Leuchtdiodenchip
    3.
    发明专利

    公开(公告)号:DE102010009717A1

    公开(公告)日:2011-09-01

    申请号:DE102010009717

    申请日:2010-03-01

    Abstract: Es wird ein Leuchtdiodenchip mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) angegeben, die eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht (3) aufweist, wobei der Leuchtdiodenchip (1) an einer Vorderseite eine Strahlungsaustrittsfläche (4) aufweist. Der Leuchtdiodenchip (1) weist an einer der Strahlungsaustrittsfläche (4) gegenüberliegenden Rückseite zumindest bereichsweise eine Spiegelschicht (5) auf, die Silber enthält. Eine funktionelle Schicht (6) zur Verminderung der Korrosion und/oder Verbesserung der Haftung der Spiegelschicht ist auf der Spiegelschicht (5) angeordnet, wobei ein Material, aus dem die funktionelle Schicht (6) gebildet ist, auch in der Spiegelschicht (5) enthalten ist.

    Optoelektronischer Halbleiterchip

    公开(公告)号:DE102010045784A1

    公开(公告)日:2012-03-22

    申请号:DE102010045784

    申请日:2010-09-17

    Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben, der eine Halbleiterschichtenfolge (2) und ein Trägersubstrat (10) aufweist, wobei eine erste (7) und eine zweite elektrische Kontaktschicht (8) zumindest bereichsweise zwischen dem Trägersubstrat (10) und der Halbleiterschichtenfolge (2) angeordnet und durch eine elektrisch isolierende Schicht (9) voneinander elektrisch voneinander isoliert sind, und mit einer Spiegelschicht (6), die zwischen der Halbleiterschichtenfolge (2) und dem Trägersubstrat angeordnet (10) ist. Die Spiegelschicht (6) grenzt an Teilbereiche der ersten elektrischen Kontaktschicht (7) und an Teilbereiche (19) der elektrisch isolierenden Schicht (9) an, wobei die Teilbereiche (19) der elektrisch isolierenden Schicht (9), die an die Spiegelschicht (6) angrenzen, derart von der zweiten elektrischen Kontaktschicht (Umgebungsmedium des optoelektronischen Halbleiterchips (1) angrenzen. Die Halbleiterschichtenfolge (2) weist eine Ausnehmung (17) auf, in der die erste elektrische Kontaktschicht (8) zur Ausbildung eines Anschlusskontakts (14) freigelegt ist.

    Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und derart hergestelltes Bauelement

    公开(公告)号:DE102011016567A1

    公开(公告)日:2012-10-11

    申请号:DE102011016567

    申请日:2011-04-08

    Abstract: Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (10) angegeben. Es wird ein Halbleiterchip (2) bereitgestellt, der eine zur Strahlungserzeugung geeignete aktive Schicht aufweist und auf einem Träger (1) angeordnet ist. Auf dem Halbleiterchip (2) und/oder dem Träger (1) wird ein dispergiertes Material (3) zumindest bereichsweise aufgebracht. Das dispergierte Material (3) umfasst ein Matrixmaterial (31) und darin eingebettete Partikel (32). Vor Aufbringen des dispergierten Materials (3) wird eine vom Träger (1) abgewandte Chipkante (22) des Halbleiterchips (2) derart modifiziert, dass sich das dispergierte Material (3) beim Aufbringen an der Chipkante (22) zumindest teilweise in seine Bestandteile auftrennt. Weiter wird ein derart hergestelltes Bauelement (10) angegeben.

    Leuchtdiodenchip
    7.
    发明专利

    公开(公告)号:DE102010036269A1

    公开(公告)日:2012-03-08

    申请号:DE102010036269

    申请日:2010-09-03

    Abstract: Es wird ein Leuchtdiodenchip (1) mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) angegeben, die eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung (10) geeignete aktive Schicht (4) aufweist, wobei der Leuchtdiodenchip (1) an einer Vorderseite eine Strahlungsaustrittsfläche (11) aufweist, der Leuchtdiodenchip (1) an einer der Strahlungsaustrittsfläche (11) gegenüberliegenden Rückseite zumindest bereichsweise eine Spiegelschicht (6) aufweist, die Silber enthält, wobei auf der Spiegelschicht (6) eine Schutzschicht (7) angeordnet ist, die Pt enthält, und die Schutzschicht (7) eine derartige Struktur aufweist, dass sie die Spiegelschicht (6) nur in Teilbereichen (8) bedeckt.

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