LASERDIODENVORRICHTUNG
    1.
    发明申请
    LASERDIODENVORRICHTUNG 审中-公开
    二极管器件

    公开(公告)号:WO2014180682A1

    公开(公告)日:2014-11-13

    申请号:PCT/EP2014/058483

    申请日:2014-04-25

    Abstract: Laserdiodenvorrichtung, umfassend einen Träger (1) mit einer Trägeroberseite (11), zumindest einen Laserdiodenchip (4), welcher an der Trägeroberseite (11) angeordnet ist, wobei der Laserdiodenchip (4) im Betrieb elektromagnetische Strahlung durch eine Abstrahlfläche (5) emittiert, wobei die Abstrahlfläche (5) senkrecht zur Trägeroberseite (11) verläuft, und zumindest ein optisches Element (6), das die vom Laserdiodenchip (4) abgestrahlte elektromagnetische Strahlung zumindest teilweise senkrecht zur Trägeroberseite (11) umlenkt. Laserdiodenchip und optisches Element können auf einer gemeinsamen Montageplatte (3) aus Kupfer angeordnet sein, die einen guten Wärmetransport zum Träger ermöglicht. Durch Verwendung mehrerer Laserdiodenchips mit geringfügig voneinander abweichender Wellenlänge können Speckles reduziert werden. Mittels einer Verzögerungsplatte (8) zwischen dem Laserdiodenchip und dem optischen Element kann die Polarisation beeinflusst werden. Ein Polarisationswürfel ermöglicht es, die umgelenkten Lichtstrahlenbündel als unterschiedlich polarisierte Lichtstrahlenbündel vollständig miteinander zu überdecken.

    Abstract translation: 激光二极管设备,包括,(4)设置在所述载体上的至少一个激光二极管芯片的支撑件(1)与载体顶部(11)(11)设置,其中,所述激光二极管芯片(4)的辐射表面(5)在操作期间发射电磁辐射, 其中辐射表面(5)垂直于载体顶部(11),和至少一个光学元件(6),由激光二极管芯片(4)的电磁辐射至少部分地垂直于载体顶部发射的光(11)挠曲。 激光二极管芯片和光学元件可以设置在(3)由铜制成的共同的安装板,从而使良好的热传递到支撑件。 通过使用多个激光二极管芯片与稍微发散波长斑点可被减少。 由激光二极管芯片及上述光学元件之间的相位差板(8)的装置,所述偏振可以被影响。 偏振立方体使得能够彼此完全覆盖偏转光束作为不同地偏振的偏振光束。

    VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER LASERDIODE, HALTERUNG UND LASERDIODE
    2.
    发明申请
    VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER LASERDIODE, HALTERUNG UND LASERDIODE 审中-公开
    用于生产激光二极管,支持和激光二极管

    公开(公告)号:WO2014033106A1

    公开(公告)日:2014-03-06

    申请号:PCT/EP2013/067679

    申请日:2013-08-27

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Laserdiode (17), wobei mehrere Laserdioden auf einem Wafer hergestellt werden, wobei der Wafer in Waferstücke zerteilt wird, wobei jedes Waferstück mehrere Laserdioden nebeneinander auf- weist, wobei ein Waferstück in eine erste Halterung (6) eingelegt wird, wobei die erste Halterung (6) ein erstes Abdeckelement (10) aufweist, das über eine Vorderseite (4) des Waferstücks hinausragt und einen unteren Bereich der Vorderseite des Waferstückes abschattet, wobei auf einen nicht abgeschatteten oberen Bereich (11) der Vorderseite des Waferstückes eine Spiegelschicht (15) abgeschieden wird, wobei das Waferstück in eine zweite Halterung (12) eingelegt wird, wobei die zweite Halterung (12) ein zweites Abdeckelement (14) aufweist, wobei das zweite Abdeckelement (14) die Spiegelschicht (15) des oberen Bereiches der Vorderseite abschattet, wobei auf einen nicht abgeschatteten unteren Bereich der Vorderseite des Waferstückes eine elektrisch leitende Kontaktschicht (19) abgeschieden wird, wobei das Waferstück anschließend in einzelne Laserdioden aufgeteilt wird. Zudem betrifft die Erfindung eine einfach herzustellende Laserdiode und Halterungen zur Durchführung des Verfahrens.

    Abstract translation: 本发明涉及一种制造激光二极管(17),其中多个激光二极管的在晶片上制造的方法,该晶片被切成晶片的片,将每个晶片件具有彼此相邻时,多个激光二极管的方法,其中的一块晶片分割成第一支架(6) 被插入时,其特征在于,前部的第一保持器(6),具有第一盖部件(10)突出超过前表面(4)的晶片块的和色调晶片片的前侧的下部,其中,非阴影上部区域(11) 晶片轨迹,反射镜层(15),其中,所述晶片片插入在第二支架(12)被沉积,所述第二保持器(12)包括第二盖部件(14),其中,所述第二盖(14)中,反射镜层(15) 前色调的上部,其特征在于,一个EL到晶片片的前端侧的非阴影下部 ektrisch导电接触层(19),其中所述片晶片然后被分成单个的激光二极管被沉积。 此外,本发明涉及一种易于制造的激光二极管和固定装置用于执行该方法。

    OPTOELEKTRONISCHES BAUTEIL
    3.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES BAUTEIL 审中-公开
    OPTO电子元件

    公开(公告)号:WO2016180851A1

    公开(公告)日:2016-11-17

    申请号:PCT/EP2016/060499

    申请日:2016-05-11

    Abstract: Optoelektronisches Bauteil Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauteil (101), umfassend: - ein Gehäuse (103) mit einem Träger (105), - wobei der Träger eine erste Oberfläche (107) und eine der ersten Oberfläche gegenüberliegende zweite Oberfläche (109) aufweist, - wobei der Träger einen ersten Durchbruch (111) und einen zweiten Durchbruch (113) umfasst, der von der ersten Oberfläche zur zweiten Oberfläche verlaufend gebildet ist, - wobei durch den ersten Durchbruch (111) ein erster elektrischer Anschlussleiter (115) z.B. aus Kupfer geführt ist und im zweiten Durchbruch (113) ein zweiter Anschlussleiter (117), - wobei der erste Anschlussleiter (111) eine Montagefläche (119) aufweist, - auf der eine Laserdiode (121) angeordnet ist, so dass die Laserdiode elektrisch mit dem ersten Anschlussleiter (115) verbunden ist, - wobei der Träger (105) eine Keramik umfasst, und der Träger kann eine geneigte Seite (129) zur Umlenkung des Laserstrahls (127) aufweisen und das Gehäuse (103) kann durch ein Fenster (135) abgeschlossen sein.

    Abstract translation: 光电子器件本发明涉及一种光电子器件(101),包括: - 具有载体(105),壳体(103) - ,其中所述载体具有第一表面(107)和相对的第二表面(109)的第一表面中的一个, - 其中,所述支撑件包括第一开口(111)和延伸从第一表面到第二表面上形成的第二孔(113), - 其中,通过所述第一开口(111),第一电连接导体(115),例如 是出铜和所述第二开口(113),第二连接导体(117),的 - 其中所述第一连接导体(111)具有安装面(119), - 在其上布置的激光二极管(121),从而使激光二极管电连接 被连接到第1端子导体(115), - 其中所述载体(105)包括陶瓷,和载体可以是一倾斜的侧面(129),用于偏转激光束(127),并且所述壳体(103)可以(通过一个窗口135 )交易。

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITER-LASERELEMENTS UND HALBLEITER-LASERELEMENT
    4.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITER-LASERELEMENTS UND HALBLEITER-LASERELEMENT 审中-公开
    用于生产半导体激光元件和半导体激光元件

    公开(公告)号:WO2014026951A1

    公开(公告)日:2014-02-20

    申请号:PCT/EP2013/066827

    申请日:2013-08-12

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst das Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Laserelementen (1) die folgenden Schritte : A) Bereitstellen mindestens eines Trägerverbunds (20) mit einer Vielzahl von Trägern (2) für die Halbleiter- Laserelemente (1), C) Bereitstellen mindestens eines Laserbarrens (30) mit einer Vielzahl von Halbleiter-Laserdioden (3), die ein gemeinsames Aufwachssubstrat (31) und eine darauf aufgewachsene Halbleiterschichtenfolge (32) umfassen, D) Anbringen des Laserbarrens (30) auf einer Oberseite (23) des Trägerverbunds (20), und E) Vereinzeln zu den Halbleiter-Laserelementen (1). Der Verfahrensschritt E) folgt hierbei dem Verfahrensschritt D) nach.

    Abstract translation: 在至少一个实施方案中,用于生产半导体激光元件(1)的方法,包括以下步骤:A)提供至少一个承载组件(20),其具有多个载波的(2)(用于半导体激光元件1),C)提供至少 激光条(30),具有多个半导体激光二极管(3),其包括共同的生长衬底(31)和在所述载体组件的顶侧(23)附接在激光条(30)(一个在其上生长的半导体层序列(32),D)的 20),以及e)切割所述半导体激光元件(1)。 在这种情况下处理步骤E)如下的工序D)。

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