公开(公告)号：WO2003049204A2

公开(公告)日：2003-06-12

申请号：PCT/DE2002/004404

申请日：2002-12-02

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  ARNDT, Karlheinz ,  FARCHTCHIAN, Nadir

Inventor： ARNDT, Karlheinz ,  FARCHTCHIAN, Nadir

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/56 ,  H01L25/0753 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2933/0091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: Optoelektronisches Bauelement, mit einem Grundkörper bzw. Gehäuse (2), wenigstens einem in einer Ausnehmung des Grundkörpers angeordneten optoelektronischen Halbleiterchip (3), und einer den wenigstens einen Halbleiterchip in der Ausnehmung einbettenden Vergussmasse (5) aus einem transparenten Material, wobei die transparente Vergussmasse (5) diffus streuend ausgebildet ist und insbesondere Diffuserpartikel (6) enthält, an denen auf sie treffendes Licht diffus gestreut wird.

Abstract translation: 与碱性本体或壳体光电部件（2），至少一个布置在基体的光电子半导体芯片（3）的凹部，并在该凹部嵌入所述至少一个半导体芯片浇铸化合物（5）的透明材料，其中，所述透明密封剂的 （5）形成漫散射扩散粒子，特别是（6），在该光引人注目的是漫散射它。

公开(公告)号：WO2021224130A1

公开(公告)日：2021-11-11

申请号：PCT/EP2021/061412

申请日：2021-04-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ARNDT, Karlheinz

IPC: H01L33/62 ,  H01L25/16 ,  H01L33/48

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement umfasst einen ersten Gehäusekörper und einen von dem ersten Gehäusekörper separaten zweiten Gehäusekörper. Ein erster Abschnitt eines Leiterrahmens ist in den ersten Gehäusekörper eingebettet. Ein einstückig mit dem ersten Abschnitt verbundener zweiter Abschnitt des Leiterrahmens ist in den zweiten Gehäusekörper eingebettet.

公开(公告)号：WO2021144120A1

公开(公告)日：2021-07-22

申请号：PCT/EP2020/087189

申请日：2020-12-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ARNDT, Karlheinz ,  JEREBIC, Simon ,  HOFMANN, Matthias ,  JÄGER, Harald ,  EBERHARD, Jens ,  BOSS, Markus ,  STOLL, Sebastian ,  HETZER, Constantin ,  GOLDBACH, Matthias

IPC: H01L23/055 ,  H01L33/46 ,  H01L33/48 ,  H01L21/56 ,  H01L33/56 ,  H01L23/498 ,  H01L33/60 ,  H01L23/043 ,  H01L23/49805 ,  H01L23/49861 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2933/0075 ,  H01L33/486

Abstract: Es wird ein Gehäuse (2) für ein optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) angegeben mit - einem Gehäusegrundkörper (21), der eine Chipmontageseite (22) aufweist, - mindestens zwei elektrischen Leiterstrukturen (23) in und/oder an dem Gehäusegrundkörper (21), und - mehreren Drainage-Strukturen (24) an der Chipmontageseite (22), wobei - die elektrischen Leiterstrukturen (23) an der Chipmontageseite (22) elektrische Kontaktflächen (25) für zumindest einen optoelektronischen Halbleiterchip (3) bilden, und - die Drainage-Strukturen (24) als Zuführungen für ein flüssiges Vergussmaterial (40) hin zu den elektrischen Kontaktflächen (25) gestaltet sind.

公开(公告)号：WO2004068594A1

公开(公告)日：2004-08-12

申请号：PCT/DE2004/000136

申请日：2004-01-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  ARNDT, Karlheinz ,  BOGNER, Georg ,  BRAUNE, Bert ,  WAITL, Günter

Inventor： ARNDT, Karlheinz ,  BOGNER, Georg ,  BRAUNE, Bert ,  WAITL, Günter

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/486 ,  H01L33/52 ,  H01L33/54 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Strahlung aussendendes und/oder empfangendes Halbleiter-Bauelement mit mindestens einem Strahlung aussendenden und/oder empfangenden Halbleiterchip (1), der in einer Ausnehmung (2) eines Gehäuse-Grundkörpers (3) angeordnet ist und dort mit einer Umhüllungsmasse (4) eingekapselt ist, die für eine vom Halbleiterchip (1) ausgesandte und/oder empfangene elektromagnetische Strahlung gut durchlässig ist. Gemäß der Erfindung weist die Ausnehmung (2) eine Chipwanne (21), in der der Halbleiterchip (1) befestigt ist, und einen die Chipwanne (21) innerhalb der Ausnehmung (2) zumindest teilweise umlaufenden Graben (22) auf, derart, dass zwischen der Chipwanne (21) und dem Graben (22) der Gehäuse-Grundkörper (3) einen Wall (23) aufweist, deren Scheitel gesehen von einer Bodenfläche der Chipwanne (21) unterhalb des Niveaus derjenigen Oberfläche des Gehäuse-Grundkörpers (3) liegt, von der aus die Ausnehmung (2) in den Gehäuse-Grundkörper (3) führt, und die Umhüllungsmasse (4) von der Chipwanne (21) aus über den Wall in den Graben (22) greift. Die Erfindung betrifft weiterhin einen entsprechenden Gehäuse-Grundkörper.

Abstract translation: 本发明涉及一种发射辐射的和/或接收的半导体装置发射至少一个辐射和/或接收半导体芯片（1），其被布置在凹部（2）的壳体基体（3），并有具有壳体材料（4 ）包封，所发射的一个（由半导体芯片1）和/或接收的电磁辐射是非常可渗透的。 根据本发明，所述凹部（2）的芯片托盘（21）是固定的，其中半导体芯片（1），并且在凹部内的芯片槽（21），（2）至少部分地围绕沟槽（22），使得 芯片托盘（21）和所述外壳基体的沟槽（22）（3）之间的壁（23），其从下方的壳体基体的该表面的水平芯片托盘（21）的底表面观察顶点（3）是 导致从该凹口（2）在壳体基体（3），和壳体材料（4）在所述沟槽上方的壁芯片托盘（21）的（22）接合。 本发明还涉及一种相应的壳体基体上。

公开(公告)号：WO2023006667A1

公开(公告)日：2023-02-02

申请号：PCT/EP2022/070794

申请日：2022-07-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ARNDT, Karlheinz

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/48

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1), das oberflächenmontierbar ist, - ein metallisches erstes Leiterrahmenteil (21), - ein metallisches zweites Leiterrahmenteil (22), - einen elektrisch isolierenden Grundkörper (3), der die Leiterrahmenteile (21, 22) mechanisch miteinander verbindet und die Leiterrahmenteile (21, 22) direkt umgibt, und - einen optoelektronischen Halbleiterchip (4), wobei - die Leiterrahmenteile (21, 22) je eine Bauteileseite (25) und eine gegenüberliegende Montageseite (26) aufweisen, - der Halbleiterchip (4) an der Bauteileseite (25) des ersten Leiterrahmenteils (21) angebracht ist, - in Draufsicht auf die Bauteileseite (25) gesehen das erste Leiterrahmenteil (21) mindestens eine Zunge (24) aufweist, die hin zu einem Rand des Grundkörpers (3) verläuft und innerhalb des Grundkörpers (3) endet, und - die Zunge (24) beabstandet zu einer Montageebene (30) verläuft, in der die Montagseiten (26) liegen.

公开(公告)号：WO2021185598A1

公开(公告)日：2021-09-23

申请号：PCT/EP2021/055581

申请日：2021-03-05

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ARNDT, Karlheinz

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/48

Abstract: Es wird ein Gehäuse (1) für ein optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einer Montageseite (10), einem Leiterrahmen (2) und einem Gehäusekörper (3), der an den Leiterrahmen angeformt ist, angegeben, wobei der Leiterrahmen ein erstes Leiterrahmenteil (21) und ein zweites Leiterrahmenteil (22) aufweist, wobei der Gehäusekörper an einer der Montageseite abgewandten Vorderseite (15) eine Kavität (17) zur Aufnahme eines Halbleiterchips aufweist, und wobei der Leiterrahmen in der Kavität nur an einer ersten Anschlussstelle (31) des ersten Leiterrahmenteils und an einer zweiten Anschlussstelle (32) des zweiten Leiterrahmenteils des Leiterrahmens freiliegt. Weiterhin wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (9) angegeben.

公开(公告)号：WO2013182358A1

公开(公告)日：2013-12-12

申请号：PCT/EP2013/059233

申请日：2013-05-03

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHLERETH, Thomas ,  BESTELE, Michael ,  GÄRTNER, Christian ,  GEBUHR, Tobias ,  GALLMEIER, Hans-Christoph ,  HOLZER, Peter ,  ARNDT, Karlheinz ,  SCHNEIDER, Albert

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/62 ,  G01R31/26 ,  H01L33/48

CPC classification number: H01L21/78 ,  G01R31/2635 ,  H01L21/50 ,  H01L22/10 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49565 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/486 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00014

Abstract: In einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen (1) eingerichtet und umfasst die Schritte: Bereitstellen eines Leiterrahmenverbunds (20) mit einer Vielzahl von Leiterrahmen (2) mit je mindestens zwei Leiterrahmenteilen (21, 22); Umformen mindestens eines Teils des Leiterrahmenverbunds (20) mit einem Gehäusematerial für Gehäusekörper (4); Unterbrechen des Leiterrahmenverbunds (20) zwischen zumindest eines Teils von Spalten (C) und/oder Zeilen (R), wobei die Leiterrahmen (2) matrixförmig angeordnet bleiben; Bestücken der Leiterrahmen (2) mit mindestens einem optoelektronischen Halbleiterchip (3); Testen mindestens eines Teils der mit den Halbleiterchips (3) bestückten und mit dem Gehäusematerial umformten Leiterrahmen (2) nach dem Schritt des Unterbrechens; und Vereinzeln zu den Halbleiterbauteilen (1) nach dem Schritt des Umformens und nach dem Schritt des Testens.

Abstract translation: 在一个实施例中用于生产光电半导体部件（1）的方法被布置并包括以下步骤：提供具有多个引线框架（2）各自具有至少两个引线框架部件（21，22）的引线框架组件（20）; 至少形成引线框架组件（20）具有用于所述壳体主体上的壳体材料的部分（4）; 至少塔（C）和/或部分行（R），其中所述引线框架（2）保持以矩阵形式布置之间中断所述引线框架组件（20）; 与至少一个光电子半导体芯片装载引线框（2）（3）; 半导体芯片（3）的测试的至少一部分，并配有外壳材料具有重拍引线框（2）中断的步骤之后; 和成形步骤后的半导体组件（1）中分离，并且测试的步骤之后。

公开(公告)号：WO2006128416A2

公开(公告)日：2006-12-07

申请号：PCT/DE2006/000778

申请日：2006-05-05

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BOGNER, Georg ,  ARNDT, Karlheinz

Inventor： BOGNER, Georg ,  ARNDT, Karlheinz

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L23/49805 ,  H01L24/48 ,  H01L31/0203 ,  H01L33/486 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/00

Abstract: Die Erfindung beschreibt einen Gehäusekörper (1) mit einer Oberseite (2), mit einer der Oberseite (2) gegenüberliegenden Unterseite (22) und mit einer die Oberseite (2) und die Unterseite (22) verbindenden Seitenfläche, die als Montagefläche (19) vorgesehen ist, wobei der Gehäusekörper (1) eine Mehrzahl von Schichten (8) aufweist, die ein Keramikmaterial enthalten, und eine Haupterstreckungsrichtung der Schichten (23, 24, 25) quer zur Montagefläche (19) verläuft. Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung eines Gehäusekörpers (1) angegeben.

Abstract translation: 本发明描述了一个壳体（1），其具有顶部（2），与所述上侧（2）的底部（22）相反的一个并具有一个顶面（2）和所述侧面连接作为安装面的底部（22）（19） 设置，其中，所述外壳体（1），具有多个（8）含有陶瓷材料层，并且所述层（23，24，25）的主延伸方向横向于所述安装表面（19）。 此外，被指定用于制造外壳体（1）的方法。

公开(公告)号：WO2021018964A1

公开(公告)日：2021-02-04

申请号：PCT/EP2020/071399

申请日：2020-07-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ARNDT, Karlheinz ,  GEBUHR, Tobias ,  JEREBIC, Simon

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/46 ,  H01L33/60

Abstract: Es wird ein Gehäuse (1) für ein strahlungsemittierendes Bauelement mit den folgenden Merkmalen angegeben: - zumindest einer elektrischen Kontaktstelle (8), die an einer ersten Hauptfläche (6) des Gehäuses (1) angeordnet ist, und - zumindest einer Vertiefung (7) in der ersten Hauptfläche (6) des Gehäuses (5), die neben der elektrischen Kontaktstelle (8) angeordnet ist. Außerdem werden ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements und ein strahlungsemittierendes Bauelement angegeben.

公开(公告)号：WO2020161182A1

公开(公告)日：2020-08-13

申请号：PCT/EP2020/052854

申请日：2020-02-05

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ARNDT, Karlheinz

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/62 ,  H05K1/02 ,  H01L33/64

Abstract: In einer Ausführungsform umfasst das Leuchtdiodenmodul (1) einen Träger (2) und mehrere Leuchtdioden (3). Dabei sind mehrere Leuchtdiodenarten vorhanden. Die Leuchtdioden (3) sind einzeln oder in Gruppen elektrisch unabhängig voneinander ansteuerbar. Die Leuchtdioden (3) weisen je einen ersten und einen zweiten elektrischen Kontakt (31, 32) auf. Der Träger (2) umfasst mehrere elektrisch leitfähige Hauptlagen (21..24), zwischen denen sich jeweils eine elektrisch isolierende Zwischenlage (25) befindet. Die Kontakte (31, 32) der Leuchtdioden (3) sind an einer Trägeroberseite (20) an einer der ersten Hauptlagen (21) angebracht. Ausgehend von den ersten Kontakten (31) sind elektrische Durchkontaktierungen (4) je mit einer letzten der Hauptlagen (24) direkt an einer Trägerunterseite (26) verbunden. Ausgehend von den zweiten Kontakten (32) enden elektrische Durchkontaktierungen (4) je an einer vorletzten der Hauptlagen (23), wobei sich die vorletzte Hauptlage (23) innerhalb des Trägers (2) befindet.