公开(公告)号：WO2019137816A1

公开(公告)日：2019-07-18

申请号：PCT/EP2018/097046

申请日：2018-12-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BRÜCKNER, John ,  HEINE, Urs ,  GERHARD, Sven ,  NÄHLE, Lars ,  LÖFFLER, Andreas ,  SOMERS, André

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/78 ,  H01S5/02

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Vereinzeln von Halbleiterbauteilen (20)angegeben, mit den Schrittendes Bereitstellens eines Trägers (21), des Aufbringens von mindestens zwei Halbleiterchips (22) auf den Träger (21), des Ätzens mindestens eines Bruchkeims (23) an einer den Halbleiterchips (22) zugewandten Seite des Trägers (21), und des Vereinzelns von mindestens zwei Halbleiterbauteilen (20) durch Brechen des Trägers (21) entlang des mindestens einen Bruchkeims (23). Dabei erstreckt sich der mindestens eine Bruchkeim (23) zumindest stellenweise in einer vertikalen Richtung (z), wobei die vertikale Richtung (z) senkrecht zu einer Haupterstreckungsebene des Trägers (21) ist, und der mindestens eine Bruchkeim (23) ist in einer lateralen Richtung (x) zwischen den zwei Halbleiterchips (22) angeordnet, wobei die laterale Richtung (x) parallel zur Haupterstreckungsebene des Trägers (21) ist. Weiter weist jedes der Halbleiterbauteile (20) mindestens einen der Halbleiterchips (22) auf, und die Ausdehnung des mindestens einen Bruchkeims (23) in vertikaler Richtung (z) beträgt mindestens 1 % der Ausdehnung des Trägers (21) in vertikaler Richtung (z). Außerdem wird ein Halbleiterbauteil (20) angegeben.

公开(公告)号：WO2016120460A1

公开(公告)日：2016-08-04

申请号：PCT/EP2016/051963

申请日：2016-01-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LIN, I-Hsin ,  STREITEL, Reinhard ,  HEINE, Urs ,  KEIDLER, Markus ,  LEFEBVRE, Eric ,  SCHMAL, Michael

IPC: H01S5/00 ,  H01L33/50 ,  G02F1/35

CPC classification number: F21V9/30 ,  B32B7/12 ,  B32B15/04 ,  F21V7/05 ,  G02F2/02 ,  G02F2201/34 ,  G02F2201/346 ,  G02F2202/28 ,  H01L33/507 ,  H01L2933/0041 ,  H01S5/005

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Konvertieren einer Wellenlänge einer elektromagnetischen Strahlung, mit einer Konversionsschicht, wobei die Konversionsschicht ausgebildet ist, um eine Wellenlänge einer einfallenden elektromagnetischen Strahlung wenigstens teilweise zu konvertieren, wobei die Konversionsschicht über eine Zwischenschicht mit einem Träger verbunden ist, wobei die Zwischenschicht wenigstens in Teilbereichen eine Festkörperschicht und eine Verbindungsschicht aufweist.

Abstract translation: 本发明涉及一种装置，用于将电磁辐射的波长，包括转换层，其中所述转换层被形成于入射的电磁辐射的波长至少部分地转换，其中所述转换层经由中间层连接与载体，其中，所述中间层 具有至少在部分区域的固体层和化合物层。