少一个图案化的接触带（2）中，构造成 是在向半导体激光器芯片（1）的半导体激光器芯片（1）的去耦面（3）存在的一侧朝向有源区域（14）的电荷载流子注入减少，