-
公开(公告)号:DE102010035966A8
公开(公告)日:2012-05-16
申请号:DE102010035966
申请日:2010-08-31
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: ENGL KARL DR , RAMMELSBERGER STEFANIE , MAUTE MARKUS DR , GUENTHER OLIVER , WALTER ROBERT , KLEMP CHRISTOPH DR
IPC: H01L33/10
-
公开(公告)号:DE102010049186A1
公开(公告)日:2012-04-26
申请号:DE102010049186
申请日:2010-10-21
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: SCHMID WOLFGANG DR , KLEMP CHRISTOPH DR , GOMEZ-IGLESIAS ALVARO DR
Abstract: Es ist ein optoelektronisches Bauelement (10) vorgesehen, das einen Halbleiterkörper (1), eine dielektrische Schicht (2), einen Spiegel (3) und eine Zusatzschicht (4) aufweist. Der Halbleiterkörper (1) weist eine aktive Zone (1c) zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung, einen n-Kontakt (1a) und einen p-Kontakt (1b) zur elektrischen Kontaktierung auf. Die dielektrische Schicht (2) ist zwischen Halbleiterkörper (1) und Spiegel (3) angeordnet. Die Zusatzschicht (4) ist zwischen Halbleiterkörper (1) und dielektrischer Schicht (2) angeordnet. Weiter ist ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Bauelements (10) angegeben.
-