公开(公告)号：DE102011111920A1

公开(公告)日：2013-02-28

申请号：DE102011111920

申请日：2011-08-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GAERTNER CHRISTIAN DR ,  ALEXANDER BAUMGARTNER ,  KRUPPA MICHAEL ,  MARKYTAN ALES

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/50

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) angegeben, das einen ersten, zweiten und dritten Halbleiterchip (1a, 1b, 1c) umfasst. Der erste Halbleiterchip (1a) emittiert im Betrieb rote Strahlung (S1). Der zweite und dritte Halbleiterchip (1b, 1c) emittieren im Betrieb jeweils blaue Strahlung. Dem zweiten Halbleiterchip (1b) ist in Abstrahlrichtung ein erster Konverter (3a) und dem dritten Halbleiterchip (1c) ein zweiter Konverter (3b) nachgeordnet. Der erste Konverter (3a) konvertiert Strahlung im Wellenlängenbereich zwischen einschließlich 510 nm bis einschließlich 575 nm. Der zweite Konverter (3b) emittiert Strahlung im Wellenlängenbereich zwischen einschließlich 525 nm bis einschließlich 585 nm.

公开(公告)号：DE102011015148A1

公开(公告)日：2012-09-27

申请号：DE102011015148

申请日：2011-03-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LUCKNER HAGEN ,  GAERTNER CHRISTIAN DR ,  MARKYTAN ALES DR

IPC: G02B6/00 ,  B60Q1/26 ,  B60Q1/30 ,  F21V8/00 ,  G02B6/10

Abstract: Das lichtemittierende Halbleiterbauelement (1) und die Lichtleiterschicht (2) sind derart zueinander angeordnet, dass von dem Halbleiterbauelement emittiertes Licht in die Lichtleiterschicht eingekoppelt wird. Die Lichtleiterschicht weist ein von Glas verschiedenes optisch transparentes Material auf, und das lichtemittierende Halbleiterbauelement ist an einer Kante (6) der Lichtleiterschicht angeordnet.

公开(公告)号：DE102010047941A1

公开(公告)日：2012-04-12

申请号：DE102010047941

申请日：2010-10-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KUHN GERHARD DR ,  MARKYTAN ALES DR ,  GAERTNER CHRISTIAN DR

IPC: H01L25/075 ,  H05B44/00

Abstract: Es ist ein Leuchtdiodenmodul (100) mit einem ersten Bauelement (1) und einem zweiten Bauelement (2) vorgesehen, wobei das Modul (100) einen ersten Betriebsmodus (M1) und einen zweiten Betriebsmodus (M2) aufweist. Das erste Bauelement (1) weist einen ersten Lichtstrom (P1) auf. Das zweite Bauelement (2) weist einen zweiten Lichtstrom (P2) auf. Im ersten Betriebsmodus (M1) ist das Verhältnis des ersten und des zweiten Lichtstroms (P1, P2) derart eingestellt, dass das Modul (100) eine Mischstrahlung (SG) mit einem Farbwiedergabeindex (CRI1) in einem Bereich zwischen 80 und 97 emittiert. Im zweiten Betriebsmodus (M2) ist das Verhältnis des ersten und zweiten Lichtstroms (P1, P2) derart eingestellt, dass das Modul (100) eine Mischstrahlung (SG) mit einem Farbwiedergabeindex (CRI2) in einem Bereich zwischen 55 und 70 emittiert. Weiter ist ein Verfahren zum Herstellen eines derartigen Leuchtdiodenmoduls (100) vorgesehen.

公开(公告)号：DE102011115658A1

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：DE102011115658

申请日：2011-09-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ALBRECHT TONY DR ,  GAERTNER CHRISTIAN DR ,  SCHLERETH THOMAS

IPC: H05K3/34 ,  H01L23/488

Abstract: Es wird eine elektronische Anordnung angegeben, die einen Träger (100) mit einer ersten Lötflächenstruktur (1) mit Außenrändern (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108), die ein erstes Lötfeld (10) definieren, und ein oberflächenmontierbares elektronisches Bauelement (200) mit einer zweiten Lötflächenstruktur (2) mit Außenrändern (201, 202, 203, 204, 205, 206, 207, 208), die ein zweites Lötfeld (20) definieren, aufweist, wobei das Bauelement (200) mit der zweiten Lötflächenstruktur (2) auf der ersten Lötflächenstruktur (2) des Trägers (100) angeordnet ist, wobei das zweite Lötfeld (20) kleiner als das erste Lötfeld (10) ist und wobei die zweite Lötflächenstruktur (2) zumindest teilweise einem Ausschnitt der ersten Lötflächenstruktur (1) entspricht.

公开(公告)号：DE102011114196A1

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：DE102011114196

申请日：2011-09-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MARKYTAN ALES ,  GAERTNER CHRISTIAN DR ,  LINKOV ALEXANDER

IPC: F21V5/04 ,  F21V13/04 ,  G02B3/00 ,  H01L25/13

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform ist das optische Element (2) für eine Leuchte (100) vorgesehen. Das optische Element (2) beinhaltet einen langgestreckten Grundkörper (23) mit einer Längsachse (24) sowie mit einer Innenseite (21) und einer Außenseite (22). Der Grundkörper (23) weist, im Querschnitt gesehen, die Form mindestens eines Teils eines Hohlkörpers auf. Weiterhin umfasst das optische Element (2) eine Vielzahl von Konvexlinsen (25) mit einer halbrunden Querschnittsfläche. Die Konvexlinsen (25) sind auf der Innenseite (21) und/oder auf der Außenseite (22) des Grundkörpers (23) angeordnet und es weisen die Konvexlinsen (25) eine langgestreckte Grundform auf.

公开(公告)号：DE102011111917A1

公开(公告)日：2013-02-28

申请号：DE102011111917

申请日：2011-08-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GAERTNER CHRISTIAN DR ,  MARFELD JAN ,  MARKYTAN ALES ,  KIRSCH MARKUS

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/56 ,  H01L33/58

Abstract: Es wird ein Licht emittierendes Halbleiterbauelement angegeben mit einem Licht emittierenden Halbleiterchip (1), der im Betrieb über eines Lichtauskoppelfläche (10) einfarbiges sichtbares Licht (11) in einem ersten Wellenlängenbereich abstrahlt und einem optischen Element (2) auf der Lichtauskoppelfläche (10) des Halbleiterchips (1), wobei das optische Element (2) als Beschichtung oder als Plättchen auf der Lichtauskoppelfläche (10) ausgebildet ist und ein im ersten Wellenlängenbereich transparentes Matrixmaterial (20) mit einem Silikon mit einem Brechungsindex von größer oder gleich 1,45 und einen Füllstoff (21) aufweist, wobei der Füllstoff (21) im ersten Wellenlängenbereich transparent ist und in einem zweiten, vom ersten Wellenlängenbereich verschiedenen Wellenlängenbereich absorbierend und/oder reflektierend und/oder streuend ist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Halbleiterbauelements angegeben.

公开(公告)号：DE102011080458A1

公开(公告)日：2013-02-07

申请号：DE102011080458

申请日：2011-08-04

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GAERTNER CHRISTIAN DR ,  MARKYTAN ALES

IPC: H01L33/52 ,  G02B6/42 ,  H01L33/46 ,  H01L33/50 ,  H01L33/58 ,  H01L33/62

Abstract: Eine Optoelektronische Anordnung (100) weist einen Träger (102) auf, auf dem ein optoelektronisches Bauelement (104) angeordnet ist. Das optoelektronische Bauelement (104) weist ein Substrat (106) und eine auf dem Substrat (106) angeordnete Licht emittierende Schicht (108) auf. Ein erster, Licht reflektierenden, Verguss (110) bedeckt zumindest bereichsweise den das optoelektronische Bauelement (104) umgebenden Bereich des Trägers (102) und die Seitenflächen (112) des optoelektronischen Bauelements (104).

公开(公告)号：DE102011016935A1

公开(公告)日：2012-10-18

申请号：DE102011016935

申请日：2011-04-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ENGL KARL DR ,  BAISL RICHARD ,  SCHLENKER TILMAN DR ,  HOEPPEL LUTZ DR ,  TAEGER SEBASTIAN ,  GAERTNER CHRISTIAN DR

IPC: H01L33/52 ,  H01L33/36 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Halbleiterbauelements angegeben, bei dem ein Licht emittierender Halbleiterchip (2) auf einer Montagefläche (10) eines Trägers (1) angeordnet wird, bei dem der Halbleiterchip (2) an elektrische Kontaktbereiche (11, 12) auf der Montagefläche (10) elektrisch angeschlossen wird und bei dem eine Verkapselungsschicht (3) mittels Atomlagenabscheidung auf den Halbleiterchip (2) aufgebracht wird, wobei alle nach der Montage und dem elektrischen Anschluss freien Oberflächen des Halbleiterchips (2) mit einer Verkapselungsschicht (3) bedeckt werden. Weiterhin wird ein Licht emittierendes Halbleiterbauelement angegeben.

公开(公告)号：DE102011015407A1

公开(公告)日：2012-10-04

申请号：DE102011015407

申请日：2011-03-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KLEIN MARKUS DR ,  MARKYTAN ALES DR ,  GAERTNER CHRISTIAN DR

IPC: F21K99/00 ,  A01G7/00 ,  A01G7/04 ,  F21V8/00 ,  F21V33/00 ,  G05D25/02 ,  H05B37/02

Abstract: Es wird eine Beleuchtungseinrichtung mit zumindest einer ersten Licht emittierenden Diode (1), die blaues Licht abstrahlt, mit zumindest einer zweiten Licht emittierenden Diode (2), die rotes Licht abstrahlt und zumindest einer dritten Licht emittierenden Diode (3) angegeben, die Licht abstrahlt, dessen spektrale Komponenten zumindest teilweise zwischen den Wellenlängenbereichen des blauen und des roten Lichts liegen, wobei zumindest zwei der ersten, zweiten und dritten Licht emittierenden Diode (1, 2, 3) unabhängig voneinander angesteuert und/oder zugeschaltet werden können. Weiterhin wird ein Gewächshaus mit einer Beleuchtungseinrichtung angegeben.

公开(公告)号：DE102011013504A1

公开(公告)日：2012-09-13

申请号：DE102011013504

申请日：2011-03-10

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GAERTNER CHRISTIAN DR ,  MARFELD JAN ,  MARKYTAN ALES DR

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/48

Abstract: Es wird eine licht emittierende Vorrichtung mit zumindest einem ersten Licht emittierenden Halbleiterbauelement (1), das im Betrieb rotes Licht abstrahlt, zumindest einem zweiten Licht emittierenden Halbleiterbauelement (2) mit einem Wellenlängenkonversionselement und zumindest einem dritten Licht emittierenden Halbleiterbauelement (3) mit einen Wellenlängenkonversionselement angegeben, wobei das zweite und dritte Licht emittierende Halbleiterbauelement (2, 3) jeweils blaues Primärlicht und konvertiertes Sekundärlicht abstrahlen und die jeweilige Überlagerung des Primär- und Sekundärlichts des zweiten und dritten Licht emittierenden Halbleiterbauelements (2, 3) unterschiedliche Farbortkoordinaten aufweist.