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公开(公告)号：DE102017112875A1
公开(公告)日：2018-12-13
申请号：DE102017112875
申请日：2017-06-12
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： EBBECKE JENS
Abstract: Es wird ein Leuchtdiodenchip angegeben. Der Leuchtdiodenchip umfasst- eine epitaktische Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer aktiven Zone (2), die im Betrieb elektromagnetische Strahlung (S) erzeugt, und- eine Passivierungsschicht (3) umfassend Magnesiumoxid und Magnesiumnitrid, wobeidie Passivierungsschicht (3) auf einer Seitenfläche (1c) der Halbleiterschichtenfolge (1) aufgebracht ist und die Passivierungsschicht (3) zumindest die aktive Zone (2) überdeckt.
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2.发明专利
公开(公告)号：DE102016114459A1
公开(公告)日：2018-02-08
申请号：DE102016114459
申请日：2016-08-04
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： SPECHT HOLGER , ZEISEL ROLAND , VOGL ANTON , EBBECKE JENS
IPC: G01R31/26 , G01R31/28 , G01R31/308 , H01L21/66
Abstract: Es werden ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Vermessung einer Vielzahl an Halbleiterchips (10) in einem Waferverbund (100) angegeben. Bei dem Verfahren wird der Waferverbund auf einem elektrisch leitfähigen Träger (400) angeordnet, so dass jeweils ein Rückkontakt (101) der Halbleiterchips durch den Träger kontaktiert wird. Eine Kontaktstruktur (200), die ein Kontaktelement und/oder eine Vielzahl an strahlungsemittierenden Messhalbleiterchips (20) umfasst, wird auf einer dem Träger abgewandten Seite der Halbleiterchips angeordnet. Schließlich wird eine Spannung zwischen der Kontaktstruktur und dem Träger angelegt und eine Vermessung der Halbleiterchips abhängig von einem Leuchtbild durchgeführt, welches durch emittierte Strahlung generiert wird, die durch Fluoreszenz bei Beleuchtung der Halbleiterchips oder durch einen strahlungsemittierenden Betrieb der Messhalbleiterchips beim Anlegen der Spannung gleichzeitig hervorgerufen wird. Das Leuchtbild weist eine Vielzahl an Leuchtpunkten auf, wobei jeder Leuchtpunkt genau einem der Halbleiterchips eindeutig zugeordnet ist.
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公开(公告)号：DE112019005563B4
公开(公告)日：2022-10-06
申请号：DE112019005563
申请日：2019-10-30
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： EBBECKE JENS
Abstract: Laserdiode (10) zur Erzeugung von Laserstrahlung (21, 22) mindestens zweier Frequenzen (f1, f2), umfassend- einen Halbleiterkörper (1) mit einem Rippenwellenleiter (2),- eine DFB-Struktur (3) oder DBR-Struktur in dem Rippenwellenleiter (2), und- ein auf dem Rippenwellenleiter (2) angeordnetes piezoelektrisches Element (4) zur Erzeugung einer mechanischen Spannung in dem Rippenwellenleiter (2), wobei die mechanische Spannung bewirkt, dass der Rippenwellenleiter (2) im Bereich des piezoelektrischen Elements (4) eine doppelbrechende Eigenschaft bekommt und wobei die Laserdiode (10) dazu geeignet ist, beim Anlegen einer elektrischen Spannung an das piezoelektrische Element (4) gleichzeitig eine erste Laserstrahlung (21) einer ersten Frequenz (f1) und eine zweite Laserstrahlung (22) mit einer von der ersten Frequenz (f1) verschiedenen zweiten Frequenz (f2) zu emittieren, wobei die erste Laserstrahlung (21) und die zweite Laserstrahlung (22) unterschiedliche Polarisationsrichtungen aufweisen.
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公开(公告)号：DE102021104685A1
公开(公告)日：2022-09-01
申请号：DE102021104685
申请日：2021-02-26
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： EBBECKE JENS , SCHELESTOW KRISTINA , GRAUL MARKUS , MEYER HANS-JOACHIM , FLÖTER RICHARD
Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements (1) angegeben das die folgenden Schritte umfasst:A) Bereitstellen eines Halbleiterkörpers (10), umfassend in einer vertikalen Richtung (Y) aufeinander abfolgend, eine erste Schicht (101) eines ersten Leitungstyps, eine aktive Schicht (103), die als eine Quantum-Well-Struktur ausgebildet ist, die zur Emission von elektromagnetischer Strahlung vorgesehen ist und eine zweite Schicht (102) eines zweiten Leitungstyps, undB) Bestrahlen des Halbleiterkörpers (10) mit einer fokussierten elektromagnetischen Strahlung (E), derart, dass ein Fokusbereich (E1) der elektromagnetischen Strahlung (E) innerhalb der aktiven Schicht (103) liegt und mit der Quantum-Well-Struktur überlappt, wobei die elektromagnetischen Strahlung (E) eine Intensität aufweist, die im Fokusbereich (E1) ausreichend groß ist, um Punktdefekte (201) in der Quantum-Well-Struktur hervorzurufen, sodass ein Defektbereich (20) gebildet wird und die Erzeugung der Punktdefekte (201) auf den Fokusbereich (E1) beschränkt ist. Ferner wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) angegeben.
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公开(公告)号：DE112019005563A5
公开(公告)日：2021-07-22
申请号：DE112019005563
申请日：2019-10-30
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： EBBECKE JENS
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102018125493A1
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：DE102018125493
申请日：2018-10-15
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： EBBECKE JENS
Abstract: In mindestens einer Ausführungsform weist der kantenemittierende Halbleiterlaser (100) einen Halbleiterkörper (1) mit einer Oberseite (13), einer Unterseite (14), einer ersten und einer zweiten Facette (11, 12) auf. Die erste und die zweite Facette liegen einander gegenüber und verbinden die Oberseite und die Unterseite miteinander. Der Halbleiterkörper umfasst einen aktiven Bereich (10) zur Erzeugung von Laserstrahlung. Ferner weist der Halbleiterlaser ein erstes Kontaktelement (31) zur Injektion von ersten Ladungsträgern auf der Oberseite sowie ein zweites Kontaktelement (32) zur Injektion von zweiten Ladungsträgern auf der Unterseite auf. Der Halbleiterlaser weist einen Spiegel (21) auf der ersten Facette auf. Das erste Kontaktelement ist in einem ersten Kontaktbereich (310) elektrisch leitend mit dem Halbleiterkörper verbunden. Der Spiegel überlappt entlang einer Querrichtung vollständig mit dem ersten Kontaktelement. Eine Breite des ersten Kontaktelements ist kleiner als eine Breite des zweiten Kontaktelements und eine Breite des Spiegels ist kleiner als die Breite des ersten Kontaktelements. Eine Reflektivität für auf die erste Facette treffende Laserstrahlung im Bereich des Spiegels ist größer als in einem Bereich unmittelbar neben dem Spiegel.
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公开(公告)号：DE102017101877A1
公开(公告)日：2018-08-02
申请号：DE102017101877
申请日：2017-01-31
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： EBBECKE JENS
Abstract: Es wird eine Einzelphotonenquelle (10) mit einem Halbleiterkörper (2) und einem Transducer (3) angegeben, bei der der Halbleiterkörper (2) eine aktive Zone (23) zur Erzeugung von einzelnen Photonen aufweist, wobei die aktive Zone (3) ein piezoelektrisches Halbleitermaterial enthält. Der Transducer (3) ist zur Erzeugung von Oberflächenwellen eingerichtet, wobei der Halbleiterkörper (2) und der Transducer (3) derart zueinander angeordnet sind, dass die im Betrieb der Einzelphotonenquelle von dem Transducer erzeugten Oberflächenwellen in die aktive Zone (23) einkoppelbar sind.Des Weiteren wird eine Methode zur kontrollierten Erzeugung von Photonen unter Verwendung von Oberflächenwellen angegeben.
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公开(公告)号：DE102016112972A1
公开(公告)日：2018-01-18
申请号：DE102016112972
申请日：2016-07-14
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： ZEISEL ROLAND , BINDER MICHAEL , EBBECKE JENS , MEYER TOBIAS
Abstract: Die Erfindung betrifft einen optoelektronischen Halbleiterchip (1) mit einem Halbleiterkörper (10) umfassend eine erste Halbleiterstruktur (100), eine zweite Halbleiterstruktur (200) und einen aktiven Bereich (300) zwischen der ersten (100) und der zweiten Halbleiterstruktur (200), und eine Vielzahl von Aussparungen (500), die jeweils zumindest eine der Halbleiterstrukturen (100, 200) und den aktiven Bereich (300) durchdringen, wobei eine Deckfläche (300a) des aktiven Bereichs (300) eine zusammenhängende Fläche ist, und zumindest in manchen der Aussparungen (500), Oberflächen (500a) der Aussparungen (500), vollständig mit elektrisch isolierendem Material (5) bedeckt sind.
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公开(公告)号：DE112021000539A5
公开(公告)日：2022-10-27
申请号：DE112021000539
申请日：2021-01-12
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： EBBECKE JENS
IPC: H01S5/20 , H01L21/306 , H01L33/20 , H01S5/10 , H01S5/343
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公开(公告)号：DE112017003537A5
公开(公告)日：2019-03-28
申请号：DE112017003537
申请日：2017-07-11
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： ZEISEL ROLAND , BINDER MICHAEL , EBBECKE JENS , MEYER TOBIAS
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