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    Optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einer Kontaktstruktur und Verfahren zur Herstellung einer Kontaktstruktur für ein optoelektronisches Halbleiterbauelement
    1.
    发明专利
    Optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einer Kontaktstruktur und Verfahren zur Herstellung einer Kontaktstruktur für ein optoelektronisches Halbleiterbauelement 未知

    公开(公告)号：DE102017117650A1

    公开(公告)日：2019-02-07

    申请号：DE102017117650

    申请日：2017-08-03

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SCHMID WOLFGANG ,  BRÖLL MARKUS

    IPC: H01L33/36 ,  H01L33/44

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Kontaktstruktur für ein optoelektronisches Halbleiterbauelement angegeben, umfassend die Schritte:a) Bereitstellen eines Aufwachssubstrats mit einem darauf aufgewachsenen Halbleiterkörper, der einen ersten und zweiten Bereich, und einen aktiven Bereich aufweist,b) Erzeugen einer ersten Aussparung, die sich ausgehend vom zweiten Bereich vollständig durch den aktiven Bereich bis in den ersten Bereich erstreckt und den ersten Bereich nicht vollständig durchdringt,c) Einbringen eines ersten elektrisch leitfähigen Kontaktmaterials in die erste Aussparung,d) Befestigen des Halbleiterkörpers mit der dem Aufwachssubstrat abgewandten Seite auf einem Trägersubstrat, und Ablösen des Aufwachssubstrats vom Halbleiterkörper,e) Erzeugen einer zweiten Aussparung, die sich ausgehend vom ersten Bereich bis zur ersten Aussparung erstreckt, so dass die erste Aussparung und die zweite Aussparung eine Durchführung durch den Halbleiterkörper bilden,f) Einbringen eines zweiten elektrisch leitfähigen Kontaktmaterials in die zweite Aussparung derart, dass das erste und das zweite Kontaktmaterial eine elektrisch leitfähige Kontaktstruktur durch den Halbleiterkörper bilden.Weiterhin wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einer Kontaktstruktur angegeben.

    Optoelektronischer Halbleiterchip
    2.
    发明专利
    Optoelektronischer Halbleiterchip 未知

    公开(公告)号：DE102015111046A1

    公开(公告)日：2017-01-12

    申请号：DE102015111046

    申请日：2015-07-08

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KREUTER PHILIPP ,  BRÖLL MARKUS ,  MÜLLER JENS

    IPC: H01L33/36 ,  H01L33/44 ,  H01L33/62

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2). Die Halbleiterschichtenfolge (2) weist eine erste Seite (21) und eine zweite Seite (23, 24) sowie eine dazwischen liegende aktive Zone (22) auf. Die beiden Seiten zeigen unterschiedliche Leitfähigkeitstypen auf. Von der ersten Seite (21) her durch die aktive Zone (22) hindurch ist die zweite Seite (23, 24) mit einer elektrischen Durchkontaktierung (3) kontaktiert. Die Durchkontaktierung (3) beinhaltet einen Basisbereich (31), der als Zylinder, Kegelstumpf oder Pyramidenstumpf geformt ist und der in lateraler Richtung, senkrecht zu einer Wachstumsrichtung (G) der Halbleiterschichtenfolge (2), ringsum von einer elektrischen Isolationsschicht (32) umgeben ist. Die Durchkontaktierung (3) weist einen Kontaktbereich (33) auf, der als Kegelstumpf oder Pyramidenstumpf oder sphärischer oder asphärischer Körper geformt ist und der entlang der Wachstumsrichtung (G) dem Basisbereich (31) unmittelbar nachfolgt sowie in direktem Kontakt mit der zweiten Seite (23, 24) steht. Ein erster Flankenwinkel (a) des Basisbereichs (31) ist anders als ein zweiter Flankenwinkel (b) des Kontaktbereichs (33).

    Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
    3.
    发明专利
    Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE102013022696B4

    公开(公告)日：2025-02-20

    申请号：DE102013022696

    申请日：2013-05-14

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BRÖLL MARKUS ,  KLEMP CHRISTOPH ,  SCHMID WOLFGANG

    IPC: H10H20/83 ,  H10D64/01

    Abstract: Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (10) mit den folgenden Schritten:- Bereitstellen eines Halbleiterkristalls (100), der eine Oberfläche (110) aufweist;- Aufbringen einer ersten Schicht (200), die ein Dielektrikum aufweist, auf die Oberfläche (110);- Aufbringen und Strukturieren einer Fotolackschicht (300) auf der ersten Schicht (200), wobei die Fotolackschicht (300) so strukturiert wird, dass sie eine Öffnung (310) aufweist;- Teilweises Herauslösen der ersten Schicht, um einen ersten und einen zweiten lateralen Bereich (120, 121, 122) der Oberfläche (110) freizulegen, wobei in einem dritten lateralen Bereich (11) die erste Schicht (200) auf der Oberfläche angeordnet ist, wobei die Fotolackschicht (300) während des Herauslösens der ersten Schicht (200) teilweise unterätzt wird;- Aufbringen einer Kontaktfläche (410), die ein erstes Metall aufweist, im ersten lateralen Bereich (121) der Oberfläche (110);- Entfernen der Fotolackschicht (300);- Aufbringen einer zweiten Schicht (500), die ein optisch transparentes, elektrisch leitfähiges Material aufweist, auf die Kontaktfläche (410) und den zweiten lateralen Bereich (120, 122) der Oberfläche (110);- Aufbringen einer dritten Schicht (600), die ein zweites Metall aufweist, auf die zweite Schicht (500).

    Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
    6.
    发明专利
    Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements 未知

    公开(公告)号：DE102018101700A1

    公开(公告)日：2019-07-25

    申请号：DE102018101700

    申请日：2018-01-25

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HOLLAND BRENDAN ,  BRÖLL MARKUS

    IPC: H01L33/44 ,  H01L31/0216

    Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) mit einer Halbleiterschichtenfolge (10) mit einem ersten Bereich (101) eines ersten Leitungstyps, einer Reflexionsschicht (140) einer zwischen der Halbleiterschichtenfolge (10) und der Reflexionsschicht (140) angeordneten Passivierungsschicht (120) angegeben. Ferner umfasst das optoelektronische Halbleiterbauelement (1) eine erste Barriereschicht (131), die zwischen dem ersten Bereich (101) der Halbleiterschichtenfolge (10) und der Passivierungsschicht (120) angeordnet ist, und/oder eine zweite Barriereschicht (132), die zwischen der Reflexionsschicht (140) und der Passivierungsschicht (120) angeordnet ist. Die erste Barriereschicht (131) vermindert oder unterbindet eine Diffusion von Kontaminanten aus der Passivierungsschicht (120) in die Halbleiterschichtenfolge (10)und die zweite Barriereschicht (132) vermindert oder unterbindet eine Diffusion von Kontaminanten aus der Passivierungsschicht (120) in die Reflexionsschicht (140).

    Optoelektronischer Halbleiterchip
    7.
    发明专利
    Optoelektronischer Halbleiterchip 未知

    公开(公告)号：DE102017112099A1

    公开(公告)日：2018-12-06

    申请号：DE102017112099

    申请日：2017-06-01

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： WANG XUE ,  BRÖLL MARKUS ,  WERNER KATHARINA ,  SUNDGREN PETRUS

    IPC: H01L33/14 ,  H01L33/30

    Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (100) mit einer Halbleiterschichtenfolge (10) beschrieben, die auf einem Phosphid-Verbindungshalbleitermaterial oder Arsenid-Verbindungshalbleitermaterial basiert, wobei die Halbleiterschichtenfolge (10) einen p-Typ Halbleiterbereich (4), einen n-Typ Halbleiterbereich (2) und eine zwischen dem p-Typ Halbleiterbereich (4) und dem n-Typ Halbleiterbereich (2) angeordnete aktive Schicht (3) enthält,wobei eine n-dotierte Halbleiterschicht (21) des n-Typ Halbleiterbereichs (2) an einer von der aktiven Schicht (3) abgewandten Seite an eine p-dotierte Halbleiterschicht (11) angrenzt, wobei die n-dotierte Halbleiterschicht (21) und die p-dotierte Halbleiterschicht (11) einen Tunnelübergang (13) ausbilden, und wobei die p-dotierte Halbleiterschicht (11) an eine elektrische Kontaktschicht (12) angrenzt, die ein transparentes leitfähiges Oxid aufweist.

    Optoelektronischer Halbleiterchip
    8.
    发明专利
    Optoelektronischer Halbleiterchip 未知

    公开(公告)号：DE102017101637A1

    公开(公告)日：2018-08-02

    申请号：DE102017101637

    申请日：2017-01-27

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： WANG XUE ,  BRÖLL MARKUS

    IPC: H01L33/36 ,  H01L33/30 ,  H01S5/00

    Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (20) beschrieben, umfassend eine Halbleiterschichtenfolge (10), die ein Phosphid-Verbindungshalbleitermaterial aufweist, wobei die Halbleiterschichtenfolge (10) einen p-Typ Halbleiterbereich (4) einen n-Typ Halbleiterbereich (2), und eine zwischen dem p-Typ Halbleiterbereich (4) und dem n-Typ Halbleiterbereich (2) angeordnete aktive Schicht (3) enthält. Weiterhin umfass der optoelektronische Halbleiterchip eine an den p-Typ Halbleiterbereich (4) angrenzende Stromaufweitungsschicht (8), die ein transparentes leitfähiges Oxid aufweist, und eine metallische p-Anschlussschicht (12), die zumindest bereichsweise an die Stromaufweitungsschicht (8) angrenzt. Der p-Typ Halbleiterbereich (4) weist eine p-Kontaktschicht (7) auf, die an die Stromaufweitungsschicht (8) angrenzt. Die p-Kontaktschicht (7) weist mit C dotiertes GaP auf, wobei die C-Dotierstoffkonzentration mindestens 5 * 10cmbeträgt, und wobei die p-Kontaktschicht (7) weniger als 100 nm dick ist.

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