公开(公告)号：DE102010035966A1

公开(公告)日：2012-03-01

申请号：DE102010035966

申请日：2010-08-31

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KLEMP CHRISTOPH ,  ENGL KARL DR ,  RAMMELSBERGER STEFANIE ,  MAUTE MARKUS DR ,  WALTER ROBERT ,  GUENTHER OLIVER

IPC: H01L33/10

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip mit einer Halbleiterschichtenfolge (1) mit einem aktiven Bereich (2) auf einem Substrat (5) und mit einer Spiegelschicht (3) angegeben, die vollständig in einer Schicht (4) mit einem transparenten leitenden Oxid eingebettet ist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips angegeben.

公开(公告)号：DE102011103786A1

公开(公告)日：2012-12-13

申请号：DE102011103786

申请日：2011-06-09

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BEHRINGER MARTIN RUDOLF ,  GUENTHER OLIVER

IPC: H01L33/02 ,  H01L25/075 ,  H05B44/00

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) mit einer Halbleiterschichtenfolge (1) angegeben, die eine zur Strahlungserzeugung vorgesehene aktive Schicht (1a) aufweist. Der Halbleiterchip (10) ist in einem ersten Betriebsmodus (B1) und in einem zweiten Betriebsmodus (B2) betreibbar. Im ersten Betriebsmodus (B1) emittiert die Halbleiterschichtenfolge (1) Strahlung, während die Halbleiterschichtenfolge (1) im zweiten Betriebsmodus (B2) keine Strahlung emittiert. Die Halbleiterschichtenfolge (1) ist im ersten Betriebsmodus (B1) in Durchlassrichtung und im zweiten Betriebsmodus (B2) in Sperrrichtung betrieben. Weiter sind ein Display mit einer Mehrzahl von derartigen Halbleiterchips (10) und eine Verwendung als Kfz-Scheinwerfer (100) angegeben.

公开(公告)号：DE102010035966A8

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：DE102010035966

申请日：2010-08-31

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ENGL KARL DR ,  RAMMELSBERGER STEFANIE ,  MAUTE MARKUS DR ,  GUENTHER OLIVER ,  WALTER ROBERT ,  KLEMP CHRISTOPH DR

IPC: H01L33/10