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公开(公告)号:DE102010035966A8
公开(公告)日:2012-05-16
申请号:DE102010035966
申请日:2010-08-31
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: ENGL KARL DR , RAMMELSBERGER STEFANIE , MAUTE MARKUS DR , GUENTHER OLIVER , WALTER ROBERT , KLEMP CHRISTOPH DR
IPC: H01L33/10
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公开(公告)号:DE102010035966A1
公开(公告)日:2012-03-01
申请号:DE102010035966
申请日:2010-08-31
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: KLEMP CHRISTOPH , ENGL KARL DR , RAMMELSBERGER STEFANIE , MAUTE MARKUS DR , WALTER ROBERT , GUENTHER OLIVER
IPC: H01L33/10
Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip mit einer Halbleiterschichtenfolge (1) mit einem aktiven Bereich (2) auf einem Substrat (5) und mit einer Spiegelschicht (3) angegeben, die vollständig in einer Schicht (4) mit einem transparenten leitenden Oxid eingebettet ist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips angegeben.
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公开(公告)号:DE102010009717A1
公开(公告)日:2011-09-01
申请号:DE102010009717
申请日:2010-03-01
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: MAUTE MARKUS DR , ENGL KARL , BRUENINGHOFF STEFANIE DR , GMEINWIESER NIKOLAUS DR , EIBL JOHANN
IPC: H01L33/60
Abstract: Es wird ein Leuchtdiodenchip mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) angegeben, die eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht (3) aufweist, wobei der Leuchtdiodenchip (1) an einer Vorderseite eine Strahlungsaustrittsfläche (4) aufweist. Der Leuchtdiodenchip (1) weist an einer der Strahlungsaustrittsfläche (4) gegenüberliegenden Rückseite zumindest bereichsweise eine Spiegelschicht (5) auf, die Silber enthält. Eine funktionelle Schicht (6) zur Verminderung der Korrosion und/oder Verbesserung der Haftung der Spiegelschicht ist auf der Spiegelschicht (5) angeordnet, wobei ein Material, aus dem die funktionelle Schicht (6) gebildet ist, auch in der Spiegelschicht (5) enthalten ist.
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公开(公告)号:DE102010045784A1
公开(公告)日:2012-03-22
申请号:DE102010045784
申请日:2010-09-17
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: ENGL KARL DR , WEIMAR ANDREAS DR , MAUTE MARKUS DR , HOEPPEL LUTZ DR , RODE PATRICK , MOOSBURGER JUERGEN DR , MALM NORWIN VON DR
Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben, der eine Halbleiterschichtenfolge (2) und ein Trägersubstrat (10) aufweist, wobei eine erste (7) und eine zweite elektrische Kontaktschicht (8) zumindest bereichsweise zwischen dem Trägersubstrat (10) und der Halbleiterschichtenfolge (2) angeordnet und durch eine elektrisch isolierende Schicht (9) voneinander elektrisch voneinander isoliert sind, und mit einer Spiegelschicht (6), die zwischen der Halbleiterschichtenfolge (2) und dem Trägersubstrat angeordnet (10) ist. Die Spiegelschicht (6) grenzt an Teilbereiche der ersten elektrischen Kontaktschicht (7) und an Teilbereiche (19) der elektrisch isolierenden Schicht (9) an, wobei die Teilbereiche (19) der elektrisch isolierenden Schicht (9), die an die Spiegelschicht (6) angrenzen, derart von der zweiten elektrischen Kontaktschicht (Umgebungsmedium des optoelektronischen Halbleiterchips (1) angrenzen. Die Halbleiterschichtenfolge (2) weist eine Ausnehmung (17) auf, in der die erste elektrische Kontaktschicht (8) zur Ausbildung eines Anschlusskontakts (14) freigelegt ist.
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公开(公告)号:DE102010020211A1
公开(公告)日:2011-11-10
申请号:DE102010020211
申请日:2010-05-12
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: GMEINWIESER NIKOLAUS DR , GALESIC IVAN DR , BRUENINGHOFF STEFANIE , ENGL KARL DR , MAUTE MARKUS DR
Abstract: Ein Träger für ein optoelektronisches Bauelement (5) wird angegeben, der auf einem Trägerelement (1) zumindest eine Spiegelschicht (2) und ein funktionelles Material (3) aufweist, wobei die Spiegelschicht (2) Silber enthält, das funktionelle Material (3) in direktem Kontakt mit dem Silber steht, so dass das funktionelle Material (3) eine Verminderung der Korrosion der Spiegelschicht (2) bewirkt. Weiterhin werden ein Verfahren zur Herstellung eines Trägers für ein optoelektronisches Bauelement und eine optoelektronische Vorrichtung mit einem Träger angegeben.
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公开(公告)号:DE102011016567A1
公开(公告)日:2012-10-11
申请号:DE102011016567
申请日:2011-04-08
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: MAUTE MARKUS DR , JEREBIC SIMON , MOOSBURGER JUERGEN DR
Abstract: Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (10) angegeben. Es wird ein Halbleiterchip (2) bereitgestellt, der eine zur Strahlungserzeugung geeignete aktive Schicht aufweist und auf einem Träger (1) angeordnet ist. Auf dem Halbleiterchip (2) und/oder dem Träger (1) wird ein dispergiertes Material (3) zumindest bereichsweise aufgebracht. Das dispergierte Material (3) umfasst ein Matrixmaterial (31) und darin eingebettete Partikel (32). Vor Aufbringen des dispergierten Materials (3) wird eine vom Träger (1) abgewandte Chipkante (22) des Halbleiterchips (2) derart modifiziert, dass sich das dispergierte Material (3) beim Aufbringen an der Chipkante (22) zumindest teilweise in seine Bestandteile auftrennt. Weiter wird ein derart hergestelltes Bauelement (10) angegeben.
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公开(公告)号:DE102010036269A1
公开(公告)日:2012-03-08
申请号:DE102010036269
申请日:2010-09-03
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: ENGL KARL DR , BRUENINGHOFF STEFANIE , MAUTE MARKUS DR
IPC: H01L33/10
Abstract: Es wird ein Leuchtdiodenchip (1) mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) angegeben, die eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung (10) geeignete aktive Schicht (4) aufweist, wobei der Leuchtdiodenchip (1) an einer Vorderseite eine Strahlungsaustrittsfläche (11) aufweist, der Leuchtdiodenchip (1) an einer der Strahlungsaustrittsfläche (11) gegenüberliegenden Rückseite zumindest bereichsweise eine Spiegelschicht (6) aufweist, die Silber enthält, wobei auf der Spiegelschicht (6) eine Schutzschicht (7) angeordnet ist, die Pt enthält, und die Schutzschicht (7) eine derartige Struktur aufweist, dass sie die Spiegelschicht (6) nur in Teilbereichen (8) bedeckt.
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