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公开(公告)号：DE102012215265A1
公开(公告)日：2014-03-06
申请号：DE102012215265
申请日：2012-08-28
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： AUEN KARSTEN , DACHS JUERGEN , ENZMANN ROLAND , GRAUL MARKUS , HANEDER STEPHAN , ROZYNSKI ANDREAS , SWIETLIK TOMASZ
Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Laserdiode, wobei mehrere Laserdioden auf einem Wafer hergestellt werden, wobei der Wafer in Waferstücke zerteilt wird, wobei jedes Waferstück mehrere Laserdioden nebeneinander aufweist, wobei ein Waferstück in eine erste Halterung eingelegt wird, wobei die erste Halterung ein erstes Abdeckelement aufweist, das über eine Vorderseite des Waferstücks hinausragt und einen unteren Bereich der Vorderseite des Waferstückes abschattet, wobei auf einen nicht abgeschatteten oberen Bereich der Vorderseite des Waferstückes eine Spiegelschicht abgeschieden wird, wobei das Waferstück in eine zweite Halterung eingelegt wird, wobei die zweite Halterung ein zweites Abdeckelement aufweist, wobei das zweite Abdeckelement die Spiegelschicht des oberen Bereiches der Vorderseite abschattet, wobei auf einen nicht abgeschatteten unteren Bereich der Vorderseite des Waferstückes eine elektrisch leitende Kontaktschicht abgeschieden wird, wobei das Waferstück anschließend in einzelne Laserdioden aufgeteilt wird. Zudem betrifft die Erfindung eine einfach herzustellende Laserdiode und Halterungen zur Durchführung des Verfahrens.
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公开(公告)号：DE102021104685A1
公开(公告)日：2022-09-01
申请号：DE102021104685
申请日：2021-02-26
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： EBBECKE JENS , SCHELESTOW KRISTINA , GRAUL MARKUS , MEYER HANS-JOACHIM , FLÖTER RICHARD
Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements (1) angegeben das die folgenden Schritte umfasst:A) Bereitstellen eines Halbleiterkörpers (10), umfassend in einer vertikalen Richtung (Y) aufeinander abfolgend, eine erste Schicht (101) eines ersten Leitungstyps, eine aktive Schicht (103), die als eine Quantum-Well-Struktur ausgebildet ist, die zur Emission von elektromagnetischer Strahlung vorgesehen ist und eine zweite Schicht (102) eines zweiten Leitungstyps, undB) Bestrahlen des Halbleiterkörpers (10) mit einer fokussierten elektromagnetischen Strahlung (E), derart, dass ein Fokusbereich (E1) der elektromagnetischen Strahlung (E) innerhalb der aktiven Schicht (103) liegt und mit der Quantum-Well-Struktur überlappt, wobei die elektromagnetischen Strahlung (E) eine Intensität aufweist, die im Fokusbereich (E1) ausreichend groß ist, um Punktdefekte (201) in der Quantum-Well-Struktur hervorzurufen, sodass ein Defektbereich (20) gebildet wird und die Erzeugung der Punktdefekte (201) auf den Fokusbereich (E1) beschränkt ist. Ferner wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) angegeben.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102012112531A1
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：DE102012112531
申请日：2012-12-18
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： ENZMANN ROLAND , HORN MARKUS , GRAUL MARKUS , VEIT THOMAS , DACHS JÜRGEN , LISTL STEFAN , ARZBERGER MARKUS
IPC: H01S5/02
Abstract: In mindestens einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Laserelementen (1) eingerichtet und umfasst die folgenden Schritte: A) Bereitstellen eines Trägerverbunds (20) mit einer Vielzahl von Trägern (2) für die Halbleiter-Laserelemente (1), B) Bereitstellen eines Laserbarrens (30) mit einer Vielzahl von Halbleiter-Laserdioden (3), die ein gemeinsames Aufwachssubstrat (31) und eine darauf aufgewachsene Halbleiterschichtenfolge (32) umfassen, C) Erzeugen von Sollbruchstellen (35) an einer der Halbleiterschichtenfolge (32) abgewandten Substratunterseite (34) des Aufwachssubstrats (31), D) Anbringen des Laserbarrens (30) auf einer Trägeroberseite (23) des Trägerverbunds (20), wobei das Anbringen bei einer erhöhten Temperatur erfolgt und von einem Abkühlen gefolgt wird, und E) Vereinzeln zu den Halbleiter-Laserelementen (1), wobei die Schritte B) bis E) in der angegebenen Reihenfolge durchgeführt werden.
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公开(公告)号：DE102012107409A1
公开(公告)日：2014-02-13
申请号：DE102012107409
申请日：2012-08-13
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： ENZMANN ROLAND , ARZBERGER MARKUS , FEHSE ROBIN , GRAUL MARKUS , HORN MARKUS , HANEDER STEPHAN , WALTER CHRISTOPH , SWIETLIK TOMASZ , KOENIG HARALD , KAEMPF MATHIAS
Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst das Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Laserelementen (1) die folgenden Schritte: A) Bereitstellen mindestens eines Trägerverbunds (20) mit einer Vielzahl von Trägern (2) für die Halbleiter-Laserelemente (1), C) Bereitstellen mindestens eines Laserbarrens (30) mit einer Vielzahl von Halbleiter-Laserdioden (3), die ein gemeinsames Aufwachssubstrat (31) und eine darauf aufgewachsene Halbleiterschichtenfolge (32) umfassen, D) Anbringen des Laserbarrens (30) auf einer Oberseite (23) des Trägerverbunds (20), und E) Vereinzeln zu den Halbleiter-Laserelementen (1). Der Verfahrensschritt E) folgt hierbei dem Verfahrensschritt D) nach.
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公开(公告)号：DE102012215265B4
公开(公告)日：2022-09-22
申请号：DE102012215265
申请日：2012-08-28
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： AUEN KARSTEN , DACHS JÜRGEN , ENZMANN ROLAND , GRAUL MARKUS , HANEDER STEPHAN , ROZYNSKI ANDREAS , SWIETLIK TOMASZ
Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Laserdiode, wobei mehrere Laserdioden mit Laserdiodenstrukturen (2) auf einem Wafer hergestellt werden, wobei der Wafer in Waferstücke zerteilt wird, wobei jedes Waferstück (1) als Tragelement mehrere Laserdioden nebeneinander aufweist, wobei ein Waferstück in eine erste Halterung (6) eingelegt wird, wobei die erste Halterung ein erstes Abdeckelement (10) aufweist, das über eine Vorderseite des Waferstücks hinausragt und einen unteren Bereich (16) der Vorderseite des Waferstückes abschattet, wobei auf einen nicht abgeschatteten oberen Bereich (11) der Vorderseite des Waferstückes eine Spiegelschicht (15) abgeschieden wird, wobei das Waferstück in eine zweite Halterung (12) eingelegt wird, wobei die zweite Halterung ein zweites Abdeckelement (14) aufweist, wobei das zweite Abdeckelement die Spiegelschicht des oberen Bereiches der Vorderseite abschattet, wobei auf einen nicht abgeschatteten unteren Bereich der Vorderseite des Waferstückes eine elektrisch leitende Kontaktschicht (19) abgeschieden wird, wobei das Waferstück anschließend in einzelne Laserdioden aufgeteilt wird,wobei anschließend an der Kontaktschicht (19) der Laserdiode ein optisches Bauelement befestigt wird, wobei das optische Bauelement ein weiteres Tragelement (20) und eine optische Faser (21) aufweist, wobei die optische Faser (21) auf die Laserdiodenstruktur (2) der Laserdiode ausgerichtet wird, um eine von der Laserdiodenstruktur (2) ausgekoppelte Laserstrahlung aufzunehmen und weiterzuleiten,wobei die Kontaktschicht (19) zum Montieren des weiteren Tragelements (20) und zum Anschluss eines weiteren elektrischen Kontaktes (36) zum Betreiben der Laserdiode dient.
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公开(公告)号：DE112013006065B4
公开(公告)日：2019-04-18
申请号：DE112013006065
申请日：2013-12-17
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： ENZMANN ROLAND HEINRICH , HORN MARKUS REINHARD , GRAUL MARKUS , VEIT THOMAS , DACHS JÜRGEN , LISTL STEFAN , ARZBERGER MARKUS
Abstract: Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Laserelementen (1) mit den Schritten:A) Bereitstellen mindestens eines Trägerverbunds (20) mit einer Vielzahl von Trägern (2) für die Halbleiter-Laserelemente (1),B) Bereitstellen mindestens eines Laserbarrens (30) mit einer Vielzahl von Halbleiter-Laserdioden (3), die ein gemeinsames Aufwachssubstrat (31) und eine darauf aufgewachsene Halbleiterschichtenfolge (32) umfassen, wobei die Halbleiterschichtenfolge (32) eine n-Seite, eine p-Seite und eine dazwischenliegende aktive Zone umfasst und die n-Seite dem Aufwachssubstrat (31) zugewandt ist,C) Erzeugen von Sollbruchstellen (35) an einer der Halbleiterschichtenfolge (32) abgewandten Substratunterseite (34) des Aufwachssubstrats (31), wobei sich die Sollbruchstellen (35) näher an der n-Seite als an der p-Seite der Halbleiterschichtenfolge (32) befinden,D) Anbringen des Laserbarrens (30) auf einer Trägeroberseite (23) des Trägerverbunds (20), wobei die Substratunterseite (34) der Trägeroberseite (23) zugewandt ist, sodass sich die Sollbruchstellen (35) im Aufwachssubstrat (31) zwischen der Halbleiterschichtenfolge (32) und den Trägern (2) befinden, und wobei das Anbringen bei einer erhöhten Temperatur erfolgt und von einem Abkühlen gefolgt wird, wodurch der Laserbarren (30) in abgekühltem Zustand zu den Halbleiter-Laserdioden (3) vereinzelt wird, undE) Vereinzeln zu den Halbleiter-Laserelementen (1), wobei die Schritte B) bis E) in der angegebenen Reihenfolge durchgeführt werden, und wobei der Trägerverbund (20) zu den Trägern (2) der Halbleiter-Laserelemente (1) vereinzelt wird.
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公开(公告)号：DE112013006065A5
公开(公告)日：2015-09-03
申请号：DE112013006065
申请日：2013-12-17
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： HORN MARKUS , GRAUL MARKUS , LISTL STEFAN , ENZMANN ROLAND , VEIT THOMAS , DACHS JÜRGEN , ARZBERGER MARKUS
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