Abstract:
In mindestens einer Ausführungsform weist das Leuchtdiodenmodul (1) einen Träger (2) sowie mehrere optoelektronische Halbleiterchips (3) auf, die an einer Trägeroberseite (20) angebracht und zur Erzeugung einer Primärstrahlung eingerichtet sind. Die Halbleiterchips (3) sind zum Teil in einem ersten Abstand (D1) und zum Teil in einem zweiten, größeren Abstand (D2) zueinander angeordnet. Zwischen den im ersten Abstand (D1) zueinander angeordneten, benachbarten Halbleiterchips (3) befindet sich eine strahlungsdurchlässige erste Füllung (41) zu einer optischen Kopplung. Zwischen den im zweiten Abstand (D2) zueinander angeordneten, benachbarten Halbleiterchips (3) befindet sich eine strahlungsundurchlässige zweite Füllung (42) zu einer optischen Isolierung.
Abstract:
Es wird eine Beleuchtungsvorrichtung einer Mehrzahl von zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen Bauelementen (2), einer Mehrzahl von Zeilenleitungen (Z1, Z2) und einer Mehrzahl von Spaltenleitungen (S1, S2,.., S5) angegeben, wobei die Bauelemente jeweils mit einer Zeilenleitung und mit einer Spaltenleitung elektrisch leitend verbunden sind und die Beleuchtungsvorrichtung zum gleichzeitigen Betrieb von zumindest zwei Bauelementen vorgesehen ist. Weiterhin werden eine Beleuchtungsanordnung mit einer solchen Beleuchtungsvorrichtung und ein Verfahren zum Betreiben einer Beleuchtungsvorrichtung angegeben.
Abstract:
Es wird ein Träger für einen optoelektronischen Halbleiterchip angegeben mit - einem Grundkörper (10), der eine erste Hauptfläche (10a) und eine zweite Hauptfläche (10b) aufweist, - zumindest eine Ausnehmung (11), die in den Grundkörper (10) eingebracht ist und die den Grundkörper (10) von der ersten Hauptfläche zur zweiten Hauptfläche vollständig durchdringt, und - einem Füllmaterial (12), das in die zumindest eine Ausnehmung (11) eingebracht ist, wobei - der Grundkörper (10) mit Silizium eines ersten Leitfähigkeitstyps gebildet ist, - das Füllmaterial (12) mit polykristallinem Silizium eines zweiten Leitfähigkeitstyps gebildet ist, und - der Grundkörper (10) und das Füllmaterial (12) stellenweise in direktem Kontakt stehen.
Abstract:
In mindestens einer Ausführungsform dient das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen (1) und beinhaltet die Schritte: - Bereitstellen eines Leiterrahmenverbunds (2) mit einer Vielzahl von Leiterrahmen (3), wobei die Leiterrahmen je mindestens zwei Leiterrahmenteile (34, 38) umfassen und über Verbindungsstege (6) mindestens zum Teil miteinander verbunden sind, - Anbringen von elektrischen Verbindungsmitteln (4) zwischen benachbarten Leiterrahmen (3), - Erstellen eines Vergusskörpers (50), wobei der Vergusskörper (50) die Leiterrahmen (3) und die Leiterrahmenteile (34, 38) mechanisch miteinander verbindet, - Entfernen und/oder Unterbrechen mindestens eines Teils der Verbindungsstege (6), und - Vereinzeln zu den Halbleiterbauteilen (1).
Abstract:
Eine optoelektronische Anordnung umfasst eine erste Leiterplatte und eine zweite Leiterplatte. Auf der ersten Leiterplatte ist ein optoelektronischer Halbleiterchip angeordnet. An einer Oberfläche der ersten Leiterplatte sind eine erste elektrische Kontaktfläche und eine zweite elektrische Kontaktfläche ausgebildet. An einer Oberfläche der zweiten Leiterplatte sind eine erste Gegenkontaktfläche und eine zweite Gegenkontaktfläche ausgebildet. Die erste Leiterplatte und die zweite Leiterplatte sind dazu vorgesehen, so miteinander verbunden zu werden, dass die Oberfläche der ersten Leiterplatte der Oberfläche der zweiten Leiterplatte zugewandt, die erste Gegenkontaktfläche elektrisch leitend mit der ersten Kontaktfläche und die zweite Gegenkontaktfläche elektrisch leitend mit der zweiten Kontaktfläche verbunden ist.
Abstract:
Ein optoelektronisches Bauelement (100) umfasst ein Gehäuse (200) mit einer zu einer Oberseite (201) des Gehäuses (200) geöffneten Kavität (300). Die Kavität (300) weist an der Oberseite (201) des Gehäuses (200) eine Öffnungsfläche (310) mit einer geometrischen Grundform (320) auf. In der Kavität (300) ist eine optoelektronische Halbleiterchipanordnung (400) angeordnet. Die optoelektronische Halbleiterchipanordnung (400) weist eine Oberseite (401) mit einer ersten geometrischen Form (420) auf. Die geometrische Grundform (320) kann durch Streckung aus der ersten geometrischen Form (420) gebildet werden. Zusätzlich weist die Öffnungsfläche (310) der Kavität (300) gegenüber der geometrischen Grundform (320) eine Ausbuchtung (330) auf. Ein Bonddraht (210) ist zwischen einer elektrischen Kontaktfläche (430) der optoelektronischen Halbleiterchipanordnung (400) und einer Bondfläche (610) des Gehäuses (200) angeordnet. Die Bondfläche (610) ist in der Ausbuchtung (330) angeordnet.
Abstract:
Ein optoelektronisches Bauelement (10) umfasst ein Gehäuse (100) mit einer zu einer Oberseite (101) des Gehäuses (100) geöffneten ersten Kavität (200) und einer zu der Oberseite (101) des Gehäuses (100) geöffneten zweiten Kavität (300). Die erste Kavität (200) und die zweite Kavität (300) sind durch einen Verbindungskanal (400) verbunden. In der ersten Kavität (200) ist ein optoelektronischer Halbleiterchip (700) angeordnet. In einem den optoelektronischen Halbleiterchip (700) umgebenden Bereich der ersten Kavität (200) ist ein Vergussmaterial (800) angeordnet.