公开(公告)号：WO2014095903A1

公开(公告)日：2014-06-26

申请号：PCT/EP2013/076953

申请日：2013-12-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ENZMANN, Roland ,  HORN, Markus ,  GRAUL, Markus ,  VEIT, Thomas ,  DACHS, Jürgen ,  LISTL, Stefan ,  ARZBERGER, Markus

IPC: H01S5/02 ,  H01S5/022 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01S5/0201 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/02236 ,  H01S5/0226 ,  H01S5/02268 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/323 ,  H01S5/32333

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Laserelementen (1) eingerichtet undumfasst die folgenden Schritte: A) Bereitstellen eines Trägerverbunds (20) mit einer Vielzahl von Trägern (2) für die Halbleiter-Laserelemente (1), B) Bereitstellen eines Laserbarrens (30) mit einer Vielzahl von Halbleiter-Laserdioden (3), die ein gemeinsames Aufwachssubstrat (31) und eine darauf aufgewachsene Halbleiterschichtenfolge (32) umfassen, C) Erzeugen von Sollbruchstellen (35) an einer der Halbleiterschichtenfolge (32) abgewandten Substratunterseite (34) des Aufwachssubstrats (31), D) Anbringen des Laserbarrens (30) auf einer Trägeroberseite (23) des Trägerverbunds (20), wobei das Anbringen bei einer erhöhten Temperatur erfolgt und von einem Abkühlen gefolgt wird, und E) Vereinzeln zu den Halbleiter-Laserelementen (1), wobei die Schritte B) bis E) in der angegebenen Reihenfolge durchgeführt werden.

Abstract translation: 在至少一个实施方案中，用于生产半导体激光元件（1）的方法被布置并包括以下步骤：A）提供具有多个载波的载体组件（20）（2）为半导体激光元件（1），B）提供 具有多个半导体激光二极管的激光条（30）的（3），其包括共同的生长衬底（31）和一个在其上生长的半导体层序列（32），c）产生预定的断裂点（35）（从基板底部背对半导体层序列32）中的一个 （34）在生长衬底（31），D）安装在载体组件（20），其中所述连接在升高的温度下进行，并随后冷却的载波顶部（23），激光条（30），以及e）分离所述 半导体激光元件（1），其中，所述步骤B）中）给予到E的顺序被执行。

公开(公告)号：WO2014026951A1

公开(公告)日：2014-02-20

申请号：PCT/EP2013/066827

申请日：2013-08-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ENZMANN, Roland ,  HANEDER, Stephan ,  ARZBERGER, Markus ,  WALTER, Christoph ,  SWIETLIK, Tomasz ,  KÖNIG, Harald ,  FEHSE, Robin ,  KÄMPF, Mathias ,  GRAUL, Markus ,  HORN, Markus

IPC: H01S5/02 ,  H01S5/022

CPC classification number: H01S5/0201 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/02268 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02276

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst das Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Laserelementen (1) die folgenden Schritte : A) Bereitstellen mindestens eines Trägerverbunds (20) mit einer Vielzahl von Trägern (2) für die Halbleiter- Laserelemente (1), C) Bereitstellen mindestens eines Laserbarrens (30) mit einer Vielzahl von Halbleiter-Laserdioden (3), die ein gemeinsames Aufwachssubstrat (31) und eine darauf aufgewachsene Halbleiterschichtenfolge (32) umfassen, D) Anbringen des Laserbarrens (30) auf einer Oberseite (23) des Trägerverbunds (20), und E) Vereinzeln zu den Halbleiter-Laserelementen (1). Der Verfahrensschritt E) folgt hierbei dem Verfahrensschritt D) nach.

Abstract translation: 在至少一个实施方案中，用于生产半导体激光元件（1）的方法，包括以下步骤：A）提供至少一个承载组件（20），其具有多个载波的（2）（用于半导体激光元件1），C）提供至少 激光条（30），具有多个半导体激光二极管（3），其包括共同的生长衬底（31）和在所述载体组件的顶侧（23）附接在激光条（30）（一个在其上生长的半导体层序列（32），D）的 20），以及e）切割所述半导体激光元件（1）。 在这种情况下处理步骤E）如下的工序D）。

公开(公告)号：WO2014033106A1

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：PCT/EP2013/067679

申请日：2013-08-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： AUEN, Karsten ,  DACHS, Jürgen ,  ENZMANN, Roland ,  GRAUL, Markus ,  HANEDER, Stephan ,  ROZYNSKI, Andreas ,  SWIETLIK, Tomasz ,  WALTER, Christoph

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/028 ,  G02B6/42

CPC classification number: H01L33/60 ,  H01L33/005 ,  H01L33/48 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2933/0066 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/02252 ,  H01S5/02268 ,  H01S5/028

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Laserdiode (17), wobei mehrere Laserdioden auf einem Wafer hergestellt werden, wobei der Wafer in Waferstücke zerteilt wird, wobei jedes Waferstück mehrere Laserdioden nebeneinander auf- weist, wobei ein Waferstück in eine erste Halterung (6) eingelegt wird, wobei die erste Halterung (6) ein erstes Abdeckelement (10) aufweist, das über eine Vorderseite (4) des Waferstücks hinausragt und einen unteren Bereich der Vorderseite des Waferstückes abschattet, wobei auf einen nicht abgeschatteten oberen Bereich (11) der Vorderseite des Waferstückes eine Spiegelschicht (15) abgeschieden wird, wobei das Waferstück in eine zweite Halterung (12) eingelegt wird, wobei die zweite Halterung (12) ein zweites Abdeckelement (14) aufweist, wobei das zweite Abdeckelement (14) die Spiegelschicht (15) des oberen Bereiches der Vorderseite abschattet, wobei auf einen nicht abgeschatteten unteren Bereich der Vorderseite des Waferstückes eine elektrisch leitende Kontaktschicht (19) abgeschieden wird, wobei das Waferstück anschließend in einzelne Laserdioden aufgeteilt wird. Zudem betrifft die Erfindung eine einfach herzustellende Laserdiode und Halterungen zur Durchführung des Verfahrens.

Abstract translation: 本发明涉及一种制造激光二极管（17），其中多个激光二极管的在晶片上制造的方法，该晶片被切成晶片的片，将每个晶片件具有彼此相邻时，多个激光二极管的方法，其中的一块晶片分割成第一支架（6） 被插入时，其特征在于，前部的第一保持器（6），具有第一盖部件（10）突出超过前表面（4）的晶片块的和色调晶片片的前侧的下部，其中，非阴影上部区域（11） 晶片轨迹，反射镜层（15），其中，所述晶片片插入在第二支架（12）被沉积，所述第二保持器（12）包括第二盖部件（14），其中，所述第二盖（14）中，反射镜层（15） 前色调的上部，其特征在于，一个EL到晶片片的前端侧的非阴影下部 ektrisch导电接触层（19），其中所述片晶片然后被分成单个的激光二极管被沉积。 此外，本发明涉及一种易于制造的激光二极管和固定装置用于执行该方法。