公开(公告)号：DE102021104685A1

公开(公告)日：2022-09-01

申请号：DE102021104685

申请日：2021-02-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： EBBECKE JENS ,  SCHELESTOW KRISTINA ,  GRAUL MARKUS ,  MEYER HANS-JOACHIM ,  FLÖTER RICHARD

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/30

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements (1) angegeben das die folgenden Schritte umfasst:A) Bereitstellen eines Halbleiterkörpers (10), umfassend in einer vertikalen Richtung (Y) aufeinander abfolgend, eine erste Schicht (101) eines ersten Leitungstyps, eine aktive Schicht (103), die als eine Quantum-Well-Struktur ausgebildet ist, die zur Emission von elektromagnetischer Strahlung vorgesehen ist und eine zweite Schicht (102) eines zweiten Leitungstyps, undB) Bestrahlen des Halbleiterkörpers (10) mit einer fokussierten elektromagnetischen Strahlung (E), derart, dass ein Fokusbereich (E1) der elektromagnetischen Strahlung (E) innerhalb der aktiven Schicht (103) liegt und mit der Quantum-Well-Struktur überlappt, wobei die elektromagnetischen Strahlung (E) eine Intensität aufweist, die im Fokusbereich (E1) ausreichend groß ist, um Punktdefekte (201) in der Quantum-Well-Struktur hervorzurufen, sodass ein Defektbereich (20) gebildet wird und die Erzeugung der Punktdefekte (201) auf den Fokusbereich (E1) beschränkt ist. Ferner wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) angegeben.

公开(公告)号：DE112014002434A5

公开(公告)日：2016-02-18

申请号：DE112014002434

申请日：2014-05-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GROSSER JULIA ,  FLÖTER RICHARD ,  SCHMID CHRISTIAN ,  BRÖLL MARKUS

IPC: H01L33/00

公开(公告)号：DE102013105035A1

公开(公告)日：2014-11-20

申请号：DE102013105035

申请日：2013-05-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHMID CHRISTIAN ,  GROSSER JULIA ,  FLÖTER RICHARD ,  BRÖLL MARKUS

IPC: H01L33/12 ,  H01L21/20 ,  H01L21/31 ,  H01L21/58 ,  H01L33/02

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Substrats, zum Abscheiden einer Opferschicht, zum Abscheiden einer funktionellen Halbleiterschichtenfolge, zum lateralen Strukturieren der funktionellen Halbleiterschichtenfolge und zum Oxidieren der Opferschicht in einem feuchtthermischen Oxidationsprozess.