公开(公告)号：WO2014124854A1

公开(公告)日：2014-08-21

申请号：PCT/EP2014/052247

申请日：2014-02-05

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： DIRSCHERL, Georg ,  LIN, I-Hsin ,  KRÄUTER, Gertrud ,  VON MALM, Norwin

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/38

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L33/382 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0025 ,  H01L2924/00

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements (100) mit den Schritten: -Bereitstellen eines Substrats (1), -Erzeugen eines Mehrschichtaufbaus mit einer Halbleiter- schichtenfolge (2) und einer Barriereschicht (3) auf dem Sub- strat (1), -wobei die Halbleiterschichtenfolge (2) zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung eingerichtet ist, -wobei die Halbleiterschichtenfolge (2) eine dem Substrat (1) abgewandte Strahlungshauptseite (12) aufweist, -wobei die zumindest eine Barriereschicht (3) auf der Strahlungshauptseite (12) der Halbleiterschichtenfolge (2) oder auf zumindest einer Seitenfläche der Halb- leiterschichtenfolge (2) oder innerhalb oder unterhalb der Halbleiterschichtenfolge (2) oder Kombinationen dar- ausaus einer Beschichtungsflüssigkeiterzeugt wird, welche Polysilazan oder deren Derivate und/oder eine Perhydropolysilazan oder deren Derivate umfasst. Signifikante Figur: Fig. 2

Abstract translation: 本发明涉及一种方法，用于生产包括以下步骤的光电子半导体器件（100）： - 提供衬底（1），-Erzeugen的多层结构用在子施特拉特的半导体层序列（2）和阻挡层（3）（1 ） - 其中该半导体层序列（2）适于产生电磁辐射， - 其中所述半导体层序列（2）包括面对所述衬底（1）从辐射主侧（12）的距离， - 其中所述至少一个阻挡层（3）（在辐射主侧面 12）的半导体层序列的（2）或至少（半导体层序列2）或内或在半导体层序列（2），或它们的组合DAR下面的侧表面是ausaus产生的涂层液体，其聚硅氮烷或其衍生物和/或全氢或它的衍生物 包括。 显著图：图2。

公开(公告)号：WO2016120460A1

公开(公告)日：2016-08-04

申请号：PCT/EP2016/051963

申请日：2016-01-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LIN, I-Hsin ,  STREITEL, Reinhard ,  HEINE, Urs ,  KEIDLER, Markus ,  LEFEBVRE, Eric ,  SCHMAL, Michael

IPC: H01S5/00 ,  H01L33/50 ,  G02F1/35

CPC classification number: F21V9/30 ,  B32B7/12 ,  B32B15/04 ,  F21V7/05 ,  G02F2/02 ,  G02F2201/34 ,  G02F2201/346 ,  G02F2202/28 ,  H01L33/507 ,  H01L2933/0041 ,  H01S5/005

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Konvertieren einer Wellenlänge einer elektromagnetischen Strahlung, mit einer Konversionsschicht, wobei die Konversionsschicht ausgebildet ist, um eine Wellenlänge einer einfallenden elektromagnetischen Strahlung wenigstens teilweise zu konvertieren, wobei die Konversionsschicht über eine Zwischenschicht mit einem Träger verbunden ist, wobei die Zwischenschicht wenigstens in Teilbereichen eine Festkörperschicht und eine Verbindungsschicht aufweist.

Abstract translation: 本发明涉及一种装置，用于将电磁辐射的波长，包括转换层，其中所述转换层被形成于入射的电磁辐射的波长至少部分地转换，其中所述转换层经由中间层连接与载体，其中，所述中间层 具有至少在部分区域的固体层和化合物层。