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公开(公告)号：DE102010033137A1
公开(公告)日：2012-02-09
申请号：DE102010033137
申请日：2010-08-03
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： HOEPPEL LUTZ DR , ENGL KARL DR
Abstract: Es wird ein Leuchtdiodenchip angegeben, mit – einem n-leitenden Bereich (1), – einem p-leitenden Bereich (2), – einem aktiven Bereich (3) zwischen dem n-leitenden Bereich (1) und dem p-leitenden Bereich (2), – einer Spiegelschicht (4) an der dem aktiven Bereich (3) abgewandten Seite des p-leitenden Bereichs (2), – einer Kapselungsschicht (5) an der dem p-leitenden Bereich (2) abgewandten Seite der Spiegelschicht (4), und – eine Kontaktschicht (6) an einer der Spiegelschicht (4) abgewandten Seite der Kapselungsschicht (5), wobei – sich die Kapselungsschicht (5) entlang einer dem g-leitenden Bereich (2) abgewandten Bodenfläche (43) der Spiegelschicht (4) und einer zur Bodenflächen (43) quer verlaufenden Seitenfläche (42) der Spiegelschicht (4) erstreckt, und – die Kontaktschicht (6) von ihrer dem n-leitenden Bereich (1) zugewandten Seite her stellenweise frei zugänglich ist.
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公开(公告)号：DE102011016935A1
公开(公告)日：2012-10-18
申请号：DE102011016935
申请日：2011-04-13
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： ENGL KARL DR , BAISL RICHARD , SCHLENKER TILMAN DR , HOEPPEL LUTZ DR , TAEGER SEBASTIAN , GAERTNER CHRISTIAN DR
Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Halbleiterbauelements angegeben, bei dem ein Licht emittierender Halbleiterchip (2) auf einer Montagefläche (10) eines Trägers (1) angeordnet wird, bei dem der Halbleiterchip (2) an elektrische Kontaktbereiche (11, 12) auf der Montagefläche (10) elektrisch angeschlossen wird und bei dem eine Verkapselungsschicht (3) mittels Atomlagenabscheidung auf den Halbleiterchip (2) aufgebracht wird, wobei alle nach der Montage und dem elektrischen Anschluss freien Oberflächen des Halbleiterchips (2) mit einer Verkapselungsschicht (3) bedeckt werden. Weiterhin wird ein Licht emittierendes Halbleiterbauelement angegeben.
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公开(公告)号：DE102011010504A1
公开(公告)日：2012-08-09
申请号：DE102011010504
申请日：2011-02-07
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： HOEPPEL LUTZ DR
Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) angegeben, umfassend – ein Trägersubstrat (11), – eine Halbleiterschichtenfolge (2), die einen ersten Halbleiterbereich (3) eines ersten Leitungstyps, einen zweiten Halbleiterbereich (5) eines zweiten Leitungstyps und eine dazwischen angeordnete aktive Schicht (4) enthält, – eine zwischen dem Trägersubstrat (11) und der Halbleiterschichtenfolge (2) angeordnete Spiegelschicht (6), – eine elektrisch isolierende transparente Verkapselungsschicht (10), welche Seitenflanken (16) der Spiegelschicht (6) und Seitenflanken (21) der Halbleiterschichtenfolge (2) bedeckt, – ein Bondpad (9), das lateral versetzt von der Halbleiterschichtenfolge (2) angeordnet ist, – eine Kontaktschicht (7) zur elektrischen Kontaktierung des zweiten Halbleiterbereichs (5), die zumindest auf Teilbereichen der Strahlungsaustrittsfläche (15) angeordnet ist, und – eine elektrische Verbindungsschicht (8), welche das Bondpad (9) mit der Kontaktschicht (7) elektrisch leitend verbindet, und auf der transparenten Verkapselungsschicht (10) über die Seitenflanken (21) der Halbleiterschichtenfolge (2) zu dem Bondpad (9) geführt ist.
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公开(公告)号：DE102011009369A1
公开(公告)日：2012-07-26
申请号：DE102011009369
申请日：2011-01-25
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： HOEPPEL LUTZ DR , MOOSBURGER JUERGEN DR , LINKOV ALEXANDER DR , TAEGER SEBASTIAN DR , HAHN BERTHOLD DR
Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) mit einem Halbleiterschichtenstapel (1) angegeben, der eine zur Strahlungserzeugung vorgesehene aktive Schicht (1a) und eine Strahlungsaustrittsseite (1b) aufweist, und mit einer Konversionsschicht (2), die auf der Strahlungsaustrittsseite (1b) des Halbleiterschichtenstapels (1) angeordnet ist. Die Konversionsschicht (2) weist ein Matrixmaterial und Konverterpartikel auf, die geeignet sind, zuminmittierten Strahlung in Strahlung einer anderen Wellenlänge umzuwandeln. Das Matrixmaterial der Konversionsschicht (2) weist einen Brechungsindex auf, der an den Brechungsindex des Halbleiterschichtenstapels (1) angepasst ist. Weiter ist ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Halbleiterchips (10) angegeben.
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公开(公告)号：DE102010036251A1
公开(公告)日：2012-03-08
申请号：DE102010036251
申请日：2010-09-03
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： RODE PATRICK , MALM NORWIN VON DR , HOEPPEL LUTZ DR
IPC: F21K99/00 , F21S6/00 , F21S8/00 , F21S8/04 , F21V7/05 , F21V23/02 , F21W131/301 , F21Y101/02
Abstract: Es wird angegeben eine Leuchtdiodenanordnung mit einem rahmenförmigen Piezo-Transformator, der zumindest einen ausgangsseitigen Anschluss aufweist, und mit einem Leuchtdiodenmodul zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung, das innerhalb des rahmenförmigen Piezo-Transformators angeordnet und mittels zumindest eines ausgangsseitigen elektrischen Leiters elektrisch an den ausgangsseitigen Anschluss des Piezo-Transformators angeschlossen ist, wobei die von dem Leuchtdiodenmodul in Richtung des Piezo-Transformators emittierte Strahlung an diesem reflektiert wird.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102010036180A1
公开(公告)日：2012-03-08
申请号：DE102010036180
申请日：2010-09-02
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： HOEPPEL LUTZ DR , SABATHIL MATTHIAS DR , MALM NORWIN VON DR
IPC: H01L33/48
Abstract: Es wird ein Leuchtdiodenchip angegeben, mit – einem Halbleiterkörper (1), der einen strahlungserzeugenden aktiven Bereich (13) umfasst, – zumindest zwei Kontaktstellen (2a, 2b) zum elektrischen Kontaktieren des aktiven Bereichs, – einem Träger (3), und – einem Verbindungsmittel (4), das zwischen dem Träger (3) und dem Halbleiterkörper (1) angeordnet ist, wobei – der Halbleiterkörper (1) an seiner dem Träger (3) zugewandten Außenflächen eine Aufrauung (15) aufweist, – der Halbleiterkörper (1) mittels des Verbindungsmittels (4) mechanisch mit dem Träger (3) verbunden ist, – das Verbindungsmittel (4) stellenweise in direktem Kontakt mit dem Halbleiterkörper (1) und dem Träger (3) steht, und – die zumindest zwei Kontaktstellen (2a, 2b) an der dem Träger (3) abgewandten Oberseite des Halbleiterkörpers (1) angeordnet sind.
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公开(公告)号：DE102010027679A1
公开(公告)日：2012-01-26
申请号：DE102010027679
申请日：2010-07-20
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： HOEPPEL LUTZ DR
Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben, mit einem Halbleiterkörper (1), der eine Epitaxieschichtenfolge (2) aufweist, und einem Trägersubstrat (6) aus einem Halbleitermaterial, das mittels einer Lotschicht (7) mit dem Halbleiterkörper (1) verbunden ist und Durchkontaktierungen (9a, 9b) aufweist. Das Trägersubstrat (6) weist eine Oberflächendotierzone (14) auf, die sich entlang einer dem Halbleiterkörper (1) zugewandten ersten Hauptfläche (11) erstreckt. Die Oberflächendotierzone (14) weist einen p-leitenden Bereich (14a) und einen daran angrenzenden n-leitenden Bereich (14b) auf, zwischen denen ein pn-Übergang (16) ausgebildet ist. Der n-leitende Bereich (14b) ist über einen ersten Teilbereich (7a) der Lotschicht (7) an einen p-dotierten Bereich (3) der Epitaxieschichtenfolge (2) und der p-leitende Bereich (14a) über einen zweiten Teilbereich (7b) der der Lotschicht (7) an einen n-dotierten Bereich (5) der Epitaxieschichtenfolge (2) elektrisch angeschlossen, so dass der pn-Übergang (16) in der Oberflächendotierzone (14) eine Schutzdiode für den Halbleiterkörper (1) ausbildet.
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公开(公告)号：DE102010020789A1
公开(公告)日：2011-11-24
申请号：DE102010020789
申请日：2010-05-18
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： BERGBAUER WERNER , DRECHSEL PHILIPP , HOEPPEL LUTZ DR , KOELPER CHRISTOPHER , STRASBURG MARTIN DR , RODE PATRICK
Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben, der einen Halbleiterschichtenstapel (2) und eine Strahlungsaustrittsfläche oder Strahlungseintrittsfläche (3) aufweist. Der Halbleiterschichtenstapel (2) weist eine aktive Schicht (2a) auf, die zur Erzeugung oder zum Empfangen elektromagnetischer Strahlung geeignet ist. Im Halbleiterschichtenstapel (2) und/oder auf der Strahlungsaustrittsfläche oder Strahlungseintrittsfläche (3) ist eine Mehrzahl von Nanostrukturen (4) angeordnet, die1, 42) aufweisen. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen optoelektronischen Halbleiterchips (10) angegeben.
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公开(公告)号：DE102010045784A1
公开(公告)日：2012-03-22
申请号：DE102010045784
申请日：2010-09-17
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： ENGL KARL DR , WEIMAR ANDREAS DR , MAUTE MARKUS DR , HOEPPEL LUTZ DR , RODE PATRICK , MOOSBURGER JUERGEN DR , MALM NORWIN VON DR
Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben, der eine Halbleiterschichtenfolge (2) und ein Trägersubstrat (10) aufweist, wobei eine erste (7) und eine zweite elektrische Kontaktschicht (8) zumindest bereichsweise zwischen dem Trägersubstrat (10) und der Halbleiterschichtenfolge (2) angeordnet und durch eine elektrisch isolierende Schicht (9) voneinander elektrisch voneinander isoliert sind, und mit einer Spiegelschicht (6), die zwischen der Halbleiterschichtenfolge (2) und dem Trägersubstrat angeordnet (10) ist. Die Spiegelschicht (6) grenzt an Teilbereiche der ersten elektrischen Kontaktschicht (7) und an Teilbereiche (19) der elektrisch isolierenden Schicht (9) an, wobei die Teilbereiche (19) der elektrisch isolierenden Schicht (9), die an die Spiegelschicht (6) angrenzen, derart von der zweiten elektrischen Kontaktschicht (Umgebungsmedium des optoelektronischen Halbleiterchips (1) angrenzen. Die Halbleiterschichtenfolge (2) weist eine Ausnehmung (17) auf, in der die erste elektrische Kontaktschicht (8) zur Ausbildung eines Anschlusskontakts (14) freigelegt ist.
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公开(公告)号：DE102010044986A1
公开(公告)日：2012-03-15
申请号：DE102010044986
申请日：2010-09-10
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： HOEPPEL LUTZ DR
Abstract: Es wird ein Leuchtdiodenchip angegeben, mit – einem n-leitenden Bereich (1), – einem p-leitenden Bereich (2), – einem aktiven Bereich (3) zwischen dem n-leitenden Bereich (1) und dem p-leitenden Bereich (2), – einer Spiegelschicht (4) an der dem aktiven Bereich (3) abgewandten Seite des p-leitenden Bereichs (2), und – einer Isolationsschicht (5), die mit einem elektrisch isolierendem Material gebildet ist, wobei – die Spiegelschicht (4) zur Reflexion von im aktiven Bereich (3) erzeugter elektromagnetischer Strahlung eingerichtet ist, und – die Spiegelschicht (4) einen Durchbruch (41) aufweist, wobei eine Seitenfläche (4a) der Spiegelschicht (4) im Bereich des Durchbruchs (41) vollständig von der Isolationsschicht (5) bedeckt ist.
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