Abstract:
Laserdiodenvorrichtung, umfassend einen Träger (1) mit einer Trägeroberseite (11), zumindest einen Laserdiodenchip (4), welcher an der Trägeroberseite (11) angeordnet ist, wobei der Laserdiodenchip (4) im Betrieb elektromagnetische Strahlung durch eine Abstrahlfläche (5) emittiert, wobei die Abstrahlfläche (5) senkrecht zur Trägeroberseite (11) verläuft, und zumindest ein optisches Element (6), das die vom Laserdiodenchip (4) abgestrahlte elektromagnetische Strahlung zumindest teilweise senkrecht zur Trägeroberseite (11) umlenkt. Laserdiodenchip und optisches Element können auf einer gemeinsamen Montageplatte (3) aus Kupfer angeordnet sein, die einen guten Wärmetransport zum Träger ermöglicht. Durch Verwendung mehrerer Laserdiodenchips mit geringfügig voneinander abweichender Wellenlänge können Speckles reduziert werden. Mittels einer Verzögerungsplatte (8) zwischen dem Laserdiodenchip und dem optischen Element kann die Polarisation beeinflusst werden. Ein Polarisationswürfel ermöglicht es, die umgelenkten Lichtstrahlenbündel als unterschiedlich polarisierte Lichtstrahlenbündel vollständig miteinander zu überdecken.
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Laserdiode (17), wobei mehrere Laserdioden auf einem Wafer hergestellt werden, wobei der Wafer in Waferstücke zerteilt wird, wobei jedes Waferstück mehrere Laserdioden nebeneinander auf- weist, wobei ein Waferstück in eine erste Halterung (6) eingelegt wird, wobei die erste Halterung (6) ein erstes Abdeckelement (10) aufweist, das über eine Vorderseite (4) des Waferstücks hinausragt und einen unteren Bereich der Vorderseite des Waferstückes abschattet, wobei auf einen nicht abgeschatteten oberen Bereich (11) der Vorderseite des Waferstückes eine Spiegelschicht (15) abgeschieden wird, wobei das Waferstück in eine zweite Halterung (12) eingelegt wird, wobei die zweite Halterung (12) ein zweites Abdeckelement (14) aufweist, wobei das zweite Abdeckelement (14) die Spiegelschicht (15) des oberen Bereiches der Vorderseite abschattet, wobei auf einen nicht abgeschatteten unteren Bereich der Vorderseite des Waferstückes eine elektrisch leitende Kontaktschicht (19) abgeschieden wird, wobei das Waferstück anschließend in einzelne Laserdioden aufgeteilt wird. Zudem betrifft die Erfindung eine einfach herzustellende Laserdiode und Halterungen zur Durchführung des Verfahrens.
Abstract:
Optoelektronisches Bauteil Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauteil (101), umfassend: - ein Gehäuse (103) mit einem Träger (105), - wobei der Träger eine erste Oberfläche (107) und eine der ersten Oberfläche gegenüberliegende zweite Oberfläche (109) aufweist, - wobei der Träger einen ersten Durchbruch (111) und einen zweiten Durchbruch (113) umfasst, der von der ersten Oberfläche zur zweiten Oberfläche verlaufend gebildet ist, - wobei durch den ersten Durchbruch (111) ein erster elektrischer Anschlussleiter (115) z.B. aus Kupfer geführt ist und im zweiten Durchbruch (113) ein zweiter Anschlussleiter (117), - wobei der erste Anschlussleiter (111) eine Montagefläche (119) aufweist, - auf der eine Laserdiode (121) angeordnet ist, so dass die Laserdiode elektrisch mit dem ersten Anschlussleiter (115) verbunden ist, - wobei der Träger (105) eine Keramik umfasst, und der Träger kann eine geneigte Seite (129) zur Umlenkung des Laserstrahls (127) aufweisen und das Gehäuse (103) kann durch ein Fenster (135) abgeschlossen sein.
Abstract:
In mindestens einer Ausführungsform umfasst das Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Laserelementen (1) die folgenden Schritte : A) Bereitstellen mindestens eines Trägerverbunds (20) mit einer Vielzahl von Trägern (2) für die Halbleiter- Laserelemente (1), C) Bereitstellen mindestens eines Laserbarrens (30) mit einer Vielzahl von Halbleiter-Laserdioden (3), die ein gemeinsames Aufwachssubstrat (31) und eine darauf aufgewachsene Halbleiterschichtenfolge (32) umfassen, D) Anbringen des Laserbarrens (30) auf einer Oberseite (23) des Trägerverbunds (20), und E) Vereinzeln zu den Halbleiter-Laserelementen (1). Der Verfahrensschritt E) folgt hierbei dem Verfahrensschritt D) nach.