公开(公告)号：WO2013182358A1

公开(公告)日：2013-12-12

申请号：PCT/EP2013/059233

申请日：2013-05-03

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHLERETH, Thomas ,  BESTELE, Michael ,  GÄRTNER, Christian ,  GEBUHR, Tobias ,  GALLMEIER, Hans-Christoph ,  HOLZER, Peter ,  ARNDT, Karlheinz ,  SCHNEIDER, Albert

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/62 ,  G01R31/26 ,  H01L33/48

CPC classification number: H01L21/78 ,  G01R31/2635 ,  H01L21/50 ,  H01L22/10 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49565 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/486 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00014

Abstract: In einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen (1) eingerichtet und umfasst die Schritte: Bereitstellen eines Leiterrahmenverbunds (20) mit einer Vielzahl von Leiterrahmen (2) mit je mindestens zwei Leiterrahmenteilen (21, 22); Umformen mindestens eines Teils des Leiterrahmenverbunds (20) mit einem Gehäusematerial für Gehäusekörper (4); Unterbrechen des Leiterrahmenverbunds (20) zwischen zumindest eines Teils von Spalten (C) und/oder Zeilen (R), wobei die Leiterrahmen (2) matrixförmig angeordnet bleiben; Bestücken der Leiterrahmen (2) mit mindestens einem optoelektronischen Halbleiterchip (3); Testen mindestens eines Teils der mit den Halbleiterchips (3) bestückten und mit dem Gehäusematerial umformten Leiterrahmen (2) nach dem Schritt des Unterbrechens; und Vereinzeln zu den Halbleiterbauteilen (1) nach dem Schritt des Umformens und nach dem Schritt des Testens.

Abstract translation: 在一个实施例中用于生产光电半导体部件（1）的方法被布置并包括以下步骤：提供具有多个引线框架（2）各自具有至少两个引线框架部件（21，22）的引线框架组件（20）; 至少形成引线框架组件（20）具有用于所述壳体主体上的壳体材料的部分（4）; 至少塔（C）和/或部分行（R），其中所述引线框架（2）保持以矩阵形式布置之间中断所述引线框架组件（20）; 与至少一个光电子半导体芯片装载引线框（2）（3）; 半导体芯片（3）的测试的至少一部分，并配有外壳材料具有重拍引线框（2）中断的步骤之后; 和成形步骤后的半导体组件（1）中分离，并且测试的步骤之后。

公开(公告)号：WO2008104152A1

公开(公告)日：2008-09-04

申请号：PCT/DE2008/000290

申请日：2008-02-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  ZAHNER, Thomas ,  DAMS, Florian ,  HOLZER, Peter ,  GRÖTSCH, Stefan

Inventor： ZAHNER, Thomas ,  DAMS, Florian ,  HOLZER, Peter ,  GRÖTSCH, Stefan

IPC: H05B33/08

CPC classification number: H05B33/0848 ,  H05B33/0818

Abstract: Zum Betreiben mindestens eines strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements wird ein impulsförmiger, während einer Impulsdauer ansteigender, elektrischer Betriebsstrom (If) erzeugt. Dazu wird bei einem Verfahren zum Herstellen einer Steuervorrichtung zum Betreiben des mindestens eines strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements ein zeitlicher Verlauf einer thermischen Impedanz (Zth) ermittelt, die repräsentativ ist für das mindestens eine strahlungsemittierende Halbleiterbauelement. Abhängig von dem ermittelten zeitlichen Verlauf der thermischen Impedanz (Zth) wird ein einzustellender Verlauf des elektrischen Betriebsstroms (If) ermittelt. Die Steuervorrichtung wird ferner so ausgebildet, dass der einzustellende Verlauf des Betriebsstroms (If) jeweils während der Impulsdauer eingestellt wird.

Abstract translation: 用于操作至少一个辐射的半导体器件，脉冲形的，而脉冲持续时间增加，电动操作电流（If）被产生。 为此目的，热阻抗（Z TH）的时间变化的方法中，确定用于制造控制装置用于操作所述至少一个辐射的半导体器件，其是将表示所述至少一个发射辐射的半导体器件的。 热阻抗（Z TH）的所确定的时间轮廓的函数被确定为要设置的电操作电流（If）的过程。 所述控制装置被进一步设计成使得操作电流的过程中要被设置（如果）在脉冲持续时间期间每种情况下进行调整。

公开(公告)号：EP2062461B1

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：EP08706896.1

申请日：2008-02-15

Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

Inventor： ZAHNER, Thomas ,  DAMS, Florian ,  HOLZER, Peter ,  GRÖTSCH, Stefan

IPC: H05B33/08

CPC classification number: H05B33/0848 ,  H05B33/0818

公开(公告)号：EP2062461A1

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：EP08706896.1

申请日：2008-02-15

Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

Inventor： ZAHNER, Thomas ,  DAMS, Florian ,  HOLZER, Peter ,  GRÖTSCH, Stefan

IPC: H05B33/08

CPC classification number: H05B33/0848 ,  H05B33/0818

Abstract: For the operation of at least one radiation-emitting semiconductor component, an electrical operating current (If) is produced in the form of a pulse, increasing over the duration of a pulse. For this purpose, in a method for the production of a control device for operating the at least one radiation-emitting semiconductor component, a temporal progression of a thermal impedance (Zth) is determined, said impedance being representative of the at least one radiation-emitting semiconductor component. Dependent upon the temporal progression of the thermal impedance (Zth) determined, a progression of the electrical operating current (If) to be adjusted is determined. Moreover, the control device is configured such that the progression of the operating current (If) to be adjusted is respectively adjusted over the duration of the pulse.